公开(公告)号：KR1020100049990A

公开(公告)日：2010-05-13

申请号：KR1020080109060

申请日：2008-11-04

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김형준 ,  허명수 ,  양봉섭

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/458 ,  H01L29/4916

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor and a method for manufacturing the same are provided to include an active layer which can obtain a superior transistor feature. CONSTITUTION: An active layer(13a) is formed by an oxide including at least one of Sn, Al, Mg, and Ti. A gate conductive film(11a) is overlapped with at least part of the active layer through a gate insulating film arranged on the active layer. Source and drain electrodes(14a) are connected to both sides of the active layer separated by the gate conductive layer. A field effect thin film transistor has an upper gate structure.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管及其制造方法，以包括能获得优异晶体管特征的有源层。 构成：活性层（13a）由包含Sn，Al，Mg和Ti中的至少一种的氧化物形成。 栅极导电膜（11a）通过布置在有源层上的栅极绝缘膜与有源层的至少一部分重叠。 源极和漏极（14a）连接到由栅极导电层分开的有源层的两侧。 场效应薄膜晶体管具有上栅极结构。

公开(公告)号：KR101023338B1

公开(公告)日：2011-03-18

申请号：KR1020080109060

申请日：2008-11-04

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 김형준 ,  허명수 ,  양봉섭

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786

Abstract: 본 발명은 주석(Sn)과, 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 및 타이타늄(Ti) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물 박막을 이용한 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 박막 트랜지스터는 주석(Sn)과 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg) 및 타이타늄(Ti) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 산화물로 형성된 활성층; 상기 활성층 상에 배치되는 게이트 절연막을 통하여 상기 활성층의 적어도 일부와 중첩되는 게이트 도전막; 및 상기 게이트 도전막에 의해 이격된 상기 활성층의 양 측부들에 각각 접속되는 소오스 및 드레인 전극들을 포함한다.

公开(公告)号：KR1020100130019A

公开(公告)日：2010-12-10

申请号：KR1020090048665

申请日：2009-06-02

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 윤갑수 ,  양성훈 ,  이우근 ,  김형준 ,  허명수 ,  양봉섭

IPC: H01L21/203 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/203 ,  H01L21/28061 ,  H01L21/2855 ,  H01L27/124 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908

Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a metal oxide layer, a thin film transistor substrate thereof, and a manufacturing method thereof are provided to improve the surface roughness, charge mobility, and crystallization of a metal oxide layer by controlling chamber pressure. CONSTITUTION: A first metal oxide layer(11) is formed on a substrate(10). The first metal oxide layer has first charge mobility. A second metal oxide layer(12) is formed to be directly contacted on the first metal oxide layer. The second metal oxide layer has second charge mobility which is different from the first charge mobility.

Abstract translation: 目的：提供金属氧化物层的制造方法，其薄膜晶体管基板及其制造方法，通过控制室压力来提高金属氧化物层的表面粗糙度，电荷迁移率和结晶化。 构成：在基板（10）上形成第一金属氧化物层（11）。 第一金属氧化物层具有第一电荷迁移率。 形成第二金属氧化物层（12）以在第一金属氧化物层上直接接触。 第二金属氧化物层具有与第一电荷迁移率不同的第二电荷迁移率。