公开(公告)号：KR1020150020431A

公开(公告)日：2015-02-26

申请号：KR1020130096566

申请日：2013-08-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조종후 ,  윤현준 ,  박기태 ,  심동교

IPC: G11C16/10

CPC classification number: G11C16/3459 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/08 ,  G11C16/10

Abstract: 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법은: 디폴트 상태 오더링에 따라 데이터 래치들에 저장된 상태 데이터를 근거로 하여 제 N (N은 정수) 번째 프로그램 루프를 수행하는 단계; 상기 디폴트 상태 오더링을 변경할 필요가 있는 지를 판별하는 단계; 상기 디폴트 상태 오더링을 변경할 필요가 있다면, 상기 데이터 래치들에 저장된 상기 상태 데이터를 전체 혹은 일부 변경하는 단계; 및 상기 변경된 상태 데이터를 근거로 하여 제 N+1 번째 프로그램 루프를 수행하는 단계를 포함한다.

Abstract translation: 根据本发明的用于非易失性存储器件编程的方法包括以下步骤：根据默认状态顺序，基于存储在数据锁存器中的状态数据执行第N程序循环（N为整数）; 确定是否更改默认状态排序; 如果需要改变默认状态顺序，则完全或部分地改变存储在数据锁存器中的状态数据; 以及基于所述改变的状态数据执行第（N + 1）个程序循环。

公开(公告)号：KR102133362B1

公开(公告)日：2020-07-15

申请号：KR1020130096566

申请日：2013-08-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 조종후 ,  윤현준 ,  박기태 ,  심동교

IPC: G11C16/10