公开(公告)号：KR1020110010323A

公开(公告)日：2011-02-01

申请号：KR1020090067826

申请日：2009-07-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 손경석 ,  권장연 ,  김형섭 ,  이후정 ,  문미란 ,  박경

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/04

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to reduce a leakage current by comprising a channel layer of a multi-layered film with different crystal grains. CONSTITUTION: A thin film transistor includes a gate, a gate insulation layer(130), a channel layer(140), a source, and a drain. The channel layer comprises a first oxide semiconductor layer and a second oxide semiconductor layer. The source and drain are contacted with both sides of the channel layer. The crystal grain of a first oxide semiconductor layer is relatively larger than the crystal grain of a second oxide semiconductor layer.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管及其制造方法，以通过包括具有不同晶粒的多层膜的沟道层来减少漏电流。 构成：薄膜晶体管包括栅极，栅极绝缘层（130），沟道层（140），源极和漏极。 沟道层包括第一氧化物半导体层和第二氧化物半导体层。 源极和漏极与沟道层的两侧接触。 第一氧化物半导体层的晶粒比第二氧化物半导体层的晶粒相对大。

公开(公告)号：KR101638978B1

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：KR1020090067826

申请日：2009-07-24

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  성균관대학교산학협력단

Inventor： 손경석 ,  권장연 ,  김형섭 ,  이후정 ,  문미란 ,  박경

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 박막트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 개시된박막트랜지스터는게이트; 게이트절연막; 제1산화물반도체층및 제2산화물반도체층을포함하는채널층; 상기채널층의양측에각각접촉형성된소스및 드레인;을포함하며, 상기제1산화물반도체층의결정립크기는상기제2산화물반도체층의결정립크기에비해상대적으로크다.