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公开(公告)号：KR100272166B1
公开(公告)日：2000-11-15
申请号：KR1019980025909
申请日：1998-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/76264 , H01L21/76281 , H01L21/76283 , H01L21/76819 , H01L21/76885 , H01L23/528 , H01L2924/0002 , Y10S438/926 , H01L2924/00
Abstract: 소자 분리 영역에 형성된 더미 도전층을 갖춘 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자는 반도체 기판의 비활성 영역에 형성된 더미 활성 영역과, 상기 비활성 영역에서 상기 더미 활성 영역을 제외한 영역에 형성된 소자 분리 영역과, 절연층을 개재한 상태로 상기 소자 분리 영역 위에만 형성된 더미 도전층을 포함한다. 상기 반도체 소자는 반도체 기판의 비활성 영역의 일부에 소자 분리 영역을 형성함으로써 상기 비활성 영역의 나머지 부분에 더미 활성 영역을 한정하고, 상기 소자 분리 영역 및 더미 활성 영역 위에 절연막을 형성하고, 상기 절연막 위에 도전층을 형성하고, 상기 도전층을 패터닝하여 상기 더미 활성 영역 위에 있는 도전층은 제거하고, 상기 소자 분리 영역 위에만 더미 도전층을 형성함으로서 형성된다.
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公开(公告)号：KR1019920002784B1
公开(公告)日：1992-04-03
申请号：KR1019890005489
申请日：1989-04-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04M1/00
Abstract: The circuit for detecting the operation starting voltage to operate a ringing circuit of a telephone set, consists of MOS transistors instead of bipolar transistors such that the ring circuit and melody circuit are formed in one chip. The circuit comprises an N-bias means (100) for supplying a constant bias voltage in response to the variation of power voltage, a power voltage detecting means (200) for operating by the bias means to generate an operation starting voltage, and a power level comparing means (300) for comparing the operation starting voltage with a desired power voltage to, if the starting voltage is a desired voltage, generate an enable signal and to operate the system.
Abstract translation: 用于检测操作起动电压以操作电话机的振铃电路的电路由代替双极晶体管的MOS晶体管组成，使得环形电路和旋律电路形成在一个芯片中。 电路包括用于响应于电源电压变化而提供恒定偏置电压的N偏压装置（100），用于由偏置装置操作以产生操作启动电压的电源电压检测装置（200） 电平比较装置（300），用于将操作开始电压与期望的功率电压进行比较，如果起始电压是期望电压，则产生使能信号并操作系统。
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公开(公告)号：KR1020000004473A
公开(公告)日：2000-01-25
申请号：KR1019980025909
申请日：1998-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76
CPC classification number: H01L27/1203 , H01L21/76264 , H01L21/76281 , H01L21/76283 , H01L21/76819 , H01L21/76885 , H01L23/528 , H01L2924/0002 , Y10S438/926 , H01L2924/00
Abstract: PURPOSE: A semiconductor devices and method thereof are provided to improve a pattern uniformity and a flatness of chips by using dummy patterns formed on an isolation region. CONSTITUTION: The semiconductor device having dummy patterns comprises: a dummy active region(12) formed at a nonactive region(10) of a semiconductor; an isolation region(14) formed at portions except for the dummy active region; a dummy conductive layer(16) formed on the isolation region(14); and an insulating layer formed between the isolation region and the dummy conductive layer(16). The dummy conductive layer(16) used as a dummy gate electrode together with a gate electrode, and made of a doped polysilicon and a metal silicide layer.
Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其方法，通过使用形成在隔离区域上的虚拟图案来提高芯片的图案均匀性和平坦度。 构成：具有虚拟图案的半导体器件包括：形成在半导体的非活性区域（10）上的虚拟有源区（12）; 形成在所述虚拟有源区以外的部分的隔离区域（14） 形成在所述隔离区域（14）上的虚设导电层（16）。 以及形成在隔离区域和虚设导电层（16）之间的绝缘层。 虚设导电层（16）与栅电极一起用作虚拟栅电极，由掺杂多晶硅和金属硅化物层构成。
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