저항 변화 메모리 소자
    1.
    发明授权
    저항 변화 메모리 소자 有权
    电阻随机存取存储器

    公开(公告)号:KR101675582B1

    公开(公告)日:2016-11-14

    申请号:KR1020150034210

    申请日:2015-03-12

    Inventor: 권덕황 김미영

    CPC classification number: H01L45/145 H01L27/115 H01L27/24 H01L45/1253

    Abstract: 본발명은제 1 전극, 제 2 전극및 상기제 1 전극과상기제 2 전극사이에형성되는금속산화물을포함하는저항변화메모리소자가제공된다. 구체적으로상기금속산화물은서로결정방향의차이를가지며경계영역을이루는제 1 결정립및 제 2 결정립을포함하고, 상기경계영역에는상기금속산화물의결정면중 결정학적으로산소로만이루어진면에해당되는면지수를가지는면이상기제 1 결정립및 상기제 2 결정립사이에개재되고, 상기경계영역은상기제 1 전극과상기제 2 전극간에전압이인가될경우전기전도가가능한경로가형성되는면인, 저항변화메모리소자가제공된다.

    Abstract translation: 提供一种电阻随机存取存储器件,包括:第一电极; 第二电极; 以及形成在第一电极和第二电极之间的金属氧化物。 特别地,提供一种电阻随机存取存储器件,其中金属氧化物包括在晶体取向上彼此不同并形成边界区域的第一晶粒和第二晶粒; 其中在所述边界区域中的第一晶粒和所述第二晶粒之间插入表面,所述表面具有对应于在所述金属氧化物的晶面中仅由氧构成的表面的表面指数; 并且其中所述边界区域是在所述第一电极和所述第二电极之间施加电压时形成导电路径的表面。

    저항 변화 메모리 소자
    2.
    发明公开
    저항 변화 메모리 소자 有权
    电阻随机存取存储器

    公开(公告)号:KR1020160109555A

    公开(公告)日:2016-09-21

    申请号:KR1020150034210

    申请日:2015-03-12

    Inventor: 권덕황 김미영

    Abstract: 본발명은제 1 전극, 제 2 전극및 상기제 1 전극과상기제 2 전극사이에형성되는금속산화물을포함하는저항변화메모리소자가제공된다. 구체적으로상기금속산화물은서로결정방향의차이를가지며경계영역을이루는제 1 결정립및 제 2 결정립을포함하고, 상기경계영역에는상기금속산화물의결정면중 결정학적으로산소로만이루어진면에해당되는면지수를가지는면이상기제 1 결정립및 상기제 2 결정립사이에개재되고, 상기경계영역은상기제 1 전극과상기제 2 전극간에전압이인가될경우전기전도가가능한경로가형성되는면인, 저항변화메모리소자가제공된다.

    Abstract translation: 本发明提供一种电阻随机存取存储器件,包括:第一电极; 第二电极; 形成在第一和第二电极之间的金属氧化物。 更具体地说,本发明提供一种电阻式随机存取存储器件,其包括具有不同晶体方向的第一晶粒和第二晶粒的金属氧化物,并形成边界区域。 在金属氧化物的晶体表面之中具有与仅由氧构成的表面相关的表面指数的表面插入在第一和第二晶粒之间。 边界区域是当在第一和第二电极之间施加电压时形成导电路径的表面。

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