Abstract:
뉴런 디바이스가 일반적으로 설명된다. 일 예시적인 뉴런 디바이스는 입력부, 시냅스부 및 출력부를 포함할 수 있다. 입력부는 복수의 입력 신호를 수신하도록 구성될 수 있다. 시냅스부는 입력부와 연결될 수 있고, 하나 이상의 시냅스 모듈을 포함할 수 있다. 하나 이상의 시냅스 모듈 각각은 직렬 연결된 복수의 시냅스 소자들을 포함할 수 있으며, 시분할 다중화 방식으로 동작하도록 구성될 수 있다. 각각의 시냅스 소자는 플로팅 게이트 MOSFET(Floating Gate Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)로 형성될 수 있으며, 특정의 계수 정보를 가질 수 있다. 하나 이상의 시냅스 모듈 각각에서, 직렬 연결된 복수의 시냅스 소자 중 하나는 입력부에 의하여 수신된 복수의 입력 신호 중 하나에 계수 정보를 적용하도록 구성될 수 있다. 출력부는 계수 정보가 적용된 복수의 입력 신호의 가중합을 구할 수 있으며, 이러한 가중합에 기초하여 출력 신호를 생성할 수 있다.
Abstract:
딥 뉴런 네트워크를 형성하도록 구성되는 뉴런 어레이가 일반적으로 설명된다. 뉴런 어레이는 어레이부, 제1 프로세싱부 및 제2 프로세싱부를 포함할 수 있다. 어레이부는 하나 이상의 행 및 하나 이상의 열로 배열되는 하나 이상의 시냅스 디바이스를 포함할 수 있다. 제1 프로세싱부는 어레이부에 결합되고, 어레이부로 행 입력 신호를 입력하고, 어레이부로부터 행 출력 신호를 수신하도록 구성될 수 있다. 제2 프로세싱부는 어레이부에 결합되고, 어레이부로 열 입력 신호를 입력하고, 어레이부로부터 열 출력 신호를 수신하도록 구성될 수 있다. 어레이부는 제1 어레이 값 및 제2 어레이 값을 포함하는 선택 가능한 복수의 어레이 값을 가질 수 있다. 제1 프로세싱부 또는 제2 프로세싱부가 제1 어레이 값을 선택한 어레이부로부터 제1 어레이 값에 기초한 출력 신호를 수신하고 어레이부가 제2 어레이 값을 선택한 경우, 제1 프로세싱부 또는 제2 프로세싱부는 출력 신호에 기초하여 생성된 입력 신호를 제2 어레이 값을 선택한 어레이부에 입력하도록 구성될 수 있다.
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딥뉴런네트워크를형성하도록구성되는뉴런어레이가일반적으로설명된다. 뉴런어레이는어레이부, 제1 프로세싱부및 제2 프로세싱부를포함할수 있다. 어레이부는하나이상의행 및하나이상의열로배열되는하나이상의시냅스디바이스를포함할수 있다. 제1 프로세싱부는어레이부에결합되고, 어레이부로행 입력신호를입력하고, 어레이부로부터행 출력신호를수신하도록구성될수 있다. 제2 프로세싱부는어레이부에결합되고, 어레이부로열 입력신호를입력하고, 어레이부로부터열 출력신호를수신하도록구성될수 있다. 어레이부는제1 어레이값 및제2 어레이값을포함하는선택가능한복수의어레이값을가질수 있다. 제1 프로세싱부또는제2 프로세싱부가제1 어레이값을선택한어레이부로부터제1 어레이값에기초한출력신호를수신하고어레이부가제2 어레이값을선택한경우, 제1 프로세싱부또는제2 프로세싱부는출력신호에기초하여생성된입력신호를제2 어레이값을선택한어레이부에입력하도록구성될수 있다.
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뉴런디바이스가일반적으로설명된다. 일예시적인뉴런디바이스는입력부, 시냅스부및 출력부를포함할수 있다. 입력부는복수의입력신호를수신하도록구성될수 있다. 시냅스부는입력부와연결될수 있고, 하나이상의시냅스모듈을포함할수 있다. 하나이상의시냅스모듈각각은직렬연결된복수의시냅스소자들을포함할수 있으며, 시분할다중화방식으로동작하도록구성될수 있다. 각각의시냅스소자는플로팅게이트 MOSFET(Floating Gate Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)로형성될수 있으며, 특정의계수정보를가질수 있다. 하나이상의시냅스모듈각각에서, 직렬연결된복수의시냅스소자중 하나는입력부에의하여수신된복수의입력신호중 하나에계수정보를적용하도록구성될수 있다. 출력부는계수정보가적용된복수의입력신호의가중합을구할수 있으며, 이러한가중합에기초하여출력신호를생성할수 있다.
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뉴런디바이스가일반적으로설명된다. 일예시적인뉴런디바이스는입력부, 시냅스부및 출력부를포함할수 있다. 입력부는복수의입력신호를수신하도록구성될수 있다. 시냅스부는입력부와연결될수 있고, 하나이상의시냅스모듈을포함할수 있다. 하나이상의시냅스모듈각각은직렬연결된복수의시냅스소자들을포함할수 있으며, 시분할다중화방식으로동작하도록구성될수 있다. 각각의시냅스소자는플로팅게이트 MOSFET(Floating Gate Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor)로형성될수 있으며, 특정의계수정보를가질수 있다. 하나이상의시냅스모듈각각에서, 직렬연결된복수의시냅스소자중 하나는입력부에의하여수신된복수의입력신호중 하나에계수정보를적용하도록구성될수 있다. 출력부는계수정보가적용된복수의입력신호의가중합을구할수 있으며, 이러한가중합에기초하여출력신호를생성할수 있다.