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公开(公告)号:KR100617770B1
公开(公告)日:2006-08-28
申请号:KR1020030096679
申请日:2003-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H03M13/27
CPC classification number: H03M13/635 , H03M13/1194 , H03M13/29
Abstract: 본 발명은 반복 누적 기법과 천공 기법을 이용한 부호화 기술에 관한 것으로,부호기에 입력된 정보 비트들은 미리 정해진 반복 회수 만큼 반복되어 반복 비트 열을 형성하고, 상기 반복 비트 열은 인터리버에 의해 인터리빙 된 후 누적기에 의해 누적과정을 거쳐 일정한 길이의 누적 비트 열로 출력되고, 상기 누적기의 누적 비트 열은 상기 정보 비트들과 병렬/직렬 변환기를 통해 직렬 비트 열로 변환된 후 천공기에 의해 미리 정해진 천공 패턴에 따라 천공되어 요구되는 부호율의 코드워드가 생성된다.
반복누적부호, 비균일 반복누적부호, 천공기, 누적기-
公开(公告)号:KR1020050065790A
公开(公告)日:2005-06-30
申请号:KR1020030096679
申请日:2003-12-24
Applicant: 삼성전자주식회사 , 재단법인서울대학교산학협력재단
IPC: H03M13/27
CPC classification number: H03M13/635 , H03M13/1194 , H03M13/29
Abstract: 본 발명은 반복 누적 기법과 천공 기법을 이용한 부호화 기술에 관한 것으로,부호기에 입력된 정보 비트들은 미리 정해진 반복 회수 만큼 반복되어 반복 비트 열을 형성하고, 상기 반복 비트 열은 인터리버에 의해 인터리빙 된 후 누적기에 의해 누적과정을 거쳐 일정한 길이의 누적 비트 열로 출력되고, 상기 누적기의 누적 비트 열은 상기 정보 비트들과 병렬/직렬 변환기를 통해 직렬 비트 열로 변환된 후 천공기에 의해 미리 정해진 천공 패턴에 따라 천공되어 요구되는 부호율의 코드워드가 생성된다.
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