公开(公告)号：KR101503175B1

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：KR1020130142569

申请日：2013-11-22

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 오세용 ,  송효범 ,  이애나 ,  노항덕

IPC: H01L51/05 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L51/055 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

Abstract: 본 발명은 블록공중합체의 자기조립 특성을 이용하여 게이트 전극의 오프닝 홀 사이즈를 현저하게 줄인 나노사이즈의 게이트 오프닝 홀을 구비하는 세로형 유기트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따르면 게이트 전극에 나노 사이즈의 오프닝 공간을 복수개형성할 수 있으므로 작은 전압을 인가하여도 효과적으로 전류의 흐름을 차단할 수 있다. 즉, 본 발명의 세로형 트랜지스터는 오프닝 사이즈가 30~40nm인 게이트 전극을 구비하므로 종래 공지된 유무기 트랜지스터에 비해 점멸비가 60~수백 배 이상 향상되었다.

Abstract translation: 本发明涉及一种垂直有机晶体管，其包括纳米尺寸的开口孔及其制造方法，其能够使用嵌段共聚物的自组装性显着降低栅电极的开孔尺寸。 根据本发明，通过在栅电极上形成多个纳米尺寸的开口空间，通过施加小电压来有效地阻止电流的流动。 也就是说，根据本发明的垂直晶体管通过包括具有30至40nm的开口尺寸的栅极电极而与现有的有机和无机晶体管相比，提高了60或几百倍的导通率。