公开(公告)号：WO2019004683A1

公开(公告)日：2019-01-03

申请号：PCT/KR2018/007185

申请日：2018-06-25

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 정택동 ,  윤정세 ,  연송이

IPC: H01M8/22 ,  H01M8/2455 ,  A61N1/30 ,  A61M37/00

Abstract: 본 발명의 일 실시 형태에 따른 앙금 생성 반응을 이용한 역전기투석장치는, 교대로 설치된 양이온 교환막과 음이온 교환막을 통해 고체염 챔버 및 침전 챔버를 번갈아 형성하는 제1 셀 스택과 고체염 챔버에 채워지는 제1 수용성 고체염 및 제2 수용성 고체염을 포함하며, 제1 수용성 고체염 및 제2 수용성 고체염은, 고체염 챔버에 교대로 채워지며, 수분이 공급되면 상호 반응하여 이웃하는 침전 챔버에서 앙금을 생성할 수 있다.

公开(公告)号：KR102045816B1

公开(公告)日：2019-11-18

申请号：KR1020170082019

申请日：2017-06-28

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 정택동 ,  윤정세 ,  연송이

IPC: H01M8/22 ,  H01M8/2455 ,  A61N1/30 ,  A61M37/00