公开(公告)号：KR102102384B1

公开(公告)日：2020-04-20

申请号：KR1020180162103

申请日：2018-12-14

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 홍승훈 ,  조덕형 ,  신나래

IPC: G01Q60/24 ,  G01N21/25 ,  G01N21/17

公开(公告)号：KR1020170012868A

公开(公告)日：2017-02-03

申请号：KR1020160080240

申请日：2016-06-27

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 홍승훈 ,  박철환 ,  신나래 ,  조영탁 ,  유하늘

IPC: G01D21/00 ,  G01K7/01 ,  G01L1/20 ,  G01L5/00 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/027

Abstract: 본발명은탄소나노튜브와금속의융합구조를포함하는센서및 이의제조방법에관한것이며, 본발명의일 실시예에따른센서는실리콘(Si), 실리콘산화물(SiO2), 또는 PDMS(polydimethylsiloxane)를포함하는기판, 기판위의일부영역에접촉되도록형성되어있으며, 복수개의반도체성단일벽탄소나노튜브를포함하는탄소나노튜브층, 그리고탄소나노튜브층위에형성되어있으며, 복수개의반도체성단일벽탄소나노튜브와접촉하는금속층을포함한다.

公开(公告)号：KR101877979B1

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：KR1020160080240

申请日：2016-06-27

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 홍승훈 ,  박철환 ,  신나래 ,  조영탁 ,  유하늘

IPC: G01D21/00 ,  G01K7/01 ,  G01L1/20 ,  G01L5/00 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/027

Abstract: 본발명은탄소나노튜브와금속의융합구조를포함하는센서및 이의제조방법에관한것이며, 본발명의일 실시예에따른센서는실리콘(Si), 실리콘산화물(SiO2), 또는 PDMS(polydimethylsiloxane)를포함하는기판, 기판위의일부영역에접촉되도록형성되어있으며, 복수개의반도체성단일벽탄소나노튜브를포함하는탄소나노튜브층, 그리고탄소나노튜브층위에형성되어있으며, 복수개의반도체성단일벽탄소나노튜브와접촉하는금속층을포함한다.