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公开(公告)号：KR100630090B1
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：KR1020000003509
申请日：2000-01-25
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/38
Abstract: 본 발명은 휴대폰의 표시부 위치 전환장치에 관한 것이다. 본 발명은 메인보드를 포함하는 본체와, 상기 메인보드와 전기적으로 연결되는 표시부를 갖는 폴더와, 상기 본체와 폴더를 기계적으로 연결시켜 상기 폴더를 상기 본체로부터 개폐시키도록 구비되는 힌지장치를 갖는 폴더형 휴대폰에 있어서, 상기 폴더에 소정의 크기를 갖고 형성되어 상기 표시부가 결합되는 구멍과, 상기 표시부의 일측면과 상기 표시부의 일측면에 접하는 상기 구멍의 내측 일면에 각각 형성되어 상기 표시부가 상기 구멍으로부터 회전되도록 장착되는 회동부를 포함하여 구성한다.
휴대폰, 표시부, 회동부-
公开(公告)号：KR100485749B1
公开(公告)日：2005-09-30
申请号：KR1019970057997
申请日：1997-11-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C03C3/00
Abstract: 광증폭 특성을 가지는 Ge-Ga-S계 유리 조성물(glass composition) 및 유리 조성물을 이용하는 통신용 광증폭 장치(laser amplifier of radiation)를 개시한다. 본 발명은, S의 함량이 GeS
2 -Ga
2 S
3 조성선 보다 부족하게 포함되는 Ge-Ga-S계 조성의 유리 기지(glass host) 및 유리 기지에 도핑(doping)되어 형광 및 광증폭 작용을 하는 희토류계 활성제(active material)를 가지는 유리 조성물을 포함한다. 이때, 유리 기지에는 대략 67 몰(mole)% 이하의 S 및 대략 10 몰% 이하의 Ga이 포함된다. 또한, 희토류계 활성제로는 Pr
3+ 이온을 이용한다. 더하여, 유리 기지의 안정적인 유리화(vitrification) 및 단파장 흡수단의 청색 이동의 작용을 위해서, Br 및 I 등과 같은 할로겐(halogen) 원소의 유리화 안정제를 유리 기지에 첨가시킨다. 또한, S의 함량이 GeS
2 -Ga
2 S
3 조성선 보다 부족하게 포함되는 Ge-Ga-S계 조성의 유리 기지 및 유리 기지에 도핑(doping)되어 광증폭 작용을 하는 희토류계 활성제를 포함하는 유리 조성물로 이루어지는 광섬유를 사용하는 광증폭 장치 등과 같은 광원 장치(light source)를 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020020004626A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：KR1020000038691
申请日：2000-07-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C03C3/253
CPC classification number: C03C3/323 , C03C13/044 , H01S3/1691 , H01S3/17
Abstract: PURPOSE: A preparation method of alkali halogen-added sulfide glass for optical amplifier is provided, which improves fluorescence lifetime of sulfide glass due to the decrease of multiphonon relaxation phenomenon by adding alkali halogen(CsBr or KBr) to Pr3+-doped Ge-Ga-S ternary system. CONSTITUTION: The preparation method of sulfide glass is as follows: filling starting materials comprising Ge-Ga-S/Ge-Ga-As-S, alkali halogen(CsBr or KBr) and Pr into a silica ample, where the composition of Ge-Ga-S is Ge0.25-Ga0.10-S0.65, Ge0.29-Ga0.05-S0.66 and Ge0.18-Ga0.18-S0.645, and the composition of Ge-Ga-As-S is Ge0.30-Ga0.02-As0.06-S0.62; sealing under vacuum; melting starting materials by heating the ample; cooling; and annealing at glass transition temperature for 1hr.
Abstract translation: 目的：提供一种用于光放大器的碱卤素添加硫化物玻璃的制备方法，通过向Pr3 +掺杂的Ge-Ga-Al合金中加入碱卤素（CsBr或KBr），可以改善硫化玻璃的荧光寿命， S三元系统。 构成：硫化玻璃的制备方法如下：将Ge-Ga-S / Ge-Ga-As-S，碱性卤素（CsBr或KBr）和Pr的原料填充到二氧化硅充分中，其中Ge- Ga-S是Ge0.25-Ga0.10-S0.65，Ge0.29-Ga0.05-S0.66和Ge0.18-Ga0.18-S0.645，Ge-Ga-As- S为Ge0.30-Ga0.02-As0.06-S0.62; 在真空下密封; 通过加热充足的原料熔化; 冷却; 并在玻璃化转变温度下退火1小时。
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公开(公告)号：KR1020000025573A
公开(公告)日：2000-05-06
申请号：KR1019980042714
申请日：1998-10-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02B6/00
CPC classification number: C03C13/044 , C03C3/323 , H01S3/06716
Abstract: PURPOSE: An optical fiber for optical amplifier is provided to provide an improved optical amplification efficiency by suppressing a grouping phenomenon of Pr+3 ions. CONSTITUTION: A rare-earth element is doped into a glass of Ge-Ga-S composition having less sulphur(S) than a composition of GeS2-Ga2S3. The rare-earth element is Pr+3. A halogen element of 0.1-10 atomic percent are more included with reference to the glass of Ge-Ga-S composition. The halogen element is bromine(Br) or iodine(I). The contents of Ga is less than 10 mole% and the contents of S is less than 70 mole%. The rare-earth element is doped together with an element selected from a group composed of Yb, Nd, Ho, Er, Tm, Cr, and Mn.
Abstract translation: 目的：提供光放大器的光纤，通过抑制Pr + 3离子的分组现象，提高光放大效率。 构成：将稀土元素掺杂到比GeS2-Ga2S3的组成更少的硫（S）的Ge-Ga-S组合物的玻璃中。 稀土元素是Pr + 3。 参考Ge-Ga-S组合物的玻璃更多地包括0.1-10原子％的卤素元素。 卤素元素是溴（Br）或碘（I）。 Ga的含量小于10摩尔％，S的含量小于70摩尔％。 稀土元素与选自由Yb，Nd，Ho，Er，Tm，Cr和Mn组成的组中的元素一起掺杂。
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公开(公告)号：KR100450323B1
公开(公告)日：2005-01-17
申请号：KR1019970057995
申请日：1997-11-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C03C3/00
Abstract: PURPOSE: Provided is a Ge-Ga-S-based glass composition for laser amplification which is improved in laser amplification efficiency by moving the center wavelength of the light laser amplified to the wavelength of 1,310 nm. CONSTITUTION: The glass composition comprises a Ge-Ga-S-based glass host containing a rare earth metal-based active material containing a Pr¬3+ ion which induces fluorescence and laser amplification; and a transition metal ion whose content is 0.01-0.2 mol% and which changes the distribution of laser amplification gain. Preferably the transition metal ion is a Cu¬+ ion.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100283954B1
公开(公告)日：2001-03-02
申请号：KR1019980042713
申请日：1998-10-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02B6/00
Abstract: 본 발명은 유리에 희토류 이온이 도핑되어 있는 광증폭기용 광섬유에 관한 것으로서, 상기 희토류 이온으로서 Pr
+3 이온과 Er
+3 이온을 함께 사용하고, 상기 유리가 불화물계 유리 또는 황화물계 유리인 것을 특징으로 한다. 본 발명의 광증폭기는 1.3㎛ 파장 대역과 1.55㎛ 파장 대역에 동시에 사용할 수 있다. 이 광증폭기는 종래의 Pr
+3 이온 함유 광섬유 증폭기나 또는 Er
+3 이온 함유 광섬유 증폭기를 사용한 경우에 비하여 광증폭 효율이 향상된다.-
公开(公告)号：KR1020000051293A
公开(公告)日：2000-08-16
申请号：KR1019990001647
申请日：1999-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C03C13/04
CPC classification number: C03C13/044 , H01S3/06716
Abstract: PURPOSE: An optical fiber for photo amplifier containing Dy¬+3 is provided which improves photo amplified efficiency in wavelength of 1.31 micrometer. The photo amplifier containing Dy¬+3 is minimized interaction between Dy¬+3 and base. CONSTITUTION: An optical fiber is doped Dy¬+3 to Ge-Ga-S glass containing 1-20mol% of alkali metal-halide to the Ge-Ga-S glass, or is doped Dy¬+3 to Ge-Ga-As-S glass containing contained 1-20mol% of alkali metal-halide to the Ge-Ga-As-S glass.
Abstract translation: 目的：提供一种含有Dy + 3光电放大器的光纤，可提高1.31微米波长的光放大效率。 含有Dy + 3的光电放大器是Dy + 3与碱之间的相互作用最小化。 构成：将光纤掺杂到Ge-Ga-S玻璃中含有1-20摩尔碱金属卤化物的Ge-Ga-S玻璃上的Dy +3，或掺杂Dy +3至Ge-Ga-As -S玻璃中含有1-20mol％的碱金属卤化物至Ge-Ga-As-S玻璃。
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公开(公告)号：KR1020000025572A
公开(公告)日：2000-05-06
申请号：KR1019980042713
申请日：1998-10-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02B6/00
CPC classification number: H01S3/06716 , C03C13/042 , C03C13/043 , H01S3/1608 , H01S3/1613 , H01S3/173
Abstract: PURPOSE: An optical fiber for optical amplifier is provided to use in a 1.3 micrometer wavelength band and in a 1.55 micrometer wavelength band simultaneously and to enhance an optical amplification efficiency by using Pr+3 ions and Er+3 ions together. CONSTITUTION: Pr+3 ions and Er+3 ions are used as dopants together. A glass is a fluoride glass or a sulfide glass. The sulfide glass is a Ge-As-Ga-S glass or a Ge-As-S glass. The fluoride glass contains Zr, Ba, La, Al and Na(ZBLAN). The weight ratio of the Pr+3 to the Er+3 ranges from 1: 1 to 1: 3. A laser having a wavelength incurring absorption of Er+3 ions is used as an excitation light source. The contents of the Pr+3 ions range from 100 to 1000 ppm and the sulfur(S) content of the Er+3 ions range from 100 to 1000 ppm.
Abstract translation: 目的：用于光放大器的光纤同时使用在1.3微米波长带和1.55微米波长带中，并通过使用Pr + 3离子和Er + 3离子来提高光放大效率。 构成：Pr + 3离子和Er + 3离子一起用作掺杂剂。 玻璃是氟化玻璃或硫化玻璃。 硫化物玻璃是Ge-As-Ga-S玻璃或Ge-As-S玻璃。 氟化物玻璃含有Zr，Ba，La，Al和Na（ZBLAN）。 Pr + 3与Er + 3的重量比范围为1：1〜1：3。使用具有Er + 3离子吸收的波长的激光器作为激发光源。 Pr + 3离子的含量范围为100〜1000ppm，Er + 3离子的硫（S）含量为100〜1000ppm。
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公开(公告)号：KR100605876B1
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：KR1019990029508
申请日：1999-07-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04B1/40
Abstract: 휴대폰의 보조 표시부를 통해 메시지 착신상태를 확인할 수 있는 휴대폰의 보조 표시부 구동 제어장치 및 방법에 관한 것이다. 상기 휴대폰의 보조 표시부 구동 제어장치는 상기 휴대폰의 소정의 위치에 장착되어 상기 휴대폰의 각종 동작상태를 나타내는 문자와 화상을 디스플레이하는 주 표시부와, 상기 휴대폰의 주 표시부와는 다른 위치에 장착되어 상기 주 표시부에 표시되는 각종 문자와 화상을 디스플레이하는 보조 표시부와, 상기 주 표시부와 보조 표시부로 각각 공급되는 표시부 구동 제어신호를 스위칭하는 표시부 스위칭부와, 상기 휴대폰에 메시지가 수신되는 상태라고 판단되면 상기 주 표시부와 보조 표시부에 디스플레이되는 정보를 미리 설정된 메시지 수신상태에 따라 선택하여 표시하도록 상기 표시부 스위칭부로 구동 제어신호를 공급하는 제어부를 포함하여 구성한다.
휴대폰, 주표시부, 보조 표시부-
公开(公告)号：KR1019990038329A
公开(公告)日：1999-06-05
申请号：KR1019970057997
申请日：1997-11-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C03C3/00
CPC classification number: H01S3/17 , C03C3/323 , H01S3/1603 , H01S3/1613
Abstract: 광증폭 특성을 가지는 Ge-Ga-S계 유리 조성물(glass composition) 및 유리 조성물을 이용하는 통신용 광증폭 장치(laser amplifier of radiation)를 개시한다. 본 발명은, S의 함량이 GeS
2 -Ga
2 S
3 조성선 보다 부족하게 포함되는 Ge-Ga-S계 조성의 유리 기지(glass host) 및 유리 기지에 도핑(doping)되어 형광 및 광증폭 작용을 하는 희토류계 활성제(active material)를 가지는 유리 조성물을 포함한다. 이때, 유리 기지에는 대략 67 몰(mole)% 이하의 S 및 대략 10 몰% 이하의 Ga이 포함된다. 또한, 희토류계 활성제로는 Pr
3+ 이온을 이용한다. 더하여, 유리 기지의 안정적인 유리화(vitrification) 및 단파장 흡수단의 청색 이동의 작용을 위해서, Br 및 I 등과 같은 할로겐(halogen) 원소의 유리화 안정제를 유리 기지에 첨가시킨다. 또한, S의 함량이 GeS
2 -Ga
2 S
3 조성선 보다 부족하게 포함되는 Ge-Ga-S계 조성의 유리 기지 및 유리 기지에 도핑(doping)되어 광증폭 작용을 하는 희토류계 활성제를 포함하는 유리 조성물로 이루어지는 광섬유를 사용하는 광증폭 장치 등과 같은 광원 장치(light source)를 포함한다.
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