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公开(公告)号：KR101014007B1
公开(公告)日：2011-02-14
申请号：KR1020090107171
申请日：2009-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: B82B1/00 , B82B3/00 , B82Y15/00 , H01L29/775
Abstract: 환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브(CNT)를 제조하는 방법과 이러한 방법을 통하여 제조된 탄소 나노튜브 및 그를 포함하는 전기 소자를 개시한다. 환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브는 환원제 처리 조건을 변화시킴으로써 탄소 나노튜브의 도핑 정도와 띠 간격 등의 전자적 특성을 광범위하고 용이하게 조절할 수 있는 특징이 있다.
탈도핑, 탄소 나노튜브, 환원제-
公开(公告)号：KR1020090009422A
公开(公告)日：2009-01-23
申请号：KR1020070072673
申请日：2007-07-20
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B32/168 , H01L51/0048
Abstract: A carbon nanotube(CNT) in which electronic is injected is provided to control easily doping of the carbon nanotube and electrical property such as band-gap etc. by diversifying treatment condition of reducing agent. A carbon nanotube(CNT) in which electronic is injected is generated using a reducing agent, and p-type doped CNT, neutral doped CNT, n-type doped CNT and a mixture thereof. An optical extinction rate of S11/S22 is 0.5 or greater. The reducing agent is a metal hydride, an organic reduction solvent or a hydrogen gas. The metal hydride is a borohydride system or an aluminum hydride. The organic reduction solvent is a hydrazine(N2H4), a glycol or a diol solvent.
Abstract translation: 提供电子注入的碳纳米管（CNT），以通过使还原剂的处理条件多样化来控制碳纳米管的容易掺杂和带隙等电性能。 使用还原剂，p型掺杂CNT，中性掺杂CNT，n型掺杂CNT及其混合物来生成注入电子的碳纳米管（CNT）。 S11 / S22的光消光率为0.5以上。 还原剂是金属氢化物，有机还原溶剂或氢气。 金属氢化物是硼氢化物体系或氢化铝。 有机还原溶剂是肼（N 2 H 4），二醇或二醇溶剂。
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公开(公告)号：KR1020080082811A
公开(公告)日：2008-09-12
申请号：KR1020070023590
申请日：2007-03-09
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L31/022466 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174 , C01B2202/06 , C01B2202/28 , H01L31/1884 , H01L51/102 , H01L51/444 , Y02E10/542 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01J9/025 , H01J11/22
Abstract: A transparent electrode having a CNT(Carbon Nano Tube) and a method for manufacturing the transparent electrode are provided to improve electrical conductivity of the transparent electrode by increasing an amount of defects of the CNT. A transparent electrode includes a CNT, whose ID/IG value is greater than 0.25. The ID and IG are integration values on D and G bands, respectively, which are obtained by adopting a Raman spectroscopy. The ID/IG value of the CNT lies between 0.25 and 1.00. The CNT is a single-wall CNT, a thin multi-wall CNT, a multi-wall CNT, or a combination thereof. A mean length of the CNT lies between 0.1 and 500 mum. A solar cell includes a semiconductor electrode(10), an electrolyte layer(13), and a counter electrode(14).
Abstract translation: 提供具有CNT（碳纳米管）的透明电极和透明电极的制造方法，通过增加CNT的缺陷量来提高透明电极的导电性。 透明电极包括ID / IG值大于0.25的CNT。 ID和IG分别是通过采用拉曼光谱法获得的D和G带上的积分值。 CNT的ID / IG值在0.25和1.00之间。 CNT是单壁CNT，薄多壁CNT，多壁CNT或其组合。 CNT的平均长度在0.1和500μm之间。 太阳能电池包括半导体电极（10），电解质层（13）和对电极（14）。
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4.发明公开
公开(公告)号：KR1020090128708A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：KR1020080054588
申请日：2008-06-11
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L51/002 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/15 , G01N21/65 , H01L51/0048 , H01L51/0049
Abstract: PURPOSE: A carbon nanotube, a device containing the carbon nanotube, and a method for controlling the optical inter-band transition of the carbon nanotube are provided to improve the sensitivity and selectivity (purity) of a device. CONSTITUTION: A carbon nanotube is a p-doped carbon nanotube, wherein the carbon nanotube shows the optical inter-band transition in the VIS-NIR range, and only one optical inter-band transition appears at the corresponding p-doped state of the carbon nanotube. The carbon nanotube is p-doped by using an oxidant having a reduction potential of 0.8eV or more based on a standard hydrogen electrode. The carbon nanotube is p-doped by using an oxidant which is a metal salt or a nitronium compound.
Abstract translation: 目的：提供碳纳米管，含有碳纳米管的装置以及控制碳纳米管的光学带间转变的方法，以提高装置的灵敏度和选择性（纯度）。 构成：碳纳米管是p掺杂的碳纳米管，其中碳纳米管显示VIS-NIR范围内的光学带间转变，并且在碳的相应p掺杂状态下仅出现一个光学带间转变 纳米管。 通过使用基于标准氢电极的还原电位为0.8eV以上的氧化剂，对碳纳米管进行p掺杂。 通过使用作为金属盐或硝鎓化合物的氧化剂对碳纳米管进行p掺杂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100931962B1
公开(公告)日：2009-12-15
申请号：KR1020070072673
申请日：2007-07-20
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B32/168 , H01L51/0048
Abstract: 환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브(CNT)를 제조하는 방법과 이러한 방법을 통하여 제조된 탄소 나노튜브 및 그를 포함하는 전기 소자를 개시한다. 환원제를 이용하여 전자가 주입된 탄소 나노튜브는 환원제 처리 조건을 변화시킴으로써 탄소 나노튜브의 도핑 정도와 띠 간격 등의 전자적 특성을 광범위하고 용이하게 조절할 수 있는 특징이 있다.
탈도핑, 탄소 나노튜브, 환원제Abstract translation: 本发明公开了用于根据所述方法制造具有用还原剂处理的电子的碳纳米管（CNT）的制造方法，以及根据该方法制造的CNT和包含该CNT的电子器件的方法。 通过改变还原剂的处理条件，可以广泛且容易地调整电子注入其中的CNT的掺杂水平和带隙等电子特性。
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公开(公告)号：KR1020090119823A
公开(公告)日：2009-11-20
申请号：KR1020090107171
申请日：2009-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: B82B1/00 , B82B3/00 , B82Y15/00 , H01L29/775
Abstract: PURPOSE: A method for producing carbon nano tube by injecting an electron into a nano tube which is doped with p-type is provided. CONSTITUTION: A method for producing CNT(carbon nano tube) composition in which an electron is injected comprises: a step of reacting the CNT with a reductant to obtain the CNT in which an electron with more than 1 of S11/S22 optical extinction ratio is injected; a step of centrifuging the CNT from the reacted mixture. The reductant is selected from metal hydride, organic reduction solvent or hydrogen gas.
Abstract translation: 目的：提供一种通过向掺杂有p型的纳米管注入电子来生产碳纳米管的方法。 构成：其中注入电子的CNT（碳纳米管）组合物的制造方法包括：使CNT与还原剂反应的步骤，得到其中S11 / S22光消光比大于1的电子为 注射; 从反应混合物中离心CNT的步骤。 还原剂选自金属氢化物，有机还原溶剂或氢气。
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公开(公告)号：KR101638121B1
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020150012193
申请日：2015-01-26
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 기초과학연구원
CPC classification number: H01L21/02417 , H01L45/141
Abstract: 전이금속디칼코게나이드의제조방법및 제조장치에서, 제조방법은칼코게나이드기체를전이금속소스에제공하는단계및 상기칼코게나이드기체가제공된상태에서전이금속소스를가열하여, 결정구조를갖는전이금속디칼코게나이드를형성하는단계를포함한다. 이에따라, 대면적으로균일한전이금속디칼코게나이드를제조할수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种制造过渡金属二硫属元素化物的方法和装置。 该制造方法包括以下步骤：向过渡金属源提供二硫属化物气体; 并且在提供过渡金属源的同时加热过渡金属源，以形成具有晶体结构的过渡金属二硫属化物。 因此，可以制造具有均匀大面积的过渡金属二硫属化物。
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公开(公告)号：KR101669019B1
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：KR1020150021485
申请日：2015-02-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 기초과학연구원
IPC: C23C16/448 , C23C16/30
Abstract: 단일층텅스텐디칼코게나이드형성방법이개시된다. 단일층텅스텐디칼코게나이드형성방법은금박층및 상기금박층하부에배치되고상기금박층의면적에대응하는면적을가지며메타텅스텐산암모늄(ammonium metatungstate, AMT)을포함하는전구체용액이분무되어있는세라믹보트(ceramic boat)를화학기상증착(CVD) 챔버내에배치하는단계; 상기챔버내에황화수소(HS) 가스또는셀레늄화수소(HSe) 가스와질소(N) 가스를공급하는단계; 및상기금박층및 상기세라믹보트를가열하여상기금박층의하부면상에텅스텐디설파이드(Tungsten disulphide, WS) 또는텅스텐디셀레나이드(tungsten diselenide, WSe)으로이루어진단일층을형성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020160099258A
公开(公告)日：2016-08-22
申请号：KR1020150021485
申请日：2015-02-12
Applicant: 성균관대학교산학협력단 , 기초과학연구원
IPC: C23C16/448 , C23C16/30
CPC classification number: C23C16/4488 , C23C16/30
Abstract: 단일층텅스텐디칼코게나이드형성방법이개시된다. 단일층텅스텐디칼코게나이드형성방법은금박층및 상기금박층하부에배치되고상기금박층의면적에대응하는면적을가지며메타텅스텐산암모늄(ammonium metatungstate, AMT)을포함하는전구체용액이분무되어있는세라믹보트(ceramic boat)를화학기상증착(CVD) 챔버내에배치하는단계; 상기챔버내에황화수소(HS) 가스또는셀레늄화수소(HSe) 가스와질소(N) 가스를공급하는단계; 및상기금박층및 상기세라믹보트를가열하여상기금박층의하부면상에텅스텐디설파이드(Tungsten disulphide, WS) 또는텅스텐디셀레나이드(tungsten diselenide, WSe)으로이루어진단일층을형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了形成单层钨的二硫属元素的方法。 所述单层钨二硫属元素化合物形成方法包括：将配置有金叶层的前体溶液和偏钨酸铵（AMT）的陶瓷舟体配置在金叶层的下侧，并具有对应于 在化学气相沉积（CVD）室中喷涂金叶层; 向所述室供给硫化氢（H_2S）气体或者硒化钠（H_2Se）气体和氮气（N_2））气体的步骤; 以及通过加热金箔层和陶瓷舟，在金箔层的下侧上形成二硫化钨（WS_2）或二硒化钨（WSe_2）的单层的步骤。
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