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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR101695737B1
公开(公告)日：2017-01-13
申请号：KR1020150157701
申请日：2015-11-10
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G06N3/063 , G11C11/54 , G06N3/06 , H01L27/115 , H01L29/792
CPC classification number: G11C11/54 , H01L27/11521 , H01L27/11568 , H01L29/0847 , H01L29/41733 , H01L29/41758 , H01L29/4234 , H01L29/78696 , H01L29/792
Abstract: 본발명은재구성가능한시냅스모방소자에관한것이다. 상기시냅스모방소자는, 기판위에전기적으로격리되어형성된제1 및제2 하부전극(BG1, BG2), 제1 하부전극의표면에적어도형성된제1 하부절연막스택, 제2 하부전극의표면에적어도형성된제2 하부절연막스택, 제1 및제2 하부전극의좌우에형성된제1, 제2 및제3 도핑영역, 상기제1 및제2 하부절연막스택위에형성된제1 및제2 반도체영역, 상기제1 및제2 반도체영역과제1, 제2, 제3 도핑영역위에형성된상부절연막스택, 상부절연막스택위에형성된상부전극(Top Gate)을구비한다. 본발명에따른시냅스모방소자는제1 및제2 하부전극과이들전극의표면에형성된전하저장층을포함하는하부절연막스택을이용하여특정시냅스모방소자를임의로억제또는흥분기능을갖도록재구성할 수있다.
Abstract translation: 提供了一种神经元装置，其包括形成在待分离的基板上的第一和第二下部电极，至少形成在第一和第二下部电极的相应表面上的第一和第二下部绝缘膜叠层，形成的第一，第二和第三掺杂区域 在第一和第二下部电极的左侧和右侧，形成在第一和第二下部绝缘膜堆叠上的第一和第二半导体区域，形成在第一和第二半导体区域上的上部绝缘膜堆叠，以及形成在第一和第二， 掺杂区域和形成在上绝缘膜堆叠上的上电极。 因此，通过使用包括形成在电极表面上的电荷存储层的第一和第二下部电极和下部绝缘膜堆叠，可以将指定的神经元装置重新配置为具有任意的抑制或兴奋性功能。
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公开(公告)号：KR1020160056816A
公开(公告)日：2016-05-20
申请号：KR1020150157701
申请日：2015-11-10
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: G06N3/063 , G11C11/54 , G06N3/06 , H01L27/115 , H01L29/792
CPC classification number: G11C11/54 , H01L27/11521 , H01L27/11568 , H01L29/0847 , H01L29/41733 , H01L29/41758 , H01L29/4234 , H01L29/78696 , H01L29/792
Abstract: 본발명은재구성가능한시냅스모방소자에관한것이다. 상기시냅스모방소자는, 기판위에전기적으로격리되어형성된제1 및제2 하부전극(BG1, BG2), 제1 하부전극의표면에적어도형성된제1 하부절연막스택, 제2 하부전극의표면에적어도형성된제2 하부절연막스택, 제1 및제2 하부전극의좌우에형성된제1, 제2 및제3 도핑영역, 상기제1 및제2 하부절연막스택위에형성된제1 및제2 반도체영역, 상기제1 및제2 반도체영역과제1, 제2, 제3 도핑영역위에형성된상부절연막스택, 상부절연막스택위에형성된상부전극(Top Gate)을구비한다. 본발명에따른시냅스모방소자는제1 및제2 하부전극과이들전극의표면에형성된전하저장층을포함하는하부절연막스택을이용하여특정시냅스모방소자를임의로억제또는흥분기능을갖도록재구성할 수있다.
Abstract translation: 本发明涉及可重构突触神经元装置。 突触神经元装置包括：形成在基板上以彼此电隔离的第一和第二下部电极（BG1，BG2）; 形成在所述第一下电极的至少一个表面上的第一下绝缘膜堆叠; 形成在所述第二下电极的至少一个表面上的第二下绝缘膜堆叠; 形成在第一和第二下部电极的左侧和右侧的第一，第二和第三掺杂区域; 形成在第一和第二下部绝缘膜叠层上的第一和第二半导体区域; 形成在第一和第二半导体区域以及第一，第二和第三掺杂区域上的上绝缘膜堆叠; 以及形成在上绝缘膜叠层上的上电极（顶栅）。 突触神经元装置允许通过使用第一和第二下部电极以及包括在第一和第二下部电极的表面上形成的电荷存储层的下部绝缘膜堆叠来随机地重新配置特定的突触神经元装置以执行抑制或兴奋性功能 电极。
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公开(公告)号：KR102224320B1
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：KR1020180150912
申请日：2018-11-29
Applicant: 서울대학교산학협력단
Abstract: 본발명은뉴런회로를이용한신경모방시스템에관한것이다. 상기신경모방시스템은, 시냅스어레이로부터입력되는신호들에따라발화신호를출력하도록구성된하나또는둘 이상의뉴런회로들; 각뉴런회로들에대한항상성회로들, 및상기뉴런회로들로부터출력되는발화신호를이용하여, 상기뉴런회로들에대한제어신호를생성하여제공하도록구성된중앙제어장치;를구비한다. 상기뉴런회로는, 뉴런모방소자및 상기뉴런모방소자의발화신호를출력하는출력회로를포함한다. 상기중앙제어장치는, 발화된뉴런회로의뉴런모방소자에는초기화신호를생성하여제공하고발화되지않는뉴런회로의뉴런모방소자에는측면억제신호를생성하여제공한다. 상기항상성회로는발화기능이우세한뉴런에의해다른뉴런들이억제되는것을완화시키게된다. 따라서, 본발명에따른신경모방시스템은뉴런의항상성 (homoeostasis) 기능과초기화 (reset) 및측면억제 (lateral inhibition) 기능을구현할수 있게된다.
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公开(公告)号：KR1020170138047A
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：KR1020170068262
申请日：2017-06-01
Applicant: 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L29/749 , G06N3/0445 , G06N3/0635 , H01L21/28282 , H01L27/1027 , H01L29/42308 , H01L29/42344 , H01L29/513 , H01L29/66833 , H01L29/7436 , H01L29/7855 , H01L29/792 , H03K3/012
Abstract: 본발명은뉴런모방소자및 이를이용한뉴런모방회로에관한것이다. 상기뉴런모방소자는기판상에 wall-shape 또는 dumbbell-shape으로형성된제1 반도체영역; 상기제1 반도체영역에순차적으로형성된제1, 제2, 제3, 제4 도핑영역; 상기제2 도핑영역의양 측면에각각형성된제1 및제2 게이트절연막스택; 제2 도핑영역의양 측면에각각위치하되, 제1 및제2 게이트절연막스택에의해제2 도핑영역과전기적으로절연된제1 및제2 게이트전극; 상기제1 및제4 도핑영역과각각전기적으로연결된제1 및제2 전극을구비한다. 본발명의뉴런모방소자는전하저장층을가지는게이트절연막스택을이용하여 integrate 기능을구현하고, 소자자체에서 positive feedback이일어나도록구성하여 fire 기능을하는회로를단순화시킴으로써, 저전력과고집적을달성한다.
Abstract translation: 本发明涉及神经元模拟元件和使用其的神经元模拟电路。 其中神经元模拟元件包括：第一半导体区域，在基板上形成为壁状或哑铃状; 第一，第二，第三和第四掺杂区，顺序地形成在第一半导体区中; 第一和第二栅极绝缘膜堆叠，形成在第二掺杂区域的两侧; 2，但位于所述掺杂区的两侧，前两个mitje第一mitje第二栅极与所述第二掺杂区域的释放和电绝缘的栅极堆叠绝缘电极; 第一和第二电极分别电连接到第一和第四掺杂区。 神经元通过使用具有电荷存储层实现整合功能，通过配置使得正反馈向上在装置本身简化为火功能的电路中，实现低功耗和高集成的栅极绝缘膜叠层模仿本发明的装置。
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