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公开(公告)号：KR1020090099734A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：KR1020080024893
申请日：2008-03-18
Applicant: 삼성전자주식회사 , 한양대학교 산학협력단
CPC classification number: H04L49/9042 , H04L49/90
Abstract: PURPOSE: An interface system based on stream and a control method thereof are provided to improve memory use efficiency by directly transmitting a payload to a processor. CONSTITUTION: An interface system based on stream includes a memory, a first processor, a second processor, and an interface part. The memory(220) stores data of a received packet unit. The first processor(230) analyzes a header of the packet. The second processor(250) receives and processes a payload among data of the packet unit in which the header is analyzed. The interface part(240) transmits the payload to the second processor through analyzed information of the header of the packet.
Abstract translation: 目的：提供一种基于流的接口系统及其控制方法，通过直接向处理器发送有效载荷来提高存储器使用效率。 构成：基于流的接口系统包括存储器，第一处理器，第二处理器和接口部件。 存储器（220）存储接收到的分组单元的数据。 第一处理器（230）分析分组的报头。 第二处理器（250）在其中分析报头的分组单元的数据中接收并处理有效载荷。 接口部分（240）通过分组的报头的分析信息将有效载荷发送到第二处理器。
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公开(公告)号：KR1020030000589A
公开(公告)日：2003-01-06
申请号：KR1020010036625
申请日：2001-06-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67034 , Y10S134/902
Abstract: PURPOSE: A wafer dry method using a marangoni method and an apparatus for the same are provided to reduce a dry processing time for drying a wafer by using the marangoni method. CONSTITUTION: An input portion of a bubbling gas supply pipe(200) is branched into two input terminals(211,212). The input terminals(211,212) are connected with bubbling gas sources of different pressures. A plurality of mass flow controllers(231,232) and a plurality of switching valves(241,242) are installed on the input terminals(211,212), respectively. An end portion(250) of the bubbling gas supply pipe(200) is located at a lower end portion of the bubbling chamber(110). An IPA supply pipe(140) is connected with an upper end of the bubbling chamber(110). A plurality of level sensors(111,113) are installed at an upper end portion and a lower end portion of the bubbling chamber(110). A liquid bath(20) is formed in the inside of a dry chamber(10). A drain pipe(80) and a drain valve(85) are installed at a lower portion of the liquid bath(20). An organic liquid vapor supply pipe(50) is connected with the dry chamber(10). A carrier gas tube(130) is connected with the organic liquid vapor supply pipe(50).
Abstract translation: 目的：提供使用马兰加法法的晶片干燥法及其设备，以减少通过使用马兰戈尼法干燥晶片的干燥处理时间。 构成：鼓泡气体供给管（200）的输入部分分成两个输入端（211,212）。 输入端子（211,212）与不同压力的鼓泡气源连接。 多个质量流量控制器（231,232）和多个切换阀（241,242）分别安装在输入端子（211,212）上。 发泡气体供给管（200）的端部（250）位于发泡室（110）的下端部。 IPA供应管（140）与发泡室（110）的上端连接。 多个液位传感器（111,113）安装在发泡室（110）的上端部和下端部。 在干燥室（10）的内部形成液体浴（20）。 排液管（80）和排水阀（85）安装在液槽（20）的下部。 有机液体蒸气供给管（50）与干燥室（10）连接。 载气管（130）与有机液体蒸气供给管（50）连接。
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公开(公告)号：KR100316743B1
公开(公告)日：2001-12-12
申请号：KR1019990020262
申请日：1999-06-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정재형
IPC: H01L21/3063
Abstract: 본발명은습식챔버내에서의웨이퍼의처리의균일성의향상을위하여챔버본체내에서웨이퍼의회전이가능하도록하는구성을갖는반도체장치제조용습식챔버및 이를이용한웨이퍼의식각방법에관한것이다. 도 4에도시한바와같이, 본발명에따른반도체장치제조용습식챔버는, 액체상의물질을수용할수 있는챔버본체(11)를구비하는습식챔버내에웨이퍼(12)와접촉하여웨이퍼(12)를회전시킬수 있는종동축(22)을취부시켜웨이퍼(12)를회전시킬수 있도록구성한점에특징이있다. 따라서, 본발명에의하면웨이퍼(12)가상기측부가이드(13) 및하부가이드(14)에의하여고정될때 접촉하는부위에서나타날수 있는식각차이문제점과파티클잔류문제점등을원인적으로제거하여균일한식각과세정및 건조가가능하도록하여반도체장치의수율을획기적으로향상시키고, 반도체장치의신뢰도를높일수 있는효과가있다.
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公开(公告)号：KR1020010077385A
公开(公告)日：2001-08-17
申请号：KR1020000005157
申请日：2000-02-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정재형
IPC: H01L21/3063
Abstract: PURPOSE: A wet etching apparatus is provided to stabilize the state of etching liquid diluted in an etching bath and to eliminate etching ununiformity according to a region of an etching target, by separately installing a mixing unit for compensating for density variation of the diluted etching liquid in the outside of an etching tank composed of the etching bath and an external bath. CONSTITUTION: A circulation line(G1,G2) is used for circulating etching liquid from one end of an etching bath(42) to the other end of the etching bath. A pump(P) is installed in the circulation line. A heater(H) is installed in the circulation line. A mixing unit(48) is used for diluting the etching liquid, installed in the circulation line.
Abstract translation: 目的：提供一种湿蚀刻装置，用于稳定在蚀刻槽中稀释的蚀刻液的状态，并且通过分别安装用于补偿稀释蚀刻液的浓度变化的混合单元，根据蚀刻对象的区域消除蚀刻不均匀性 在由蚀刻槽和外部浴组成的蚀刻槽的外部。 构成：循环管线（G1，G2）用于将蚀刻液从腐蚀槽（42）的一端循环到蚀刻槽的另一端。 泵（P）安装在循环管线中。 加热器（H）安装在循环管线中。 混合单元（48）用于稀释安装在循环管线中的蚀刻液。
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公开(公告)号：KR1020010001196A
公开(公告)日：2001-01-05
申请号：KR1019990020262
申请日：1999-06-02
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정재형
IPC: H01L21/3063
Abstract: PURPOSE: A method for etching a wafer is provided to increase yield and reliability, by establishing a wafer revolving unit in a chamber body so as to basically eliminate problems occurring from an etching difference and remaining particles. CONSTITUTION: Wafers(12) are aligned in reference to a flat zone formed on the wafer. The aligned wafers are inserted into a chamber body(11) having a lengthwise moving axis for revolving the aligned wafers. The inserted wafers are left alone for a predetermined interval of time, and are etched by contacting etching liquid. The wafers are revolved by 180 degrees, and are withdrawn at the same rate as an insertion rate or at a similar rate to the insertion rate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于蚀刻晶片的方法，以通过在室体中建立晶片旋转单元以基本上消除由蚀刻差异和剩余颗粒产生的问题来提高产量和可靠性。 构成：晶片（12）相对于晶片上形成的平坦区域对准。 对准的晶片被插入到具有纵向移动轴线的室主体（11）中，用于旋转对准的晶片。 将插入的晶片保持一段预定的时间间隔，并通过接触蚀刻液进行蚀刻。 晶片旋转180度，并以与插入速率相同的速率或以与插入速率相似的速率取出。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990065084A
公开(公告)日：1999-08-05
申请号：KR1019980000187
申请日：1998-01-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 정재형
IPC: H01L21/00
Abstract: 본 발명은 애싱(Ashing)공정 후 웨이퍼 상에 잔존하는 포토레지스트, 유기물 및 폴리머(Polymer) 등의 불순물을 용이하게 제거할 수 있는 반도체장치 제조용 포토레지스트 제거장치에 관한 것이다.
본 발명은, 일정량의 탈이온수가 저장된 내부탱크와 상기 내부탱크 외측벽 소정영역에서 외측으로 연장된 후, 다시 상부로 연장되어 상기 내부탱크를 포함하는 외부탱크와 상기 외부탱크 일측과 상기 내부탱크 일측을 연결하는 오존수 순환라인과 상기 오존수 순환라인 소정영역에 설치되는 오존가스 발생기와 상기 오존수 순환라인 다른 소정영역에 설치되는 펌핑수단이 구비되는 반도체장치 제조용 포토레지스트 제거장치에 있어서, 상기 오존수 순환라인 상에 불화수소가스 공급수단이 설치되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 애싱공정 후 웨이퍼 상에 존재하는 포토레지스트, 유기물 및 폴리머 등의 불순물을 공기를 단축시켜 제거할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1019980065775A
公开(公告)日：1998-10-15
申请号：KR1019970000903
申请日：1997-01-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/34
Abstract: 본 발명은 다중 발진 초음파 세정장치에 관한 것으로, 내부에 웨이퍼를 수용하는 세정액을 담고있는 내부 세정조와, 상기 세정액에 진동을 전달하는 진동판을 포함한 초음파 세정장치에 있어서, 상기 진동판은 상기 내부 세정조의 소정부위에 다수개 부착됨을 특징으로 한다.
이와 같이 형성되는 본 발명에 따른 다중 발진 초음파 세정장치에서는 진동판이 내부 세정조의 하단에 부착되어 간접적으로 진동할 뿐만아니라 내부 세정조의 측단에 직접 부착되어 진동하게 됨으로써, 내부 세정조내에 구비된 웨이퍼의 세정 효과가 극대화된다.-
公开(公告)号：KR100144949B1
公开(公告)日：1998-08-17
申请号：KR1019940018076
申请日：1994-07-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/67023 , B08B3/12 , B08B11/02 , Y10S134/902
Abstract: 유리배스내에서 음파의 전달이 균일하게 기판에 전달되는 웨이퍼 카세트 및 이를 사용하는 세정장치에 관하여 개시한다. 본 발명의 웨이퍼 카세트는 웨이퍼 받침반의 전부에 음파의 전달이 균일하게 되도록 개구부가 형성되어 있다. 또한, 본 발명에 의한 카세트를 사용한 세정장치는 저면에 음파를 발진시키는 진동판과, 상기 진동판의 상부에 위치하는 싱크대와, 상기 싱크대의 바닥과 이격되어 그 내부에 위치하고, 웨이퍼 카세트가 놓여지게 되는 유리 배스와, 상기 유리 배스의 하부에서 세정액을 공급하는 복수개의 공급 배관부와 상기 싱크대의 밑면에 상기 진동판을 사이에 두고 상기 공급배관부와 대향한 일측에 위치하여, 상기 유리배스에서 넘쳐 흐르는 세정액을 배출하는 배수 배관부를 구비한다. 본 발명에 의하면, 공진 주파수의 이탈방지, 웨이퍼에 균일한 음파전달 및 유리 배스의 하단부에 공기방울이 맺히는 것을 제거하여 음파의 난반사를 억제하기 때문에 기판상의 미립자(particle)의 제거효과를 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980022381A
公开(公告)日：1998-07-06
申请号：KR1019960041509
申请日：1996-09-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
Abstract: 웨이퍼 건조작업을 위한 챔버내의 공기흐름을 항시 모니터링하여 외부로부터 공기유입시 인터록(Interlock)시켜 대형 공정불량 사고를 사전에 방지할 수 있도록 한 반도체 제조용 스핀드라이어의 역압 모니터링 시스템에 관한 것이다.
본 발명은 스핀드라이어(11)의 챔버(13)내에 설치되어 내부압을 검출하는 제 1 차압감지센서(18)와, 드레인 탱크(16)내에 설치되어 내부압을 검출하는 제 2 차압감지센서(19)와, 상기 제 1 및 제 2 차압감지센서로부터 출력된 데이터를 비교하여 제 1 차압감지센서에서 출력된 압력이 제 2 차압감지센서에서 출력된 압력보다 작을 때 스핀드라이어의 구동을 일시정지시키는 제어부(20)와, 상기 드레인 탱크(16)와 스핀드라이어의 배기라인(12) 사이에 연결된 연결라인(22)으로 이루어진 것이다.
따라서 챔버내의 공기흐름이 항시 모니터링되어 공기의 유입 또는 유입가능성이 있을 때 즉시 인터록시킴으로써 웨이퍼를 외부공기의 오염으로부터 방지할 수 있는 것이고, 이로인해 생산수율이 증가되어 제품단가를 낮출 수 있는 효과가 있다. -
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