Abstract:
본 발명은 이온 물질의 크기 및 농도를 동시에 검출하는 방법 및 장치를 제공한다. 상기 본 발명에 따른 방법은 적어도 2개의 상이한 전기적 특성을 갖는 이온 물질 검출용 FET(Field Effect Transistor) 기반 센서들 각각을 이용하여 크기 및 농도가 알려진 적어도 3종류의 이온 물질들의 전압 강하 값들을 측정하는 단계; 상기 이온 물질 검출용 FET 기반 센서들 각각에 대해, 상기 이온 물질들의 알려진 크기 값과 농도 값, 및 상기 측정된 전압 강하 값으로부터 크기, 농도 및 전압 강하로 이루어진 3차원 공간에서 적어도 3개의 점들을 결정하는 단계; 상기 이온 물질 검출용 FET 기반 센서들 각각에 대해, 상기 3 차원공간에서의 점들을 하나의 평면으로 근사화하는 단계; 상기 이온 물질 검출용 FET 기반 센서들 각각을 이용하여 크기 및 농도가 알려지지 않은 이온 물질의 전압 강하 값을 측정하는 단계; 상기 이온 물질 검출용 FET 기반 센서들 각각에 대해, 상기 알려지지 않은 이온 물질의 전압 강하 값을 이용하여 상기 평면 상에 존재하는 등전압선을 결정하는 단계; 및 적어도 2 개의 상기 등전압선들 사이의 교차점을 결정하는 단계;를 포함한다.
Abstract:
A field effect transistor including a gold layer, a micro-fluidic device having the field effect transistor, and a method of detecting an assay having a thiol group using the field effect transistor and the micro-fluidic device are provided to detect the assay in a sample by measuring electric signals such as current or voltage. A field effect transistor including a gold layer includes a substrate, a source area, a drain area, a channel area, an insulating layer, a gold layer, and a gate electrode. The substrate is made of a semiconductor material. The source and drain areas are formed inside the substrate by being separated from each other, and are doped with the opposite polarity to the substrate. The channel area is arranged between the source and drain areas. The insulating layer is arranged on the channel area. The gold layer is located on the insulating layer. The gate electrode is arranged on the insulating layer.
Abstract:
본 발명은 반도체 재료로 구성된 기판; 상기 기판 내에 서로 이격되어 형성되고 상기 기판과 반대 극성으로 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역; 상기 소스 영역과 드레인 영역 사이에 배치된 채널 영역; 상기 채널 영역 상에 배치되고 전기적 절연 재료로 구성된 절연층; 및 상기 절연층 위에 이격되어 배치된 게이트 전극을 포함하는 전계 효과 트랜지스터에 있어서, 상기 절연층 상에 위치하는 금층을 더 포함하는, 티올기를 갖는 분석물을 검출하기 위한 전계 효과 트랜지스터, 상기 전계 효과 트랜지스터를 포함하는 미세유동장치, 및 상기 전계 효과 트랜지스터 및 미세유동장치를 이용하여 티올기를 포함하는 분석물을 검출하는 방법을 제공한다. FET, 금층, 티올기, 미세유동장치
Abstract:
본 발명은 동일 전계 효과 트랜지스터를 이용하여 생분자의 존재 또는 농도를 검출하는 방법을 제공한다. 상기 본 발명에 따른 방법에 있어서, 상기 전계 효과 트랜지스터는 반도체 재료로 구성된 기판, 상기 기판 내에 서로 이격 되어 형성되고 상기 기판과 반대 극성으로 도핑된 소스 영역 및 드레인 영역, 상기 소스 영역 및 드레인 영역 사이에 배치된 채널 영역, 상기 채널 영역 상에 배치되고 전기적 절연 재료로 구성된 절연층, 및 상기 절연층 위에 이격 되어 배치된 게이트 전극을 포함하는 것을 특징으로 하고, 또한 제1 타겟 생분자를 함유하는 제1 시료를 상기 전계 효과 트랜지스터의 절연층과 게이트 전극 사이에 공급하고, 상기 전계 효과 트랜지스터의 제1 전기적 신호 변화를 측정하는 단계; 제2 시료를 상기 동일한 전계 효과 트랜지스터의 절연층과 게이트 전극 사이에 공급하고, 상기 전계 효과 트랜지스터의 제2 전기적 신호 변화를 측정하는 단계; 및 상기 제1 전기적 신호 및 상기 제2 전기적 신호를 비교하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
본 발명은 기판, 상기 기판의 양측에 형성되고 상기 기판과 반대 극성으로 각각 도핑된 소스 및 드레인, 상기 소스 및 드레인과 접촉하고 상기 기판 상에 형성된 게이트를 포함하는 FET 기반 바이오 센서에 있어서, 상기 게이트 표면에 생분자가 결합 가능한 무기막이 구비되는 것을 특징으로 하는 FET 기반 바이오 센서를 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 FET 기반 바이오 센서의 제조 방법 및 상기 FET 기반 바이오 센서를 이용한 생분자 검출 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 무기막을 구비하는 FET 기반 바이오 센서는 별도의 추가적인 공정 없이 반도체 제조 공정만으로 제조가 가능하므로 패터닝이 가능하다. 따라서 하나의 FET에 있어서 게이트 표면에만 무기막을 선택적으로 증착하거나 복수의 FET에 있어서 일부의 게이트 표면에만 무기막을 선택적으로 증착할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 미량의 타겟 생분자도 효과적으로 검출할 수 있고, 상기 무기막의 두께는 매우 얇게 조절될 수 있어 FET의 검출 가능 거리인 debye length 내에 생분자가 결합할 수 있다. FET, 바이오 센서, 무기막, 게이트, 보에마이트(boehmite)
Abstract:
본 발명은, 핵산을 포함하는 시료로부터 핵산을 분리 및 증폭하는 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 실란화된 고상 물질에 시료를 접촉시켜서 핵산을 캡쳐하는 단계; 및 핵산이 캡쳐된 상기 고상 물질을 pH 9 내지 pH 14의 염기성 용액으로 처리하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 핵산의 분리 방법을 제공한다. 본 발명은 또한, 실란화된 고상 물질에 시료를 접촉시켜서 핵산을 캡쳐하는 단계; 핵산이 캡쳐된 상기 고상 물질을 pH 9 내지 pH 14의 염기성 용액으로 처리하는 단계; 및, 상기 처리 결과물에 핵산증폭용액을 가하여 핵산 증폭반응을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 핵산의 증폭방법을 제공한다. 실란화, 핵산, 분리, 정제
Abstract:
본 발명은 시료 도입구가 형성되어 있어 상기 시료 도입구를 통해 시료, 자성 비드 및 고상 지지체를 수용하는 세포 용해 모세관; 상기 모세관에 부착되어 있고, 상기 모세관 내에서 상기 혼합물을 혼합하는 진동기(vibrator); 상기 모세관에 부착되어 있고, 상기 모세관에 레이저를 공급하는 레이저 발생부; 상기 모세관에 부착되어 있고, 자성 비드를 모세관 벽에 고정시키는 자기력 발생부; 상기 모세관에 부착되어 있고, 용해액을 방출하는 배수 챔버; 상기 모세관에 부착되어 있고, 핵산이 결합된 고상 지지체로부터 핵산을 용출시키는 용출 버퍼를 공급하는 용출 버퍼 챔버; 및 상기 모세관에 부착되어 있고, 상기 용출된 핵산 용액을 중화시키는 중화 버퍼를 공급하는 중화 버퍼 챔버를 포함하는 세포 또는 바이러스의 핵산 정제 장치 및 이를 이용하여 세포 또는 바이러스의 핵산을 정제하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, PCR 저해제를 제거하여 PCR 수율을 높일 수 있으며, 실리콘 기판 또는 실리카 비드를 이용하여 핵산 정제가 가능하므로, 랩온어칩 제작에 응용할 수 있다.
Abstract:
A method for detecting bio-molecules is provided to detect a plurality of different bio-molecules continuously using a field effect transistor(FET) with rapid speed of the bio-molecule detection reaction, use a used FET continuously without throwing it away and significantly lower the distribution of performance among FETs since the bio-molecules do not use a fixed FET. A method for detecting existence or concentration of target bio-molecules such as nucleic acids and proteins using a field effect transistor comprises the steps of: (a) providing a first sample including a first target bio-molecules to a gate electrode of the field effect transistor; and (b) measuring the electrical signal change of the transistor, wherein the field effect transistor comprises a substrate(21) consisting of a semiconductor material, a source region(22a) and a drain region(22b), each of which is respectively formed in the substrate with being spaced apart from each other and doped with polarity opposite to that of the substrate, a channel region displaced between the source and drain regions, an insulation layer(23) placed on the channel region and consisting of an electrically insulation material and a gate electrode(24) displaced on top of the insulation layer with being spaced apart therefrom. The method further comprises a step of providing a second sample including a second target bio-molecule to the gate electrode of the transistor, and a step of providing a solution not including a bio-molecule to the gate electrode of the field effect transistor to wash it before the step (b).
Abstract:
A method for detecting bio-molecules is provided to detect the bio-molecules accurately and easily and prepare a field effect transistor(FET) simply and lower the distribution of performance among FETs significantly since the bio-molecules do not use a fixed FET. A method for detecting target bio-molecules such as nucleic acids and proteins using a field effect transistor comprises the steps of: (a) providing a first sample including a first target bio-molecule to a gate electrode of the field effect transistor and measuring the first electrical signal change of the transistor; (b) providing a second sample including a second sample to the gate electrode of the same field effect transistor and measuring the second electrical signal change of the transistor; and (c) comparing the first electrical signal and the second electrical signal by calculating the ratio of the first electrical signal to the second electrical signal, wherein the field effect transistor comprises a substrate(21) consisting of a semiconductor material, a source region(22a) and a drain region(22b), each of which is respectively formed in the substrate with being spaced apart from each other and doped with polarity opposite to that of the substrate, a channel region displaced between the source and drain regions, an insulation layer(23) placed on the channel region and consisting of an electrically insulation material and a gate electrode(24) displaced on top of the insulation layer with being spaced apart therefrom. The method is further comprises a step of supplying a solution not including a bio-molecule to the gate electrode of the transistor to wash it before the step (b).
Abstract:
본 발명은 기판, 상기 기판의 양측에 형성되고 상기 기판과 반대 극성으로 각각 도핑된 소스 및 드레인, 상기 소스 및 드레인과 접촉하고 상기 기판 상에 형성된 게이트를 포함하는 FET 기반 바이오 센서에 있어서, 상기 게이트 표면에 생분자가 결합 가능한 무기막이 구비되는 것을 특징으로 하는 FET 기반 바이오 센서를 제공한다. 또한, 본 발명은 상기 FET 기반 바이오 센서의 제조 방법 및 상기 FET 기반 바이오 센서를 이용한 생분자 검출 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 무기막을 구비하는 FET 기반 바이오 센서는 별도의 추가적인 공정 없이 반도체 제조 공정만으로 제조가 가능하므로 패터닝이 가능하다. 따라서 하나의 FET에 있어서 게이트 표면에만 무기막을 선택적으로 증착하거나 복수의 FET에 있어서 일부의 게이트 표면에만 무기막을 선택적으로 증착할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 미량의 타겟 생분자도 효과적으로 검출할 수 있고, 상기 무기막의 두께는 매우 얇게 조절될 수 있어 FET의 검출 가능 거리인 debye length 내에 생분자가 결합할 수 있다. FET, 바이오 센서, 무기막, 게이트, 보에마이트(boehmite)