-
公开(公告)号：KR1020160090034A
公开(公告)日：2016-07-29
申请号：KR1020150009790
申请日：2015-01-21
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: G11C29/12015 , G11C7/04 , G11C11/5678 , G11C29/023 , G11C29/50012 , G11C29/56012 , G11C2207/22
Abstract: 본발명은기판및 상기기판의적어도일면상에상변화물질의피막이형성된부재를승온시키면서상기기판의곡률변화를측정하는단계; 상기측정된곡률변화로부터상기상변화물질의결정화온도(Tx) 및과냉액상온도구역(Tx-Tg)을도출하는단계; 및상기결정화온도(Tx) 및상기과냉액상온도구역(Tx-Tg)을매핑하여세트시간및 데이터유지시간을예측하는단계;를포함하거나, 기판및 상기기판의적어도일면상에상변화물질의피막이형성된부재를승온시키면서상기기판의곡률변화를측정하는단계; 상기측정된곡률변화로부터상기상변화물질의결정화온도(Tx) 및프래질리티(fragility)를도출하는단계; 및상기결정화온도(Tx) 및상기프래질리티의역수를매핑하여세트시간및 데이터유지시간을예측하는단계;를포함하는, 상변화메모리소자의세트시간및 데이터유지시간의예측방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种用于预测相变存储器件的设定时间和数据保持时间的方法，包括以下步骤：测量衬底的曲率变化，同时提高衬底的温度和形成有膜的部件 在所述基板的至少一个表面上的相变材料; 从测量的曲率变化导出相变材料的结晶温度（Tx）和超冷却液体温度区域（Tx-Tg）; 并且通过将结晶温度（Tx）与超冷却液体温度区域（Tx-Tg）进行映射来预测设定时间和数据保留时间，或者包括以下步骤：在提高温度的同时测量衬底的曲率变化 以及在所述基板的至少一个表面上形成有相变材料的膜的部件; 从测量的曲率变化导出相变材料的结晶温度（Tx）和脆性; 并通过将结晶温度（Tx）映射到脆性的倒数来预测设定时间和数据保留时间。 本发明有助于评估相变存储器件的实时性能特性。
-
公开(公告)号：KR101650481B1
公开(公告)日：2016-08-23
申请号：KR1020150009790
申请日：2015-01-21
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은기판및 상기기판의적어도일면상에상변화물질의피막이형성된부재를승온시키면서상기기판의곡률변화를측정하는단계; 상기측정된곡률변화로부터상기상변화물질의결정화온도(Tx) 및과냉액상온도구역(Tx-Tg)을도출하는단계; 및상기결정화온도(Tx) 및상기과냉액상온도구역(Tx-Tg)을매핑하여세트시간및 데이터유지시간을예측하는단계;를포함하거나, 기판및 상기기판의적어도일면상에상변화물질의피막이형성된부재를승온시키면서상기기판의곡률변화를측정하는단계; 상기측정된곡률변화로부터상기상변화물질의결정화온도(Tx) 및프래질리티(fragility)를도출하는단계; 및상기결정화온도(Tx) 및상기프래질리티의역수를매핑하여세트시간및 데이터유지시간을예측하는단계;를포함하는, 상변화메모리소자의세트시간및 데이터유지시간의예측방법을제공한다.
-
Search Results
2
records
(took 0.02 seconds)
