나노 기공을 가진 멤브레인의 제작 방법 및 이를 이용한 랩온어칩
    1.
    发明公开
    나노 기공을 가진 멤브레인의 제작 방법 및 이를 이용한 랩온어칩 无效
    用纳米孔和包括薄膜的薄片制造薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020110102652A

    公开(公告)日:2011-09-19

    申请号:KR1020100021775

    申请日:2010-03-11

    Abstract: 본 발명은 바이오칩을 포함하는 랩온어칩에서 사용되는 나노 기공을 가진 멤브레인을 제작하는 방법 및 이러한 멤브레인을 포함하는 랩온어칩에 관한 것이다. 특히, 나노 기공을 제작하는 과정에서 양극산화알루미늄을 이용하여 나노 기공을 형성시키고, 기공의 직경을 정밀하게 제어할 수 있도록 하고 균일한 기공을 제공하기 위한 공정을 더욱 포함하는 것을 특징으로 한다.

    셀 조작 전극 장치, 이의 제조 방법 및 셀 조작 방법
    2.
    发明公开
    셀 조작 전극 장치, 이의 제조 방법 및 셀 조작 방법 有权
    用于细胞操作的电极装置,用于细胞操作的电极装置的制造方法和用于细胞操作的方法

    公开(公告)号:KR1020120035272A

    公开(公告)日:2012-04-16

    申请号:KR1020100096655

    申请日:2010-10-05

    Abstract: PURPOSE: A cell manipulation electrode device and a manufacturing method and a cell manipulation method are provided to surround a dielectrophoresis available region having a hydrophilicity with a hydrophobicity guide member so that a cell which is a detecting object can be located within the dielectrophoresis available region in a process of evaporating a droplet. CONSTITUTION: A cell manipulation electrode device comprises a dielectrophoresis effective region and hydrophobic guide member(35). The hydrophobic guide member surrounds the dielectrophoresis effective region. The dielectrophoresis effective region includes an electrode pattern and region hydrophilic processed between electrode patterns. The electrode pattern generates a magnetic field. A connection unit(31a) and electrode layer are repeated so that the electrode pattern is formed. The connection unit maintains an electrical communication state with outside. The electrode layer comprises projections(31b,31c) formed to be repetitively projected in a long queue with a predetermined distance from the connection unit.

    Abstract translation: 目的:提供细胞操作电极装置及其制造方法和细胞操作方法,以包围具有与疏水性引导部件亲水性的介电电泳可用区域,使得作为检测对象的细胞可位于介电电泳可用区域内 蒸发液滴的过程。 构成:细胞操作电极装置包括介电电泳有效区域和疏水引导构件(35)。 疏水引导构件围绕介电电泳有效区域。 介电电泳有效区域包括电极图案和在电极图案之间亲水处理的区域。 电极图案产生磁场。 重复连接单元(31a)和电极层,从而形成电极图案。 连接单元与外部保持电气通信状态。 电极层包括形成为从连接单元预定距离重复地突出在长队列中的突起(31b,31c)。

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