Patent search ap:("서울대학교산학협력단") AND inv:"김철" Page 1

1.

发明申请
배선 형성 방법 审中-公开

公开(公告)号：WO2022250410A1

公开(公告)日：2022-12-01

申请号：PCT/KR2022/007338

申请日：2022-05-24

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김철 , 강거산 , 이윤구 , 주영창

IPC: H01L21/768 , H01L21/285

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 의한 배선 형성 방법은 제 1 금속원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 준비하는 제 1 단계; 및 상기 제 1 금속원소를 도펀트로 함유하는 코발트 금속 모상을 열처리하여 상기 제 1 금속원소가 상기 코발트 금속 모상의 표면으로 확산되어 확산방지막을 형성하는 제 2 단계;를 포함한다.

Patent Agency Ranking