Abstract:
본 출원은 열플라즈마 제트에 탄소원(carbon source)을 주입하여 상기 탄소원을 열분해시켜 탄소 원자 빔(beam)을 형성하고, 상기 탄소 원자 빔을 애노드(anode)에 연결된 튜브 내로 흐르게 하여 그래핀 양자점을 제조하는 것을 포함하는, 열플라즈마를 이용한 그래핀 양자점의 제조 방법을 제공한다.
Abstract:
본 발명은 열플라즈마 화학기상증착법 (thermal plasma chemical vapor deposition)에 의한 그래핀(graphene)의 제조방법에 관한 것으로, 플라즈마 장치의 양극(anode) 끝에 긴 탄소봉을 부착하고, 봉에서 조금 떨어지게 흑연판을 수직하게 위치시킨 후, 열플라즈마의 고온을 이용하여 주입된 에탄올, 메탄 등의 액체나 기체 탄소원 물질을 열분해시켜 원자화하고, 열플라즈마 플레임에 편승되어 흐르는 탄소원자 빔을 긴 봉(tube)을 통과시키므로 빔의 에너지를 감소시킴과 동시에 빔을 안정화시키고 균일하게 만들어 흑연판에 충돌시켜 그래핀을 제조하는 것으로 구성되며; 탄소원 물질을 연속적으로 공급할 수 있기 때문에 그래핀을 연속 및 대량 생산하는 것이 가능하며, 그래핀이 흑연판의 표면구조(그래핀 구조)에 의한 적층성장(epitaxial growth)으로 합성되므로 고결정성을 갖는 순수한 그래핀 시트(sheet)를 제조할 수 있고, 주입하는 탄소원의 주입 속도를 조절하여 그래핀 시트의 층(layer) 수를 조절할 수 있으며, 양극(anode)에 부착된 봉과 흑연판 사이의 거리를 조절하여 그래핀의 크기를 조절할 수 있으며, 양극(anode)에 부착된 봉과 흑연판 사이의 간격을 일정하게 유지시키면서 긴 흑연판을 일정한 속도로 탄소원자 빔을 통과시켜 띠 모양의 긴 그래핀 시트를 제조할 수 있으며, 흑연판을 회전시키는 경우 회전 속도에 따라 그래핀 시트의 층수 조절이 가능하며, 흑연판을 빠른 속도로 회전시키는 경우 탄소원의 주입 속도를 증가시킬 수 있어 단위 시간 당 제조되는 그래핀의 양을 증가 시킬 수 있다. 그래핀 시트, 열플라즈마 화학기상증착, 탄소원자 빔
Abstract:
본 발명은 이산화티탄 나노튜브 막(membrane)을 이용한 염료감응태양전지 (dye-sensitized solar cell) 제조 방법에 관한 것으로, 티탄 기판을 양극산화(anodization) 시켜 제조한 이산화티탄 필름(film)을 티탄 기판에서부터 분리시킨 후 이온 식각으로 필름 바닥의 장벽층을 제거하여 이산화티탄 나노튜브 막으로 만든 후 나노튜브 채널 속에 이산화티탄 나노입자를 채운 후 투명전극에 부착시키고 사염화티탄으로 처리한 후 염료감응태양전지를 제조하는 것으로 구성되며; 이산화티탄 막의 나노튜브 채널에 이산화티탄 나노입자를 주입시키고 사염화티탄으로 처리하므로 이산화티탄 표면에 흡착되는 염료 분자의 개수를 증가시키고 이산화티탄 나노입자가 이산화티탄 나노튜브 표면에 접합되므로 전자의 전달이 향상되어 염료감응형 태양전지의 효율을 증가시킨다.
Abstract:
The present application relates to a graphene quantum dot manufacturing method using thermal plasma which forms a carbon atomic beam by injecting a carbon source into a thermal plasma jet and pyrolyzing the carbon source and manufactures a graphene quantum dot by making the carbon atomic beam flow inside a tube connected to an anode.
Abstract:
PURPOSE: A dye sensitized solar cell based on a titanium dioxide nano-tube film is provided to increase energy conversion efficiency by multiplying surface area in which dye molecule can be adsorbed. CONSTITUTION: A pure Ti substrate is firstly anodic oxidized and is annealed. The pure Ti substrate is secondly anodic oxidized and dipped in the hydroperoxide solution. A TiO2 nano-tube film exfoliates. A TiO2 nano-tube thin film(2) is formed by etching the bottom of the separated TiO2 nano-tube film. A TiO2 nano-particle(3) is injected in a channel of the TiO2 nano-tube thin film. The TiO2 nano-tube thin film is attached to a transparent electrode and is treated by using TiCl4. The TiO2 nano-tube thin film is heated in air. A solar cell is manufacture by adsorbing dye molecule to the TiO2 nano-tube thin film.
Abstract:
PURPOSE: A controllable graphene sheet manufacturing method using thermal plasma chemical vapor deposition is provided to consecutively make mass production of graphene by consecutively supplying carbon source material. CONSTITUTION: A controllable graphene sheet manufacturing method using thermal plasma chemical vapor deposition is as follows. A thermal plasma flame(6) of high temperature is forming by injecting plasma gas. A gaseous or liquid type carbon source material is inserted in the plasma flame. An atomized carbon atom is transferred to the thermal plasma flame to form a carbon atom beam flowing to the fast speed. A long rod is attached to an anode(4) by inserting the carbon atom beam to the rod to uniform the beam.