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公开(公告)号：KR1020150130256A
公开(公告)日：2015-11-23
申请号：KR1020150153256
申请日：2015-11-02
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/267 , H01L29/16 , H01L21/02 , H01L29/778
Abstract: 육방정계질화붕소시트(h-BN) 및그래핀시트의이종적층구조체, 이를채용한전기소자, 및이의제조방법이개시된다. 상기이종적층구조체는, 금속기판상에기상법으로대면적의 h-BN 시트를성장시킨후 순차적으로그래핀시트를기상법으로형성함으로써, 그래핀시트와 h-BN 시트사이에불순물이거의남아있지않는고품질의계면상태를가질수 있다. 이러한고품질의계면상태및 대면적을갖는 h-BN 및그래핀의이종적층구조체는 FET를포함하는다양한전기소자에활용할수 있다.
Abstract translation: 公开了石墨烯片和h-BN片的异质堆叠结构，采用其的电子装置及其制造方法。 通过在金属上形成大面积的h-BN片材之后，通过气相沉积法连续地形成石墨烯片，通过除去石墨烯片和h-BN片之间的杂质，具有高质量的界面状态 基板采用气相沉积法。 在包括FET的各种电气设备中使用具有大面积的石墨烯和h-BN的高质量的界面状态的异质堆叠结构。
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公开(公告)号：KR102222262B1
公开(公告)日：2021-03-04
申请号：KR1020130137885
申请日：2013-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L43/08 , H01L27/105
Abstract: 자기저항구조체및 그제조방법, 이를구비하는전자소자가개시된다. 개시된자기저항구조체제조방법은, 육방정계질화붕소층을형성하는단계와, 질화붕소층상에그래핀층을형성하는단계와, 인터칼레이션공정에의해질화붕소층과그래핀층사이에제1자성물질층을형성하는단계와, 그래핀층상에제2자성물질층을형성하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140114199A
公开(公告)日：2014-09-26
申请号：KR1020130028757
申请日：2013-03-18
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1606 , H01L21/02425 , H01L21/02458 , H01L21/02527 , H01L21/0262 , H01L29/267 , H01L29/778 , H01L29/7781
Abstract: Disclosed is a heterogeneous layered structure of a hexagonal boron nitride sheet (h-BN) and a graphene sheet, an electric device using the same, and a fabricating method thereof. The heterogeneous layered structure has a high quality interface state having few impurities between the h-BN sheet and the graphene sheet, by successively forming the graphene sheet with a vapor deposition method after a large-area h-BN sheet is grown on a metal substrate with a vapor deposition method. The heterogeneous layered structure of the h-BN and the graphene which has a high quality interface condition and a large area can be used for various electronic devices including a FET.
Abstract translation: 公开了六方氮化硼片（h-BN）和石墨烯片的异质层状结构，使用其的电子装置及其制造方法。 通过在大面积h-BN片材在金属基板上生长后，通过依次形成石墨烯片材，通过依次形成石墨烯片，异质层状结构具有h-BN片和石墨烯片之间杂质少的高质量界面状态 用气相沉积法。 具有高质量界面条件和大面积的h-BN和石墨烯的异质分层结构可用于包括FET的各种电子器件。
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公开(公告)号：KR1020150055688A
公开(公告)日：2015-05-22
申请号：KR1020130137885
申请日：2013-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L43/08 , H01L27/105
CPC classification number: G11C11/161 , G11C2213/35 , H01L27/22 , H01L27/222 , H01L43/08 , H01L43/12 , Y10T428/30
Abstract: 자기저항구조체및 그제조방법, 이를구비하는전자소자가개시된다. 개시된자기저항구조체제조방법은, 육방정계질화붕소층을형성하는단계와, 질화붕소층상에그래핀층을형성하는단계와, 인터칼레이션공정에의해질화붕소층과그래핀층사이에제1자성물질층을형성하는단계와, 그래핀층상에제2자성물질층을형성하는단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种磁阻结构及其制造方法以及包括该磁阻结构的电子装置。 所公开的制造磁阻结构的方法包括以下步骤：形成六方氮化硼层; 在氮化硼层上形成石墨烯层; 通过插层法在石墨烯层和氮化硼层之间形成第一磁性材料层; 以及在所述石墨烯层上形成第二磁性材料层。
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