公开(公告)号：KR1020060020099A

公开(公告)日：2006-03-06

申请号：KR1020040068849

申请日：2004-08-31

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 카미야히로요키 ,  정두한

IPC: G02F1/1341

CPC classification number: G02F1/1341 ,  G02F2001/13415

Abstract: 액정적하방법, 이를 이용한 액정적하장치 및 이를 이용한 표시장치의 제조 방법이 개시되어 있다. 액정적하장치는 적어도 2 개의 토출구들이 측면에 형성되고, 토출구들과 연결되고, 액정을 수납하기 위한 수납공간을 갖는 토출 몸체 및 토출 몸체로부터 토출구들을 통하여 액정을 토출 시키는 토출유닛을 포함한다. 표시장치는 화소가 형성된 제 1 기판상에 폐루프 형상을 갖는 액정 밀봉부재를 형성하고, 액정을 포함하는 적어도 2 개 이상의 액적들을 실질적으로 동시에 상기 기판상에 적하하고, 액정 밀봉부재를 통해 제 1 기판에 제 1 기판과 마주보는 제 2 기판을 어셈블리 하여 제조된다. 기판에 액정을 적하 할 때, 액정을 적어도 2 개의 방향으로 토출 함으로써, 토출 된 액정들이 상호 만나지 못해 발생하는 액정 언-필 영역이 발생하는 것을 방지 및 액정을 기판에 적하 하는데 소요되는 시간을 크게 단축시킨다.

公开(公告)号：KR1020060017138A

公开(公告)日：2006-02-23

申请号：KR1020040065690

申请日：2004-08-20

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정두한 ,  노순준 ,  카미야히로요키

IPC: G02F1/1337

CPC classification number: G02F1/13378 ,  G02F1/133711 ,  G02F1/133723

Abstract: 배향막 형성방법 및 배향막 표면의 안정화 방법이 개시된다. 상기 배향막 형성 방법은 이온빔을 배향막 표면에 조사하는 단계, 상기 배향막이 존재하는 영역에 중성가스를 포함시키는 단계, 상기 중성가스를 이온화시켜 라디칼 이온 및 전자를 형성시키는 이온화 단계; 및 상기 이온빔 조사에 의하여 배향막 표면에 형성된 반응성 분자와 상기 라디칼 이온 또는 전자를 반응시켜 표면을 전기적으로 중화시키는 안정화 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 배향막 형성 방법은 이온빔 조사 방법에 따른 배향막 표면의 불안정화를 해결할 수 있다.