公开(公告)号：KR101064219B1

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：KR1020100046661

申请日：2010-05-18

Applicant: 서강대학교산학협력단

Inventor： 조일환 ,  최우영

IPC: H01L27/115

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L21/76205 ,  H01L45/085 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

Abstract: 본 발명은 PRAM 소자, PRAM 어레이 및 그 제조방법에 관한 것으로, 반도체 기판을 식각하여 트렌치를 형성하고, 상기 트렌치의 측벽 상에 측벽 게이트를 형성하여 수직형 채널 구조를 갖도록 함으로써, 스위칭 소자로 소모되는 면적을 최소화 하여 고집적이 가능함은 물론, 트렌치 양측 벽에 형성된 측벽 게이트 사이에 하부전극, 상변화 물질층 및 상부전극 순으로 순차 적층하며 채우게 됨으로써, 상변화 물질층을 자기 정렬로 원하는 두께로 용이하게 형성할 수 있는 효과가 있다.