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公开(公告)号：KR100961757B1
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020080004835
申请日：2008-01-16
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1872 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L31/077 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 광흡수층을 금속유도 측면 결정화(MILC) 방법을 이용하여 오염이 없는 다결정 실리콘을 형성하고, 얻어진 다결정 실리콘을 결정화 씨드로 사용하는 금속유도 수직 결정화(MIVC) 방법을 이용하여 그레인의 성장방향을 전자와 홀의 전송방향을 따라 수직방향으로 형성함에 의해 전자와 홀이 재결합하는 사이트로 작용하는 그레인 바운더리를 최소화하여 태양전지의 효율을 높일 수 있는 다결정 실리콘 태양전지의 광흡수층 제조방법, 이를 이용한 고효율 다결정 실리콘 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 광흡수층은 다결정 실리콘 태양전지의 광흡수층이 (a) 후면전극 상에 다결정 실리콘층을 형성하는 단계; (b) 상기 다결정 실리콘층 위에 진성 비정질 실리콘층을 형성하는 단계; 및 (c) 상기 기판을 열처리하여 상기 다결정 실리콘층을 결정화 씨드로 사용하여 진성 비정질 실리콘층을 금속유도 수직 결정화(MIVC)에 의해 수직방향으로 결정화하여 다결정 실리콘으로 이루어진 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하는 공정에 의해 제조된다.
MIC, MILC, MIVC, 다결정 실리콘, 재결합, 태양전지-
公开(公告)号：KR1020090078956A
公开(公告)日：2009-07-21
申请号：KR1020080004835
申请日：2008-01-16
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/1872 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L31/077 , H01L31/182 , Y02E10/546 , Y02P70/521
Abstract: A method for manufacturing a light-absorbing layer of a polycrystalline silicon solar cell, a high efficient polycrystalline silicon solar cell using the same, and a manufacturing method thereof are provided to enhance productivity by crystallizing simultaneously a plurality of sheets of substrates without damage at low temperature. A rear electrode(20) is formed on a transparent insulating substrate(10). An amorphous silicon layer is formed on the rear electrode. A plurality of catalytic metal patterns are formed in a constant interval on the amorphous silicon in order to perform a low temperature crystallization process. A first thermal process is performed to form the amorphous silicon under the catalytic metal patterns as polycrystalline silicon according to MIC(Metal Induced Crystallization). The exposed amorphous silicon is crystallized as the polycrystalline silicon according to MILC(Metal Induced Lateral Crystallization). A first conductive type polycrystalline silicon layer(30b) is formed by implanting a first conductive type impurity into the polycrystalline silicon. An intrinsic amorphous silicon layer is formed on the first conductive type polycrystalline silicon layer. A second conductive type impurity is implanted in the intrinsic amorphous silicon layer in the predetermined depth. A second thermal process is performed to crystallize the intrinsic amorphous silicon layer in a vertical direction according to MIVC(Metal Induced Vertical Crystallization). The intrinsic amorphous silicon layer is defined as a light-absorbing layer(90a) and a second conductive type polycrystalline silicon layer(100). A transparent electrode layer(130) is deposited on the second conductive type polycrystalline silicon layer. A front electrode(140) is formed on the transparent electrode layer. An anti-reflective coating layer(150) is formed to surround the front electrode and the transparent electrode layer.
Abstract translation: 提供一种多晶硅太阳能电池的光吸收层的制造方法，使用该多晶硅太阳能电池的高效多晶硅太阳能电池的制造方法及其制造方法，其通过同时结晶多片基板而在低温下不损坏地提高生产率 温度。 背面电极（20）形成在透明绝缘基板（10）上。 在后电极上形成非晶硅层。 为了进行低温结晶处理，在非晶硅上以恒定间隔形成多个催化金属图案。 根据MIC（金属诱导结晶），进行第一热处理以在催化金属图案下形成非晶硅作为多晶硅。 暴露的非晶硅根据MILC（金属诱导横向结晶）作为多晶硅结晶。 第一导电型多晶硅层（30b）通过将第一导电类型杂质注入到多晶硅中而形成。 本征非晶硅层形成在第一导电型多晶硅层上。 在本征非晶硅层中以预定深度注入第二导电型杂质。 根据MIVC（金属诱导垂直结晶），进行第二热处理以在垂直方向上结晶本征非晶硅层。 本征非晶硅层被定义为光吸收层（90a）和第二导电型多晶硅层（100）。 在第二导电型多晶硅层上沉积透明电极层（130）。 在透明电极层上形成前电极（140）。 形成防反射涂层（150）以包围前电极和透明电极层。
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公开(公告)号：KR100965778B1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：KR1020080004837
申请日：2008-01-16
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/03682 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L31/035281 , Y02E10/546
Abstract: 본 발명은 금속유도 결정화(MIC) 방법을 이용하여 오염이 없는 다결정 실리콘을 형성하고, 이를 결정화 씨드로 사용하는 금속유도 수직 결정화(MIVC) 방법에 의해 광흡수층의 그레인의 성장방향을 전자와 홀의 전송방향을 따라 수직방향으로 형성함에 의해 그레인 바운더리를 최소화하여 태양전지의 효율을 높일 수 있는 고효율 다결정 실리콘 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은, 투명 절연기판 위에 형성된 후면전극; 비정질 실리콘을 MIC에 의해 결정화되며 전자가 축적되는 n형 다결정 실리콘층; 다결정 실리콘을 결정화 씨드로 사용한 진성 비정질 실리콘층의 MIVC에 의해 수직방향으로 결정화되어 그레인이 입사된 광에 응답하여 전자-홀 쌍을 생성하며 생성된 전자와 홀의 이동경로를 따라 배열된 수직 컬럼 형태의 구조를 갖는 진성 다결정 실리콘으로 이루어지는 광흡수층; 상기 광흡수층과 동일한 방법으로 형성되어 동일한 수직 컬럼 형태의 그레인 구조를 가지며 홀이 축적되는 p형 다결정 실리콘층; 투명 전극층; 전면전극; 및 반사 방지 코팅막을 포함한다.
MIC, MIVC, 다결정 실리콘, 광흡수층, 재결합, 태양전지-
公开(公告)号：KR1020090078958A
公开(公告)日：2009-07-21
申请号：KR1020080004837
申请日：2008-01-16
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L31/04 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/03682 , H01L21/02532 , H01L21/02672 , H01L31/035281 , Y02E10/546
Abstract: A method for manufacturing a light-absorbing layer of a polycrystalline silicon solar cell, a high efficient polycrystalline silicon solar cell using the same, and a manufacturing method thereof are provided to form a solar cell having excellent characteristics by crystallizing an amorphous silicon thin film without causing metallic pollution. A polycrystalline silicon solar cell includes a rear electrode(20), an n-type polycrystalline silicon layer(30b), a light-absorbing layer(50a), a p-type polycrystalline silicon layer(60), a transparent electrode layer(70), a front electrode(80), and an anti-reflective coating layer(90). The rear electrode is formed on the transparent insulating substrate(10). The n-type polycrystalline silicon layer is formed on the rear electrode. In the n-type polycrystalline silicon layer, the amorphous silicon is crystallized by MIC(Metal Induced Crystallization). The electrons are accumulated in the n-type polycrystalline silicon layer. The light-absorbing layer is formed on the n-type polycrystalline silicon layer. The light-absorbing layer is formed with intrinsic polycrystalline silicon. The intrinsic polycrystalline silicon is used for generating electron-hole pairs by using a MIVC(Metal Induced Vertical Crystallization). The intrinsic polycrystalline silicon has a vertical column structure. The p-type polycrystalline silicon layer is formed on the light-absorbing layer. The p-type polycrystalline silicon layer has a grain structure of a vertical column type. The holes are accumulated in the p-type polycrystalline layer. The transparent electrode layer is formed on the p-type polycrystalline silicon layer. The front electrode is formed on the transparent electrode layer. The anti-reflective coating layer is formed to surround the front electrode and the transparent electrode layer.
Abstract translation: 提供一种多晶硅太阳能电池的光吸收层的制造方法，使用该多晶硅太阳能电池的高效多晶硅太阳能电池的制造方法及其制造方法，其通过使非晶硅薄膜结晶而形成具有优异特性的太阳能电池， 造成金属污染。 多晶硅太阳能电池包括后电极（20），n型多晶硅层（30b），光吸收层（50a），p型多晶硅层（60），透明电极层（70 ），前电极（80）和抗反射涂层（90）。 后电极形成在透明绝缘基板（10）上。 n型多晶硅层形成在后电极上。 在n型多晶硅层中，非晶硅通过MIC（金属诱导结晶）结晶。 电子积聚在n型多晶硅层中。 光吸收层形成在n型多晶硅层上。 光吸收层由本征多晶硅形成。 本征多晶硅用于通过使用MIVC（金属诱导垂直结晶）产生电子 - 空穴对。 本征多晶硅具有垂直的柱结构。 p型多晶硅层形成在光吸收层上。 p型多晶硅层具有垂直柱型的晶粒结构。 孔聚集在p型多晶层中。 透明电极层形成在p型多晶硅层上。 前电极形成在透明电极层上。 防反射涂层形成为包围前电极和透明电极层。
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