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公开(公告)号：KR1020150110143A
公开(公告)日：2015-10-02
申请号：KR1020140034130
申请日：2014-03-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: G06T15/08
CPC classification number: G06T15/08 , G06T15/06 , G06T2210/41
Abstract: 본발명은볼륨렌더링장치및 그동작방법에관한것이다. 본발명의일 실시예에따른볼륨렌더링장치의동작방법은, 광선의경로에존재하는블록들의최대값에기초하여, 볼륨렌더링시작블록을결정하는단계, 상기시작블록을샘플링하여획득한제1 샘플링값들에기초하여, 상기광선의값을획득하는단계, 상기시작블록과나머지블록과의거리에기초하여, 상기나머지블록의처리순서를설정하는단계, 상기설정된순서에따라, 다음블록의최대값과상기광선의값을비교하여, 블록처리여부를결정하는단계및 상기다음블록의최대값이상기광선의값보다큰 경우, 상기다음블록을샘플링하여, 획득한제2 샘플링값들과상기광선의값을비교하여, 비교결과에따라, 상기광선의값을업데이트하는단계를포함하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 体绘制装置及其操作方法技术领域本发明涉及体绘制装置及其操作方法。 根据本发明的实施例，所述操作方法包括以下步骤：基于存在于光束的路径中的块的最大值来确定体绘制的开始块; 基于通过对开始块进行采样获得的第一采样值获得光束的值; 基于从起始块到剩余块的距离来设置剩余块的处理顺序; 通过根据所设定的顺序比较下一块的最大值和所述光束的值来确定是否处理所述块; 以及比较当下一个块的最大值大于波束的值时，通过对下一个块进行采样获得的第二采样值和波束的值，并根据比较结果更新波束的值。
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公开(公告)号：KR1020110127897A
公开(公告)日：2011-11-28
申请号：KR1020100047397
申请日：2010-05-20
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L21/02601 , H01L51/502 , H05B33/10 , H01L51/0003
Abstract: PURPOSE: A quantum dot light emitting device and a manufacturing method thereof are provided to reduce manufacturing costs by forming a quantum light emitting layer and a charge transport layer by a solution process. CONSTITUTION: An anode(210) is formed in the top of a substrate. A quantum light-emitting layer(230) is formed on the anode and a charge transport particle and a quantum dot are mixed. A cathode is formed on the quantum light-emitting layer. A charge transport particle is an oxide nano particle. The diameter of a quantum dot is 2nm to 20nm. An electron-transport layer(240a) is composed an N-type semiconductor nano particle and is formed on the quantum light-emitting layer.
Abstract translation: 目的：提供量子点发光器件及其制造方法，通过溶液法形成量子发光层和电荷输送层来降低制造成本。 构成：在衬底的顶部形成阳极（210）。 在阳极上形成量子发光层（230），电荷输送粒子和量子点混合。 在量子发光层上形成阴极。 电荷输送粒子是氧化物纳米粒子。 量子点的直径为2nm至20nm。 电子传输层（240a）由N型半导体纳米颗粒组成，并形成在量子发光层上。
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公开(公告)号：KR101641367B1
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：KR1020100047397
申请日：2010-05-20
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: B82Y20/00 , H01L21/02601 , H01L51/502 , H05B33/10
Abstract: 본발명은전하수송입자와양자점으로구성된양자발광층및 전하수송층을용액공정(Solution process)으로형성한양자점발광소자및 이의제조방법에관한것으로, 본발명에따른양자점발광소자는기판과; 상기기판상에형성된양극과; 상기양극상에형성되며전하수송입자와양자점이혼합된양자발광층; 및상기양자발광층상에형성된음극을포함하여이루어진다.
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公开(公告)号：KR101274068B1
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：KR1020100048569
申请日：2010-05-25
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H01L51/502 , H01L27/3244 , H01L51/5004 , H01L51/5036
Abstract: 본 발명은 역구조(inverted type)의 양자점 발광 소자를 적용하여, 용액 공정으로 진행하는 양자점 발광층의 형성 후 정공 수송층을 형성함으로써, 양자점 발광층으로의 유입이 용이한 정공 수송층 형성 재료의 선택이 자유로운 양자점 발광 소자 및 이를 이용한 디스플레이와 이들의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 양자점 발광 소자는 기판 상부에 형성된 음극;과, 상기 음극 상에 형성된 양자점 발광층; 및 상기 양자점 발광층 상에 형성된 양극을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1020110129121A
公开(公告)日：2011-12-01
申请号：KR1020100048569
申请日：2010-05-25
Applicant: 엘지디스플레이 주식회사 , 서울대학교산학협력단
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H01L51/502 , H01L27/3244 , H01L51/5004 , H01L51/5036
Abstract: PURPOSE: A quantum dot light emitting diode device and a display using the same are provided to prevent a hole-transport layer from being solved in a solution by forming the hole-transport layer after a liquid solution process for forming the quantum dot light emitting diode. CONSTITUTION: In a quantum dot light emitting diode device and a display using the same, a cathode(310) is formed on a substrate(300). A quantum dot light-emitting layer(330) is formed on the cathode. An anode(350) is formed on the quantum dot light-emitting layer. An electron-transport layer(320) is formed between the cathode and the quantum dot light-emitting layer. A hole-transport layer(340) is formed between the quantum dot light-emitting layer and the anode.
Abstract translation: 目的：提供量子点式发光二极管装置及使用其的显示器，以防止在用于形成量子点发光二极管的液体溶液处理之后通过形成空穴传输层而在溶液中溶解空穴传输层 。 构成：在量子点式发光二极管装置及使用其的显示器中，在基板（300）上形成阴极（310）。 在阴极上形成量子点发光层（330）。 在量子点发光层上形成阳极（350）。 在阴极和量子点发光层之间形成电子传输层（320）。 在量子点发光层和阳极之间形成空穴传输层（340）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101020893B1
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020090053501
申请日：2009-06-16
Applicant: 국립암센터 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 안구의 변위 측정 방법, 안구의 변위 측정 방법을 기록한 기록매체 및 안구의 변위 측정 장치를 제공한다. 안구의 변위 측정 방법은 안구의 변위 측정 방법에 있어서, 3차원 안구모델을 생성하는 단계, 안구를 포함하는 2차원 전안부 영상을 입력받는 단계, 전안부 영상의 각막반사점과 3차원 안구모델의 중심을 정합하는 단계, 3차원 안구모델의 동공을 전안부 영상의 동공에 정합하는 단계 및 3차원 안구모델의 동공 중심과 3차원 안구모델의 중심의 차이를 이용하여 전안부 영상에 포함되는 안구의 변위를 정량화하는 단계를 포함하여 구성될 수 있다. 따라서 안구의 변위를 빠르게 측정할 수 있다. 결국, 안과 전문의는 사시 환자에게 보다 정확하고 객관적인 데이터를 이용하여 치료할 수 있으며, 객관적인 데이터를 이용하여 보다 더 광범위한 사시 연구에 응용할 수 있을 것이다.
전안부, 안구모델, 사시, 각막반사점, 동공, 각도 거리(angle distance)-
公开(公告)号：KR1020100135055A
公开(公告)日：2010-12-24
申请号：KR1020090053501
申请日：2009-06-16
Applicant: 국립암센터 , 서울대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: It fasts and the linear variable displacement transducer of eyeball and the recording medium recording the displacement mesurement method of eyeball, and the displacement mesurement method of eyeball accurately measures the displacement of the eyeball. CONSTITUTION: A 3D eyeball model becomes(110). Two dimension anterior segments image including eyeball is inputted(120). The cornea reflective spot of the anterior segments image and center of 3D eyeball model are matched(130). The hollow of 3D eyeball model is matched in the hollow of the anterior segments image(140).
Abstract translation: 目的：使用眼球的线性可变位移传感器和记录眼球位移测量方法的记录介质，眼球位移测量方法准确测量眼球的位移。 构成：3D眼球模型变为（110）。 输入包括眼球的两维前段图像（120）。 3D眼球模型的前段图像和中心的角膜反射点匹配（130）。 3D眼球模型的中空在前段图像（140）的中空匹配。
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公开(公告)号：KR100372305B1
公开(公告)日：2003-06-02
申请号：KR1019950007104
申请日：1995-03-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
Abstract: PURPOSE: A thin film transistor substrate of a liquid crystal display and a method for fabricating the same are provided to reduce the number of photolithography processes using masks while improving the reliability of liquid crystal display. CONSTITUTION: A gate line(2) and pad are formed on a substrate(1). An anodized oxide layer(3) is formed on the substrate to cover the gate line and pad. An insulating layer(4) is formed on the substrate to cover the gate line and pad. An amorphous silicon layer(5) and N+ amorphous silicon layer(6) are sequentially formed on the insulating layer. A source/drain line(7) is formed on the N+ amorphous silicon layer. A passivation layer(8) is formed to cover the source/drain line and a pad. The insulating layer and passivation layer formed on the pad are simultaneously etched. A pixel electrode(9) is formed on the passivation layer.
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公开(公告)号：KR1019960035115A
公开(公告)日：1996-10-24
申请号：KR1019950007104
申请日：1995-03-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
Abstract: 이 발명은 액정디스플레이 박막트랜지스터 기판 제조방법에 관한 것이다.
박막트랜지스터 액정디스플레이 소자 제조시 마스킹 횟수를 줄이면서도 소자의 신뢰도를 높은 수율을 얻을 수 있고, 소오스/드레인 메탈 증착전 실시하는 불산 세정에서 2중 막에 의해 안전하게 보호받을 수 있으며, 보호막증착 후 ITO 패턴을 형성하기 때문에 ITO에칭액이 하부레이어인 게이트 라인에 침투되는 것을 방지할 수 있는, 게이트라인 및 패드를 형성 단계와; 전면 양극산화 단계와; 절연막을 형성 단계와; 액티브 패턴을 형성 단계와; 소오스/드레인 라인을 형성 단계와; 보호막을 형성 단계로 이루어진 액정디스플레이의 박막트랜지스터 기판의 제조방법에 있어서, 패드부에 형성되어 있는 산화막, 절연막, 보호막을 동시에 사진식각하는 것을 특징으로 하는 액정디스플레이의 박막트랜지스터 기판의 제조방법에 관한 것이다.-
公开(公告)号：KR1019970013122A
公开(公告)日：1997-03-29
申请号：KR1019950026039
申请日：1995-08-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/335
Abstract: 테이퍼 에칭(Taper Etching)된 반도체층을 갖는 박막 트랜지스터(TFT)의 제조방법에 관한 내용으로서, 베어 유리판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 위에 절연막을 적층하는 단계와, 상기 절연막 위에 플라즈마 화학 기상 성장을 이용하여 아몰퍼스 실리콘막과 N+ 아몰퍼스 실리콘막을 차례로 적층시켜 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 반도체층의 막질이 손상 또는 식각 되지 않게 하면서 포토레지스트컴을 제거하여, 상기 반도체층 형성시에 발생하는 실리콘 잔사를 완전히 제거하는 디스커밍 단계와, 상기 반도체층의 하부막인 절연층과 상기 반도체층의 고선택적 에칭에 의하여 절연막은 에칭이 일어나지 않게 오보에칭하여 에칭되는 경계면의 각도가 완만하게 하는 테이퍼 에칭 단계와 ; 상기 반도체층 위에 금속층을 적층시켜 소스와 드레인 전극을 형성시키는 단계로 이루어져 있다.
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