公开(公告)号：KR1020030095417A

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：KR1020020032309

申请日：2002-06-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최범락 ,  정창오 ,  노경헌 ,  주홍렬

IPC: H01B5/14

Abstract: PURPOSE: A transparent conductive layer and a fabricating method thereof are provided to improve an etching characteristic, lower the growth temperature, and enhance the chemical stability by using a chemical compound including metal elements without d-orbit electrons as raw materials. CONSTITUTION: A transparent conductive layer includes a chemical compound expressed as In2-xMxO3-δ where M is selected from a group including Li, Na, Mg, K, Ca, Sc, Ti, Sr, Y, Zr, Ba, La, Cd, B, Ga, Tl, Si, Pb, Sb, Bi, Pr, and Nd, x is 0

Abstract translation: 目的：提供透明导电层及其制造方法，以通过使用包含没有d轨道电子的金属元素的化合物作为原料来提高蚀刻特性，降低生长温度和提高化学稳定性。 构成：透明导电层包括以In2-xMxO3-δ表示的化合物，其中M选自包括Li，Na，Mg，K，Ca，Sc，Ti，Sr，Y，Zr，Ba，La，Cd ，B，Ga，Tl，Si，Pb，Sb，Bi，Pr和Nd，x为0

公开(公告)号：KR100859517B1

公开(公告)日：2008-09-22

申请号：KR1020020032309

申请日：2002-06-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최범락 ,  정창오 ,  노경헌 ,  주홍렬

IPC: H01B5/14

Abstract: 본 발명은 투명 전도막 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 결정내에서 이온화되었을 때 d궤도 전자를 가지지 않는 금속원소를 불순물로 포함하는 화합물을 투명 전도막의 재료로 사용하는 투명 전도막 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 투명 전도막은 d궤도 전자가 없어서 가시광 영역을 흡수하여도 광투과도에 영향을 미치지 않고 우수한 에칭특성, 낮은 생장온도, 화학적 안정성을 나타내어 TFT-LCD, 유기전계발광(EL) 소자, STN, CRT, 태양전지 또는 이미지 센서 등과 같은 소자의 전극 및 배선재료로 사용할 수 있다.
투명 전도막, d궤도 전자, 불순물, 광투과도, 비정질, 인듐 산화물