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公开(公告)号：KR1020050078916A
公开(公告)日：2005-08-08
申请号：KR1020040007002
申请日：2004-02-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/06
CPC classification number: G06F12/0246 , G11C16/102
Abstract: 본 발명은 플래시 메모리의 데이터 관리 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 논리적인 연산 단위와 물리적인 연산 단위의 불일치로 인한 공간 낭비 및 성능 저하를 방지할 수 있는 플래시 메모리의 데이터 관리 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 플래시 메모리의 데이터 관리 장치는 소정의 데이터 연산을 수행하고자 하는 물리 블록에 존재하는 데이터를 상기 내부 메모리로 복사하고, 상기 내부 메모리에서 소정의 데이터 연산을 수행하여 상기 물리 블록으로 이동시킨다.-
公开(公告)号：KR1020060028981A
公开(公告)日：2006-04-04
申请号：KR1020040077924
申请日：2004-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F13/1668 , G06F11/1004 , G11C16/3486 , G11C16/10 , G11C29/42
Abstract: Integrated circuit devices that support error detection include a non-volatile memory device having a memory array therein containing a plurality of pages of memory cells. A memory controller is also provided. The memory controller is electrically coupled to the non-volatile memory device and is configured to provide the non-volatile memory device with a plurality of segments of page data during a page write operation. The plurality of segments of page data include a plurality of segments of checksum data that identify a number of non-volatile memory cells to be programmed with write data during the page write operation. Additional checksum data is also generated for comparison and error detection purposes during a page read operation.
Abstract translation: 公开了一种管理存储在非易失性存储器设备中的数据的方法，每个存储器包括存储N位数据（其中N是大于或等于1的整数）的存储器单元阵列。 根据该方法，首先将要存储在阵列中的每个数据组划分为N个，并且从每个数据组的划分的数据值的电压电平生成第一校验和数据。 数据组和第一个校验和数据同时存储在数组中。 所存储的数据组和第一校验和数据被同时读取，并且所读取的数据组被分成N个。 第二校验和数据是从每个读数据组的分割数据值的电压电平产生的，并且第一和第二校验和数据用于检测在读数据组的写操作期间是否发生电源故障 是的。
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公开(公告)号：KR1020050077505A
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：KR1020040005020
申请日：2004-01-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G11C29/76 , G06F12/0246
Abstract: 본 발명은 플래시 메모리의 데이터 관리 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 적어도 하나 이상의 플래시 메모리를 사용하는 시스템에서 데이터 연산 방식에 따라 소정의 플래시 메모리에서 발생한 오류 블록을 처리할 수 있는 플래시 메모리의 데이터 관리 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 플래시 메모리의 데이터 관리 장치는 적어도 하나 이상의 플래시 메모리에 대한 동작을 제어하는 디바이스 드라이버와, 소정의 플래시 메모리에서 오류 블록이 발생한 경우 해당 플래시 메모리의 소정 블록으로 상기 오류 블록에 위치한 데이터를 이동시키는 제어부를 포함한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020060090080A
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：KR1020050011292
申请日：2005-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/06
CPC classification number: G06F12/0246
Abstract: 여기에 개시된 런 단위 어드레스 매핑 테이블 및 그 방법은, 논리 어드레스 및 물리 어드레스가 인접한 페이지들의 집합(연속 페이지 그룹, 또는 런(RUN)이라 칭함)을 기본 단위로 하여, 각각의 런(RUN)에 대한 초기 물리 페이지 번호와, 연속된 물리 페이지들의 개수만을 저장한다. 각각의 런(RUN)에 포함된 논리 페이지 번호들과 물리 페이지 번호들은 단순한 산술 연산을 통해 알아낼 수 있으므로, 적은 메모리 용량을 가지고도 효율적인 매핑 정보 관리를 수행할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100608592B1
公开(公告)日：2006-08-03
申请号：KR1020040005020
申请日：2004-01-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/02
CPC classification number: G11C29/76 , G06F12/0246
Abstract: 본 발명은 플래시 메모리의 데이터 관리 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 적어도 하나 이상의 플래시 메모리를 사용하는 시스템에서 데이터 연산 방식에 따라 소정의 플래시 메모리에서 발생한 오류 블록을 처리할 수 있는 플래시 메모리의 데이터 관리 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 플래시 메모리의 데이터 관리 장치는 적어도 하나 이상의 플래시 메모리에 대한 동작을 제어하는 디바이스 드라이버와, 소정의 플래시 메모리에서 오류 블록이 발생한 경우 해당 플래시 메모리의 소정 블록으로 상기 오류 블록에 위치한 데이터를 이동시키는 제어부를 포함한다.
플래시 메모리, 멀티 채널, 인터리브Abstract translation: 本发明涉及一种快闪存储器的数据管理装置和方法，以及更具体地，使用所述的至少一个闪速存储器已发生闪速存储器能够处理差错块在一个给定的闪存存储器按照在系统中的数据处理方法 一种数据管理装置和方法。
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公开(公告)号：KR100533683B1
公开(公告)日：2005-12-05
申请号：KR1020040007002
申请日：2004-02-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/06
CPC classification number: G06F12/0246 , G11C16/102
Abstract: 본 발명은 플래시 메모리의 데이터 관리 장치 및 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 논리적인 연산 단위와 물리적인 연산 단위의 불일치로 인한 공간 낭비 및 성능 저하를 방지할 수 있는 플래시 메모리의 데이터 관리 장치 및 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 플래시 메모리의 데이터 관리 장치는 소정의 데이터 연산을 수행하고자 하는 물리 블록에 존재하는 데이터를 상기 내부 메모리로 복사하고, 상기 내부 메모리에서 소정의 데이터 연산을 수행하여 상기 물리 블록으로 이동시킨다.-
公开(公告)号：KR100706242B1
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：KR1020050011292
申请日：2005-02-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06F12/06
CPC classification number: G06F12/0246
Abstract: 여기에 개시된 런 단위 어드레스 매핑 테이블 및 그 방법은, 논리 어드레스 및 물리 어드레스가 인접한 페이지들의 집합(연속 페이지 그룹, 또는 런(RUN)이라 칭함)을 기본 단위로 하여, 각각의 런(RUN)에 대한 초기 물리 페이지 번호와, 연속된 물리 페이지들의 개수만을 저장한다. 각각의 런(RUN)에 포함된 논리 페이지 번호들과 물리 페이지 번호들은 단순한 산술 연산을 통해 알아낼 수 있으므로, 적은 메모리 용량을 가지고도 효율적인 매핑 정보 관리를 수행할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100632952B1
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：KR1020040077924
申请日：2004-09-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F13/1668 , G06F11/1004
Abstract: 여기에는 각각이 N-비트 데이터 (N은 1 또는 그 보다 큰 정수)를 저장하는 메모리 셀들의 어레이를 포함하는 불 휘발성 메모리 장치에 저장되는 데이터를 관리하는 방법이 개시되어 있다. 이 방법에 따르면, 먼저, 상기 어레이에 저장될 데이터 그룹들 각각이 N으로 분할되고, 상기 각 데이터 그룹의 분할된 데이터 값들의 전압 준위들로부터 제 1 체크섬 데이터가 생성된다. 상기 데이터 그룹들 및 상기 제 1 체크섬 데이터는 상기 어레이에 동시에 저장된다. 상기 저장된 데이터 그룹들 및 상기 제 1 체크섬 데이터가 동시에 읽혀지고, 상기 읽혀진 데이터 그룹들이 N으로 분할된다. 상기 읽혀진 데이터 그룹들 각각의 분할된 데이터 값들의 전압 준위들로부터 제 2 체크섬 데이터가 생성되며, 상기 읽혀진 데이터 그룹들의 쓰기 동작 도중에 정전이 발생하였는 지를 검출하기 위해서 상기 제 1 및 제 2 체크섬 데이터가 사용된다.
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