이동 통신 시스템에서 망 지연에 따른 서비스 스케줄링을 위한 장치 및 방법
    1.
    发明公开
    이동 통신 시스템에서 망 지연에 따른 서비스 스케줄링을 위한 장치 및 방법 无效
    基于网络延迟调度服务的装置和方法

    公开(公告)号:KR1020110060794A

    公开(公告)日:2011-06-08

    申请号:KR1020100100393

    申请日:2010-10-14

    CPC classification number: H04L43/0852 H04L41/5019 H04L41/5022

    Abstract: PURPOSE: A method and an apparatus for service scheduling according to network delay in a mobile communication system are provided to decide more correct scheduling indexes through time information synchronized in the mobile communication system. CONSTITUTION: The GW bearer tunneling part of a PGW(Packet data network GateWay)(410) constitutes synchronized time information(415) synchronized through a GTP(General Packet Radio Service Tunneling Protocol) header(411). The GW bearer tunneling part creates a GTP extended header(413) for the transmission of the synchronized time information. The synchronized time information can be transmitted through the GTP extended header to a SGW(Serving GateWay)(420). According to the reception of the synchronized time information, the SGW prepares the synchronized time information for transmission to an eNB(evolved-NodeB)(430).

    Abstract translation: 目的:提供一种移动通信系统中根据网络延迟进行业务调度的方法和装置,通过移动通信系统中同步的时间信息来确定更为正确的调度指标。 构成:PGW(分组数据网络GateWay)(410)的GW承载隧道部分构成通过GTP(通用分组无线业务隧道协议)报头(411)同步的同步时间信息(415)。 GW承载隧道部分创建用于发送同步时间信息的GTP扩展报头(413)。 同步的时间信息可以通过GTP扩展报头发送到SGW(Serving GateWay)(420)。 根据同步时间信息的接收,SGW准备同步的时间信息以发送给eNB(演进节点B)(430)。

    시편 홀더
    2.
    发明公开
    시편 홀더 无效
    样品夹

    公开(公告)号:KR1020040032659A

    公开(公告)日:2004-04-17

    申请号:KR1020020061871

    申请日:2002-10-10

    Inventor: 한재성

    Abstract: PURPOSE: A sample holder is provided to be capable of easily fixing and analyzing a sample for TEM(Transmission Electron Microscope) analysis in an AES(Auger Electron Spectroscopy) apparatus. CONSTITUTION: A sample holder(150) is provided with a plate(160) and the first fixing pin(166). At this time, the plate includes the first groove(162) for preventing the generation of Auger electrons in an arbitrary region except a sample when irradiating the electron beam from an AES apparatus onto the sample and the second groove(164) formed in the peripheral portion of the first groove. The first fixing pin is connected with the second groove and spaced apart from the upper surface of the plate. Preferably, the sample is used for TEM analysis.

    Abstract translation: 目的:提供样品架,以便能够在AES(俄歇电子能谱仪)装置中容易地固定和分析用于TEM(透射电子显微镜)分析的样品。 构成:样品架(150)设置有板(160)和第一固定销(166)。 此时,该板包括第一凹槽(162),用于在从AES装置将电子束照射到样品上时防止在除了样品之外的任意区域中产生俄歇电子,并且形成在周边的第二凹槽(164) 第一凹槽的一部分。 第一固定销与第二槽连接并且与板的上表面间隔开。 优选地,将样品用于TEM分析。

    절연성 시료에 대한 오거 일렉트론 스펙트로스코피 분석방법
    3.
    发明授权
    절연성 시료에 대한 오거 일렉트론 스펙트로스코피 분석방법 失效
    用于绝缘样品的AUGER电子光谱分析方法

    公开(公告)号:KR100244913B1

    公开(公告)日:2000-03-02

    申请号:KR1019960040446

    申请日:1996-09-17

    CPC classification number: G01N23/2276 H01J2237/2511

    Abstract: 절연성 시료에 축전 방지를 위한 도전성 막질을 증착시켜서 AES 분석을 수행할 수 있도록 한 절연성 시료에 대한 오거 일렉트론 스펙트로스코피 분석 방법에 관한 것이다.
    본 발명은 절연성 시료의 표면을 정성 및 정량 분석하는 오거 일렉트론 스펙트로스코피 분석 방법에 있어서, 상기 절연성 시료의 표면에 적어도 6Å 내지 50Å 두께의 도전성 막질을 증착하는 단계, 상기 시료내에 전하가 축적되는 것을 방지하기 위해 상기 도전성 막질을 통해 전하를 끌어내는 단계 및 상기 시료를 분석하는 단계를 구비하여 이루어진다.
    따라서, 본 발명에 의하면 AES 분석 방법으로 절연성 시료에 대해서도 표면에 대한 정확한 분석을 수행함으로써 AES 분석을 포괄적으로 반도체 시료에 적용하여서 신뢰성 있는 분석 데이터를 얻을 수 있는 효과가 있다.

    반도체 실링 플랜지
    4.
    发明公开
    반도체 실링 플랜지 无效
    半导体密封法兰

    公开(公告)号:KR1019990069663A

    公开(公告)日:1999-09-06

    申请号:KR1019980004054

    申请日:1998-02-11

    Inventor: 한재성 변광선

    Abstract: 본 발명은 이중날을 형성하여 가스킷을 가압하게 하는 반도체 실링 플랜지에 관한 것이다.
    본 발명에 따른 반도체 실링 플랜지는, 내부 밀폐를 요하는 관 또는 덕트의 이음부에 형성되고, 실링이 요구되는 상기 이음부의 접촉면과 접촉면 사이에 위치한 가스킷을 가압수단으로 가압함으로써 가스킷과의 접촉면에 단면이 뾰죽한 형상의 실링날이 가스킷과 밀착되어 실링이 이루어지도록 하고, 실링이 견고하게 이루어지도록 가스킷과 밀착되는 상기 실링날을 일정간격으로 2개 이상 형성하는 것을 특징으로 한다.
    따라서, 양호한 실링을 가능하게 함으로써 부품의 내구성을 향상시키고, 교체작업으로 인한 시간손실 및 인력낭비를 방지하게 하는 효과를 갖는다.

    단차막질상에 물질층 패턴을 형성하는 방법 및 이에 사용하는 하프톤 위상 반전 마스크
    5.
    发明公开
    단차막질상에 물질층 패턴을 형성하는 방법 및 이에 사용하는 하프톤 위상 반전 마스크 无效
    在台阶膜上形成材料层图案的方法和形成半色调相反转掩模的方法

    公开(公告)号:KR1019990017137A

    公开(公告)日:1999-03-15

    申请号:KR1019970039932

    申请日:1997-08-21

    Inventor: 한재성

    Abstract: 본 발명은 단차 막질 상에 물질층 패턴을 형성하는 방법 및 이에 사용하는 하프톤 위상 반전 마스크(H/T Phase Shift Mask)에 관해 개시한다. 본 발명은 단차가 나타나는 하부막질 상에 도전층 패턴을 형성하는 과정에 상기 도전층 패턴의 가장자리 부분이 취약해지는 것을 방지하기 위해 이 부분에 대응하는 영역을 하프톤 영역으로 처리한 위상 반전 마스크를 사용한다. 상기 마스크를 이용하여 상기 도전층 상에 도포된 감광막을 패터닝하여 가장자리 부분이 손상되지 않은 온전한 형태의 감광막 패턴을 형성하고, 이 감광막 패턴을 이용하여 상기 도전층을 이방성식각 함으로써 온전한 형태의 도전층 패턴이 형성된다. 상기 도전층 패턴이 커패시터의 스토리지 노드로 사용될 경우, 커패시터의 전극면적이 증가되고 커패시터의 정전용량이 증가된다. 또한, 공정윈도우가 훨씬 증가되어 반도체장치의 제조공정이 쉬워진다. 뿐만 아니라 상기 도전층 패턴의 가장자리 부분에 마우스 바이트와 같은 손상이 있을 때 보다, 후속공정에서 형성되는 막질의 형성상태가 양호해져서 반도체장치의 수율이 개선된다.

    테이프 주행 제어방법
    6.
    发明授权
    테이프 주행 제어방법 失效
    磁带机控制方法

    公开(公告)号:KR100162609B1

    公开(公告)日:1999-01-15

    申请号:KR1019950040222

    申请日:1995-11-08

    Inventor: 한재성

    Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야
    테이프 구동 장치의 제어방법에 관한 것이다.
    2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
    테이프 구동장치에서 테이프의 마지막 위치를 테이프의 두께차이에 의한 릴 회전주파수를 이용하여 판별한 후 테이프의 주행을 정지시킬 수 있는 방법을 제공한다.
    3. 발명의 해결방법의 요지
    테이프의 자화영역 및 리드영역의 두께차에 의해 회전하는 릴의 1회전에 대응되는 릴 회전주파수가 다르게 나타나는 테이프의 마지막 위치에서 테이프 구동장치의 테이프 주행 제어방법은 테이프 주행모드를 주행하는 과정과, 상기 주행모드에서 릴 1회전에 따른 제1릴 회전주파수 및 상기 제1릴 회전주파수에 대응되는 릴 회전 이후의 릴 1회전에 따른 제2릴 회전주파수를 검출하여, 상기 제1릴 회전주파수에서 상기 제2릴 회전주파수를 감산하여 절대치를 취한 기준값을 검출하는 과정과, 상기 제2릴 회전주파수에 대응되는 릴 회전 이후의 릴 1회전에 따른 제3릴 회전주파수를 검출하여, 상기 제2릴 회전주파수에서 상기 제3릴 회전주파수를 감산하여 절대치를 취한 비교값을 검출하는 과정과, 상기 기준값에 미리 설정된 소정의 설정값을 곱한 후 이를 � ��기 비교값을 비교하는 과정과, 상기 비교과정에서 상기 비교값이 클 시 테이프의 정지 위치로 판단하여 테이프의 구동을 정지시키는 과정과, 상기 비교과정에서 상기 비교값이 작을 시 상기 제3릴 회전주파수를 제2릴 회전 주파수로 대치하며, 상기 제3릴 회전주파수에 대응되는 릴 회전 이후의 릴 1회전에 따른 릴 회전주파수를 검출하여 상기 제3릴 회전주파수로 대치하여 상기 비교값 검출과정으로 되돌아가는 과정으로 이루어진다.
    4. 발명의 중요한 용도
    테이프 구동장치에서 센서없이 테이프의 마지막 위치를 검출하여 테이프의 주행을 정지시키기 위해 이를 구현한다.

    반도체장치의 제조공정에서의 오버레이 키 형성방법
    7.
    发明公开
    반도체장치의 제조공정에서의 오버레이 키 형성방법 无效
    在半导体器件的制造过程中形成覆盖键的方法

    公开(公告)号:KR1019980065641A

    公开(公告)日:1998-10-15

    申请号:KR1019970000752

    申请日:1997-01-14

    Inventor: 한재성

    Abstract: 반도체장치의 제조공정에서의 오버레이 키 형성방법에 관해 개시한다.
    본 발명에 의한 오버레이 키 형성방법에서는 그 마스크의 몇 회차 즉, 몇 번째 사용되는 마스크 인가에 따라 그 마스크에 새겨지는 오버레이 키가 결정된다. 결국, 사용되는 마스크의 순번에 해당하는 수의 오버레이 키를 해당 마스크에 형성한다. 이렇게 함으로써 임의 회차에 사용되는 마스크를 오버레이하는 경우 기 사용한 마스크에 의해 형성된 오버레이 키 모두를 오버레이에 사용할 수 있음으로서 기 형성된 층 각각에 대한 오버레이 측정 및 분석이 가능해져서 종래의 층대 층으로 오버레이가 이루어지는 것에 비해 오버레이를 더욱 정확하게 이룰 수 있고 미스 얼라인에 대한 데이타 분석작업이 한층 간단해진다.

    반도체 분석설비용 샘플 고정홀더
    8.
    发明公开
    반도체 분석설비용 샘플 고정홀더 无效
    用于半导体分析设备的样品架

    公开(公告)号:KR1019980031834A

    公开(公告)日:1998-07-25

    申请号:KR1019960051396

    申请日:1996-10-31

    Inventor: 한재성 이순남

    Abstract: 다수개의 샘플을 동시에 고정하여 작업성을 향상시킬 수 있도록 한 반도체 분석설비용 샘플 고정홀더에 관한 것이다.보
    본 발명은 홀더몸체상에 분석을 위한 샘플을 고정하여 챔버내로 로딩시키도록 된 반도체 분석설비용 샘플 고정홀더에 있어서, 적어도 샘플(22)보다 작은 다수개의 관통구멍(24a)을 형성한 다공판(24)을 상기 홀더몸체(21)상에 고정나사(23)로 고정하여 각각의 관통구멍(24a)의 주연부가 샘플(22)의 가장자리부를 고정하도록 구성되고, 상기 다수개의 관통구멍(24a)은 회전중심위치인 중앙에 형성된 관통구멍(24a)을 기준으로 원주방향으로 다수개 배열형성되며, 상기 다공판(24)은 탄성을 갖는 금속재질로 제조된 것이다.
    따라서 다공판을 이용하여 한 번에 다수개의 샘플이 고정되고, 분석진행시 샘플간의 이동후에도 위치를 재조정할 필요가 없으며, 선택적 일렉트론 패스 형성이 필요없어 작업성이 향상되는 효과가 있다.

    포토리소그래피 공정에서의 오버레이 데이터 보정 방법
    9.
    发明公开
    포토리소그래피 공정에서의 오버레이 데이터 보정 방법 无效
    光刻工艺中的覆盖数据修正方法

    公开(公告)号:KR1019980021245A

    公开(公告)日:1998-06-25

    申请号:KR1019960040032

    申请日:1996-09-14

    Inventor: 한재성

    Abstract: 포토리소그래피 공정에서의 오버레이 데이터 보정 방법에 관하여 개시되어 있다. 본 발명에서는 도체 기판상의 2개의 위치에서 X축 성분 및 Y축 성분으로 이루어지는 오버레이 실측치 데이터를 측정하는 단계와, 상기 오버레이 실측치 데이터를 복수개 구하여 실측치 데이터군을 형성하는 단계와, 상기 실측치 데이터군의 X축 성분 및 Y축 성분에 대하여 각 파라미터를 이용하여, 원하는 보정 정도에 따라 각각 가중치를 부여하는 단계와, 상기 가중치가 부여된 새로운 데이터의 X축 성분 및 Y축 성분의 합으로부터 새로운 좌표계를 형성하는 단계와, 상기 새로운 좌표계의 평균치로부터 오버레이 보정 데이터를 구하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 포토리소그래피 공정에서 형성하고자 하는 패턴에 대하여 정확한 위치에서 노광을 행할 수 있도록 최적화된 오버레이 보정 데이터를 얻을 수 있다.

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