公开(公告)号：KR102032221B1

公开(公告)日：2019-10-16

申请号：KR1020150157129

申请日：2015-11-10

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 최우영 ,  전우영

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/73 ,  H01L29/10 ,  H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

公开(公告)号：KR1020170055031A

公开(公告)日：2017-05-19

申请号：KR1020150157129

申请日：2015-11-10

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 최우영 ,  전우영

IPC: H01L27/108 ,  H01L29/73 ,  H01L29/10 ,  H01L27/12 ,  H01L21/762 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 본발명은소스영역의하부에소스영역과반대타입이고드레인영역과동일한타입의불순물로하부소스영역을형성하고, 하부소스영역과드레인영역사이의바디영역하부에전위우물이형성되도록함으로써, MOSFET의구조를이용한 1T 디램셀 소자와같이바디영역에전위우물을가지면서, 동작은 TFET과같이할 수있게하는터널링전계효과트랜지스터를이용한 1T 디램셀 소자와그 제조방법및 이를이용한메모리어레이를제공한다.

Abstract translation: 本发明通过使形成在源区和下部的相反类型和漏区之间的底部体区的势阱，以形成下部源极区域具有相同的型下方源极区域的杂质和源极区的漏区时，MOSFET 在使用结构，其具有在主体区，所述势阱如1T二raemsel装置中，运行提供了1T二raemsel元件及其制造方法，并通过使用隧穿场效应晶体管，允许你做TFET的存储器阵列。