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    N-도핑된 그래핀 양자 시트, 및 이의 제조 방법
    2.
    发明授权
    N-도핑된 그래핀 양자 시트, 및 이의 제조 방법 有权
    N-DOPED GRAPHENE量子片及其原理方法

    公开(公告)号：KR101633688B1

    公开(公告)日：2016-06-27

    申请号：KR1020140072258

    申请日：2014-06-13

    Applicant: 서울대학교산학협력단

    Inventor： 홍병희 ,  문준희

    IPC: C01B31/04

    Abstract: 본원은, 화학기상증착법에의하여촉매층상에서형성된단층그래핀에질소플라즈마를인가하는것을포함하는 N-도핑된그래핀양자시트의제조방법, 및상기제조방법으로형성되어증가된결함부위및 증가된 N-도핑양을함유하는 N-도핑된그래핀양자시트를제공한다.

    N-도핑된 그래핀 양자 시트, 및 이의 제조 방법
    4.
    发明公开
    N-도핑된 그래핀 양자 시트, 및 이의 제조 방법 有权
    N-DOPED GRAPHENE QUANTUM SHEET，及其原理方法

    公开(公告)号：KR1020150143134A

    公开(公告)日：2015-12-23

    申请号：KR1020140072258

    申请日：2014-06-13

    Applicant: 서울대학교산학협력단

    Inventor： 홍병희 ,  문준희

    IPC: C01B31/04

    CPC classification number: C01B32/194 ,  C01B32/182 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/00

    Abstract: 본원은, 화학기상증착법에의하여촉매층상에서형성된단층그래핀에질소플라즈마를인가하는것을포함하는 N-도핑된그래핀양자시트의제조방법, 및상기제조방법으로형성되어증가된결함부위및 증가된 N-도핑양을함유하는 N-도핑된그래핀양자시트를제공한다.

    Abstract translation: 本发明提供了一种N掺杂石墨烯量子片的制造方法，包括通过化学气相沉积法将氮等离子体施加到形成在催化剂层上的单层石墨烯上; 并且通过用该制造方法形成含有增加的N掺杂量和缺陷区域的N掺杂石墨烯量子片。

    전극 물질 및 이의 제조 방법
    5.
    发明公开
    전극 물질 및 이의 제조 방법 审中-实审
    电极材料及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020170142344A

    公开(公告)日：2017-12-28

    申请号：KR1020160075636

    申请日：2016-06-17

    Applicant: 서울대학교산학협력단 ,  기초과학연구원

    Inventor： 홍병희 ,  성영은 ,  문준희 ,  박정진

    IPC: H01M4/36 ,  H01M4/58 ,  H01M4/62 ,  H01M10/052 ,  H01M10/054 ,  H01M10/056

    Abstract: 코어-쉘형태의전극물질로서, 상기코어는황 입자를포함하는것이고상기쉘은그래핀양자점및 카본블랙입자를포함하는것인전극물질; 상기전극물질의제조방법; 상기전극물질을캐소드활물질로서포함하는배터리; 및상기배터리의제조방법에관한것이다.

    Abstract translation: 核 - 壳形式的电极材料，所述核包含硫颗粒并且所述壳包含石墨烯量子点和炭黑颗粒; 一种制造电极材料的方法; 包含电极材料作为阴极活性材料的电池; 还有一种制造电池的方法。

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