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公开(公告)号：KR101568758B1
公开(公告)日：2015-11-13
申请号：KR1020140067724
申请日：2014-06-03
Applicant: 서강대학교산학협력단
Abstract: 이동하는물질의질량에따라공진주파수가변화하는원리를이용하여목적물의질량및 특성을측정할수 있는마이크로채널공진기제조방법은, 하부층(lower layer), 하부층의상부에제공되는중간층(middle layer), 및중간층의상부에제공되는상부실리콘층(upper silicon layer)을포함하는적층기판을제공하는단계; 상부실리콘층의내부소정깊이에이동하는물질이공진운동하기위한공동채널(cavity channel)을형성하는단계; 및공동채널의주변에대응하는상부실리콘층및 하부층을부분적으로제거하는단계;를포함하고, 상부실리콘층및 하부층을부분적으로제거함에따라, 공동채널을내부에포함하며, 적층기판에대해공진운동가능한중공형마이크로채널구조체(micro channel structure)가형성된다.
Abstract translation: 微通道谐振器的制造方法可以通过使用谐振频率根据移动材料的质量而变化的原理来测量目标的质量和特性。 该方法包括以下步骤：提供包括下层，设置在下层顶部的中间层和设置在中间层顶部的上硅层的层压基板; 形成用于在上硅层中以一定深度移动的材料的共振运动的腔通道; 并且部分地去除与所述腔通道的周围对应的上硅层和下层。 形成中空微通道结构，其中，上部硅层和下层被部分去除，其中包括腔内通道，并且能够朝层叠基板发出共振运动。
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公开(公告)号：KR101568761B1
公开(公告)日：2015-11-13
申请号：KR1020140082564
申请日：2014-07-02
Applicant: 서강대학교산학협력단
Abstract: 이동하는물질의질량에따라공진주파수가변화하는원리를이용하여목적물의질량및 특성을측정할수 있는미세채널공진기제조방법은, 실리콘기판을제공하는단계, 실리콘기판의내부에공동채널(cavity channel)을형성하는단계, 공동채널의내부벽면을산화시켜공동채널의내부벽면에중공형산화실리콘구조체를형성하는단계, 중공형산화실리콘구조체의내부벽면에중공형폴리실리콘구조체를형성하는단계, 및중공형폴리실리콘구조체가실리콘기판에대해공진운동가능하도록중공형폴리실리콘구조체의주변을선택적으로제거하는단계를포함하고, 중공형폴리실리콘구조체의주변을선택적으로제거함에따라잔류된중공형폴리실리콘구조체에의해이동하는물질이공진운동하기위한중공형미세채널구조체(fine channel structure)가제공된다.
Abstract translation: 本发明的微细谐振器的制造方法可以通过使用谐振频率根据移动材料的质量而变化的原理来测量目标的质量和特性。 该方法包括以下步骤：提供硅树脂基底; 在所述硅树脂衬底中形成空腔通道; 通过氧化空腔通道的内壁表面在空腔通道的内壁表面上形成中空的氧化硅结构; 在中空氧化硅结构的内壁表面上形成中空多晶硅结构; 并且选择性地去除用于中空多晶硅结构的中空多晶硅结构的周围，以能够朝向硅衬底进行共振运动。 提供了一种中空的精细通道结构，其允许由剩余的中空多晶硅结构移动的材料保留以进行谐振运动，因为围绕中空多晶硅结构的材料被选择性地去除。
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公开(公告)号：KR101509610B1
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020140027977
申请日：2014-03-10
Applicant: 서강대학교산학협력단
CPC classification number: B81B7/02 , B81B2201/03 , G01G9/00 , G01N33/00
Abstract: 이동하는물질의질량에따라공진주파수가변화하는원리를이용하여목적물의질량및 특성을측정할수 있는마이크로채널공진기제조방법은, 실리콘기판을제공하는단계, 실리콘기판의내부에공동채널(cavity channel)을형성하는단계, 공동채널의내부벽면을산화시켜공동채널의내부벽면에중공형마이크로채널구조체(micro channel structure)를형성하는단계, 및마이크로채널구조체가실리콘기판에대해공진운동가능하도록마이크로채널구조체의주변을부분적으로제거하는단계를포함한다.
Abstract translation: 微通道谐振器制造方法技术领域本发明涉及一种微通道谐振器制造方法，其能够通过使用谐振频率根据移动材料的质量而变化的原理来测量靶的质量和特征，其特征在于，包括：提供硅衬底的步骤; 在硅衬底内形成空腔通道的步骤; 通过氧化空腔通道的内壁侧在空腔通道的内壁侧上形成中空微通道结构的步骤; 以及为了使微通道结构对硅衬底进行共振运动，部分去除微通道结构附近的步骤。
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