公开(公告)号：KR100794570B1

公开(公告)日：2008-01-17

申请号：KR1020060031202

申请日：2006-04-06

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 오세용 ,  이창호 ,  이지영 ,  김희정 ,  황선각

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 세로형 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 종래의 가로형 유기 박막 트랜지스터와 달리, ITO 드레인 전극 및 Al 소스 전극 사이에 Al 게이트 전극이 위치하며, 상기 전극 사이에 각각 적층되는 유기 반도체 화합물로 이루어진 유기 활성층을 포함하는 바, 상기 전극 및 유기 활성층 전체를 세로방향으로 적층함으로써, 저전압으로 고효율을 얻을 수 있으며, 특히 발광특성을 갖는 고분자 발광층을 유기 반도체 화합물의 저부에 간단하게 적층하여 유기 발광소자를 제작할 수 있는 세로형 유기 박막 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
유기 박막 트랜지스터, 드레인 전극, 유기 활성층, 게이트 전극, 소스 전극, 세로형

公开(公告)号：KR1020070099883A

公开(公告)日：2007-10-10

申请号：KR1020060031202

申请日：2006-04-06

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 오세용 ,  이창호 ,  이지영 ,  김희정 ,  황선각

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L51/057 ,  H01L51/0562 ,  H01L51/5296

Abstract: A vertical type organic thin film transistor and a manufacturing method thereof are provided to obtain a short channel length and a high current characteristic. A vertical type organic thin film transistor includes an Al gate electrode(12), and organic active layers(11,13). The Al gate electrode(12) is placed between an ITO drain electrode(10) and an Al source electrode(14). The organic active layers(11,13) are made of an organic semiconductor compound, and are laminated between the electrodes(10,14). The organic semiconductor compound includes PTCDI C-8(N,N-Dioctyl-3,4,9,10-perylenetetracarboxylic diimide), F16CuPc(copper hexadecafluorophthalocyanine), NTCDA(1,4,5,8-naphtha-lenetetracarboxylic dianhydride), PTCDA(perylenetetracarboxylic dianhydride), and C60(fullerene).

Abstract translation: 提供了一种垂直型有机薄膜晶体管及其制造方法，以获得短沟道长度和高电流特性。 垂直型有机薄膜晶体管包括Al栅电极（12）和有机活性层（11,13）。 Al栅电极（12）位于ITO漏极（10）和Al源电极（14）之间。 有机活性层（11,13）由有机半导体化合物制成，层压在电极（10,14）之间。 有机半导体化合物包括PTCDI C-8（N，N-二辛基-3,4,9,10-苝四羧酸二酰亚胺），F16CuPc（十六氟酞菁铜），NTCDA（1,4,5,8-萘并 - 四烯酸二酐） PTCDA（苝四羧酸二酐）和C60（富勒烯）。