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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101753762B1
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020150162833
申请日：2015-11-19
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은기사가만들어지는데필요한모든판단을기계가대체함으로써완벽하게자동화된기사생성시스템및 기사생성시스템이수행하는기사생성방법을구현하고자하는것으로서, 기사생성시스템이데이터를수집하여하나이상의이벤트를추출하는단계, 추출한하나이상의이벤트에가중치를부여하여적어도하나의중요이벤트를선정하고선정된중요이벤트의데이터해석을통하여기사의분위기(mood)를결정하는단계및 결정된기사의분위기에기초하여기사를생성하는단계를포함함으로써자동으로기사를생성하는방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明是实施第如何创建全部换成通过本文产生系统所需的判断由机器进行的一个故事，马金制成的全自动文章生成系统，和文章生成系统对一个或多个事件中收集数据 提取，通过将权重赋予一个或多个事件，所述制品的提取步骤和所确定的物品通过至少选择的重要的事件之一，并选择用于重要事件的数据分析，以确定该物品的气氛（情绪）的气氛的基础上 并通过包含生成步骤自动生成文章。
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公开(公告)号：KR101628956B1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：KR1020150032517
申请日：2015-03-09
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G06F17/3053
Abstract: 감정표현이가능한문장생성방법및 그장치가개시된다. 본발명에따른장치는입력받은문장의각 단어에대한품사를기초로각 단어별점수를부여하고, 문장에대한감정을기초로배치초기값과배치위치등을설정하고, 각단어별부여된점수를기초로선택된단어에적용할움직임효과를선택한후 선택된움직임효과를적용하면서문장을표시한다.
Abstract translation: 公开了一种用于产生情绪表达句子的方法及其装置。 根据本发明，该装置：基于每个单词的单词类，在输入的句子的每个单词中分配得分; 基于该句子的情绪设定排列初始值和排列位置;以及选择要应用于基于在每个单词中分配的得分所选择的单词的运动效果，然后将该句子显示为应用所选择的运动效果。 因此，可以通过允许改变句子的每个部分的运动来将该方法应用于计算机介导的通信等。
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公开(公告)号：KR1020170058785A
公开(公告)日：2017-05-29
申请号：KR1020150162833
申请日：2015-11-19
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은기사가만들어지는데필요한모든판단을기계가대체함으로써완벽하게자동화된기사생성시스템및 기사생성시스템이수행하는기사생성방법을구현하고자하는것으로서, 기사생성시스템이데이터를수집하여하나이상의이벤트를추출하는단계, 추출한하나이상의이벤트에가중치를부여하여적어도하나의중요이벤트를선정하고선정된중요이벤트의데이터해석을통하여기사의분위기(mood)를결정하는단계및 결정된기사의분위기에기초하여기사를생성하는단계를포함함으로써자동으로기사를생성하는방법에관한것이다.
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5.发明公开실리콘기반 AlGaN/GaN HEMT 소자의 더블덱 오버행 게이트 형성방법 无效D LE ATE ATE ATE ATE ATE ATE ATE ATE ATE ATE ATE ATE ATE ATE ATE ATE ATE ATE
公开(公告)号：KR1020150100575A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：KR1020150026312
申请日：2015-02-25
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/778 , H01L21/3065 , H01L21/78
Abstract: 본 발명은 실리콘기반 AlGaN/GaN HEMT 소자의 더블덱 오버행 게이트 형성방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 더블덱 오버행(Double-deck overhang) 게이트 공정을 이용하여 실리콘(Si) 기판 위에 성장된 AlGaN/GaN HEMT 소자의 전류감쇄현상을 개선하고 전력이득 차단주파수를 향상시킬 수 있는 방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시에에 따른 실리콘기반 AlGaN/GaN HEMT 소자의 더블덱 오버행 게이트 형성방법은, (a) 소스와 드레인이 이격되게 형성되고 그 사이의 SiNx 패시베이션층에 싱글덱 오버행 게이트가 형성된 표면에 포토레지스트를 평평하게 코팅한 후, O
2 플라즈마 애싱을 통해 되식각(ehch back)하여 상기 싱글덱 오버행 게이트 금속의 상부를 노출하는 단계와, (b) 상기 싱글덱 오버행 게이트 금속의 상부가 노출된 위에 서로 다른 감도를 가지는 감광막을 2중으로 코팅한 후 현상하여 더블덱 오버행 게이트 패턴을 형성하는 단계, 및 (c) 상기 더블덱 오버행 게이트 패턴 상에 게이트 금속을 증착하고, 리프트 오프(lift off) 공정을 통하여 2중 감광막을 제거하는 단계; 를 포함하여 구성된다.Abstract translation: 本发明涉及一种用于形成基于硅衬底的AlGaN / GaN HEMT器件的双层突出栅极的方法，更具体地说，涉及一种用于改善在GaN衬底上生长的AlGaN / GaN HEMT器件的电流衰减现象的方法 硅衬底使用双层突出浇口工艺，然后提高功率增益截止频率。 根据本发明的实施例的基于硅衬底的形成AlGaN / GaN HEMT器件的双层突出端口的方法包括以下步骤：（a）暴露单层突出栅极金属的上部 在形成源极和漏极的表面上平坦地涂覆光致抗蚀剂后，通过氧化物等离子体灰化进行回蚀，然后在源极和漏极之间的SiNx钝化层上形成单层突出栅极; （b）在单层悬垂栅极金属的暴露的上部上涂覆具有不同灵敏度的感光膜之后，通过显影形成双层突出端口图案; 和（c）在双层突出浇口图案上沉积栅极金属，并通过剥离工艺去除双光敏膜。
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