금속 산화물 전극 상에 전도성 고분자 피막을 형성하는 방법 및 이를 이용한 고체 전해 콘덴서의 제조방법
    1.
    发明授权
    금속 산화물 전극 상에 전도성 고분자 피막을 형성하는 방법 및 이를 이용한 고체 전해 콘덴서의 제조방법 失效
    在金属氧化物表面上制造导电聚合物涂层的方法和使用该技术的电解电容器器件

    公开(公告)号:KR100316085B1

    公开(公告)日:2001-12-12

    申请号:KR1019990040447

    申请日:1999-09-20

    Abstract: 금속산화물전극상에산화제를균일하게도포하고화학중합법으로균일한폴리피롤박막층을생성하고전기중합법으로폴리피롤을생성시켜서우수한임피던스특성과고신뢰도를나타내는탄탈및 알루미늄전해콘덴서를제조하는방법이개시되어있다. 본발명에따르면, 소정의화학식으로표현되는유기화합물들중 1종이상을이용하여금속산화물전극의표면을개질한후, 개질된금속산화물전극의표면에산화제를함침하여진공건조하고, 피롤, 아닐린또는티오펜이녹아있는용액과접촉시켜서전도성고분자를산화중합하여금속산화물전극상에전도성고분자피막을형성한다. 이와같이형성되는전도성고분자피막을이용하여전기중합법으로생성한전도성고분자층을음극으로사용하여고체전해콘덴서를제조한다.

    금속 산화물 전극 상에 전도성 고분자 피막을 형성하는 방법 및 이를 이용한 고체 전해 콘덴서의 제조방법
    2.
    发明公开
    금속 산화물 전극 상에 전도성 고분자 피막을 형성하는 방법 및 이를 이용한 고체 전해 콘덴서의 제조방법 失效
    将导电聚合物膜形成金属氧化物电极的方法和制造固体电解冷凝器的方法

    公开(公告)号:KR1020010028273A

    公开(公告)日:2001-04-06

    申请号:KR1019990040447

    申请日:1999-09-20

    CPC classification number: H01G9/025 H01G9/15

    Abstract: PURPOSE: A method for forming conductive polymer film onto metallic oxide electrode and method for manufacturing solid electrolytic condenser is provided to achieve a superior impedance characteristic and high reliability. CONSTITUTION: A metallic oxide electrode has a surface which is reformed by one of organic compounds which are expressed in the following four chemical formulas. Subsequently, an oxidant is impregnated to the surface of the reformed metallic oxide electrode, and the resultant structure is vacuum-dried and contacts the solution containing pyrrole, aniline or thiopen so as to oxygen-polymerize the conductive polymer.

    Abstract translation: 目的:提供一种在金属氧化物电极上形成导电聚合物膜的方法和用于制造固体电解电容器的方法,以实现优异的阻抗特性和高可靠性。 构成:金属氧化物电极具有由以下四种化学式表示的有机化合物之一重整的表面。 随后,将氧化剂浸渍到重整金属氧化物电极的表面,并将所得结构真空干燥,并与含有吡咯,苯胺或硫代萘的溶液接触,以使导电聚合物氧聚合。

    무기 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막
    4.
    发明申请
    무기 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막 审中-公开
    无机半导体墨水组合物和无机半导体薄膜使用其制造

    公开(公告)号:WO2012141535A2

    公开(公告)日:2012-10-18

    申请号:PCT/KR2012/002831

    申请日:2012-04-13

    Abstract: 본 발명은 무기 반도체 잉크 조성물 및 이를 통해 제조되는 무기 반도체 박막에 관한 것으로 상세하게는 산화아연 전구체 용액, 산화아연 나노입자 및 분산용매를 포함하고, 산화아연 전구체 용액에 대하여 산화아연 나노입자는 0.1 내지 50 중량%인 것을 특징으로 하는 무기 반도체 잉크 조성물을 제공한다. 본 발명에 따른 무기 반도체 잉크 조성물은 트랜지스터 소자의 채널 재료로 이용될 수 있고, 이에 따라 전기적 성능이 향상된 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다. 또한, 용액공정에 적합하여 박막으로의 제조가 용이하고 저온공정이 가능하며, 산화아연 전구체 용액 및 산화아연 나노입자가 혼합되어 조밀하고 균일한 박막을 제조할 수 있고, 이에 따라 신뢰도가 우수한 무기 박막 트랜지스터를 제조할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及无机半导体油墨组合物和通过使用它们制造的无机半导体薄膜。 特别地,无机半导体油墨组合物包括氧化锌前体溶液,氧化锌纳米颗粒和分散溶剂,其特征在于,氧化锌纳米颗粒的量为基于0.1重量%至50重量% 在氧化锌前体溶液上。 无机半导体油墨组合物可以用作晶体管器件的沟道材料,因此可以获得具有改进的性能的无机薄膜晶体管。 此外,由于组合物适用于液体工艺,因此制造薄膜容易,并且可以进行低温处理。 由于氧化锌前体溶液和氧化锌纳米颗粒混合,所以可以制造出紧凑且均匀的薄膜。 因此,可以获得具有良好可靠性的无机薄膜晶体管。

    사이클로트리포스파젠계 가교제 및 가소제를 함유하는 고분자 전해질 조성물
    5.
    发明申请
    사이클로트리포스파젠계 가교제 및 가소제를 함유하는 고분자 전해질 조성물 审中-公开
    含有环磷酰胺基交联剂和聚合物的聚合物电解质组合物

    公开(公告)号:WO2012148194A2

    公开(公告)日:2012-11-01

    申请号:PCT/KR2012/003250

    申请日:2012-04-26

    Abstract: 본 발명은 사이클로트리포스파젠계 가교제 및 가소제를 함유하는 semi- IPN(interpenetrating polymer network) 타입의 고체 고분자 전해질 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따른 가교제는 semi-IPN(Interpenetrating Polymer Network) 타 입의 3차원 망상구조를 형성시키고, 이를 포함하는 본 발명에 따른 고체 고분자 전 해질 조성물은, 낮은 온도에서도 가소제 측쇄의 에틸렌옥사이드기의 결정화를 저하 시킴으로써 이온전도도가 크게 향상될 뿐만 아니라, 전기화학적 및 열적 안정성이 우수하므로, 리튬-폴리머 이차전지, 염료감응형 태양전지, 연료전지 등의 고체 고 분자 전해질로 유용하게 사용할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及含有环三磷腈系交联剂和增塑剂的半IPN(互穿聚合物网络)型固体高分子电解质组合物。 由于根据本发明的交联剂形成半IPN(互穿聚合物网络)型三维网络结构,并且含有本发明的交联剂的固体高分子电解质组合物即使低浓度也降低了增塑剂侧链的环氧乙烷基团的结晶 温度,离子电导率显着提高。 此外,由于优异的电化学和热稳定性,本发明可以用作固体聚合物电解质如锂聚合物二次电池,染料敏化太阳能电池,燃料电池等。

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