公开(公告)号：KR100634444B1

公开(公告)日：2006-10-16

申请号：KR1020040108791

申请日：2004-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태진 ,  윤광준 ,  장필재 ,  맹계원 ,  박영준

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/103

Abstract: 수광 소자 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 소자는 윗부분(upper portion)에 제1 도전형의 매몰 도핑층을 갖는 실리콘 기판을 포함한다. 매몰 도핑층 상에 제1 도전형의 제1 실리콘 에피층이 배치되고, 제1 실리콘 에피층 상에 제2 도전형의 제2 실리콘 에피층이 배치된다. 제1 도전형의 분리 도핑층이 제2 실리콘 에피층의 소정영역에 배치되어 제2 도전형의 바디 영역을 한정한다. 바디 영역 상에 제2 도전형의 실리콘게르마늄 에피층이 배치된다.

Abstract translation: 提供了一种光接收元件及其形成方法。 该器件包括在其上部具有第一导电类型的掩埋掺杂层的硅衬底。 第一导电类型的第一硅外延层设置在掩埋掺杂层上，第二导电类型的第二硅外延层设置在第一硅外延层上。 第一导电类型的单独掺杂层设置在第二硅外延层的预定区域中以限定第二导电类型的本体区域。 第二导电类型的硅锗外延层设置在本体区域上。

公开(公告)号：KR1020060070146A

公开(公告)日：2006-06-23

申请号：KR1020040108791

申请日：2004-12-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김태진 ,  윤광준 ,  장필재 ,  맹계원 ,  박영준

IPC: H01L31/10

CPC classification number: H01L31/103

Abstract: 수광 소자 및 그 형성 방법을 제공한다. 이 소자는 윗부분(upper portion)에 제1 도전형의 매몰 도핑층을 갖는 실리콘 기판을 포함한다. 매몰 도핑층 상에 제1 도전형의 제1 실리콘 에피층이 배치되고, 제1 실리콘 에피층 상에 제2 도전형의 제2 실리콘 에피층이 배치된다. 제1 도전형의 분리 도핑층이 제2 실리콘 에피층의 소정영역에 배치되어 제2 도전형의 바디 영역을 한정한다. 바디 영역 상에 제2 도전형의 실리콘게르마늄 에피층이 배치된다.