公开(公告)号：KR101697516B1

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：KR1020140113365

申请日：2014-08-28

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 이준식 ,  이창혁

IPC: H01L35/22 ,  C01B31/04 ,  H01L35/34

Abstract: 열전재료는실리콘이도핑된그래핀(graphene) 층을포함하며, 이때실리콘은그래핀층을구성하는탄소원자중 일부를치환하도록그래핀층 내에위치할수 있다. 이상과같이열전재료를구성함으로써, 그래핀의전기전도도및 제벡계수(Seebeck coefficient)를거의변화시키지않고열전도도만을큰 폭으로감소시킬수 있으며, 그결과열전성능지수(thermoelectric figure of merit; ZT)를형상시킬수 있다. 예컨대, 상기열전재료의열전도도는탄소원자만으로이루어진순수한그래핀의 1/100 이하일수 있다. 또한, 상기열전재료의열전성능지수는 2.0 이상일수도있다.

Abstract translation: 热电材料包括掺杂有硅的石墨烯层。 此时，硅可以位于石墨烯层中以代替石墨烯层的一些碳原子。 因此，几乎不改变石墨烯的电导率和参考系数，可以大大降低热导率。 结果，可以提高热电品质因数（ZT）。 例如，热电材料的热导率可以等于或小于由碳原子制成的纯石墨烯的1/100。 此外，热电材料的ZT可以等于或高于2.0。

公开(公告)号：KR1020160025900A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：KR1020140113365

申请日：2014-08-28

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 이준식 ,  이창혁

IPC: H01L35/22 ,  C01B31/04 ,  H01L35/34

CPC classification number: H01L35/22 ,  C01B32/20 ,  H01L35/34

Abstract: 열전재료는실리콘이도핑된그래핀(graphene) 층을포함하며, 이때실리콘은그래핀층을구성하는탄소원자중 일부를치환하도록그래핀층 내에위치할수 있다. 이상과같이열전재료를구성함으로써, 그래핀의전기전도도및 제벡계수(Seebeck coefficient)를거의변화시키지않고열전도도만을큰 폭으로감소시킬수 있으며, 그결과열전성능지수(thermoelectric figure of merit; ZT)를형상시킬수 있다. 예컨대, 상기열전재료의열전도도는탄소원자만으로이루어진순수한그래핀의 1/100 이하일수 있다. 또한, 상기열전재료의열전성능지수는 2.0 이상일수도있다.

Abstract translation: 热电材料包括掺杂有硅的石墨烯层。 此时，硅可以位于石墨烯层中以代替石墨烯层的一些碳原子。 因此，几乎不改变石墨烯的电导率和参考系数，可以大大降低热导率。 结果，可以提高热电品质因数（ZT）。 例如，热电材料的热导率可以等于或小于由碳原子制成的纯石墨烯的1/100。 此外，热电材料的ZT可以等于或高于2.0。