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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2016036156A1
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：PCT/KR2015/009284
申请日：2015-09-03
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/861
CPC classification number: H01L29/861
Abstract: 본 발명은 PN 접합 다이오드, 트랜지스터 백투백 다이오드(transistor-back-to-back diode) 등의 다른 다이오드에 비해 제조 비용을 절감할 수 있고, 공정안정성, 내구성, 전기적 특성이 우수하며, 산업에서 널리 쓰이는 박막 공정으로 제작이 용이한 신규한 구조의 다이오드에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种新型结构的二极管，与具有优异的工艺稳定性，耐久性和电气特性的其它二极管（例如PN结二极管和晶体管 - 背对背二极管）相比，能够降低制造成本， 并且通过使用在工业中广泛使用的薄膜工艺具有简单的制造。
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公开(公告)号：KR102168574B1
公开(公告)日：2020-10-21
申请号：KR1020190001081
申请日：2019-01-04
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L21/02 , H01L29/786
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公开(公告)号：KR1020160097428A
公开(公告)日：2016-08-18
申请号：KR1020150018623
申请日：2015-02-06
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/786 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L21/324 , H01L2924/13069
Abstract: 본발명은종래의산화물박막트랜지스터에비해월등하게모빌리티가증가되어투명디스플레이, 특히대면적디스플레이에적용할수 있는고성능산화물박막트랜지스터의제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有高性能的氧化物薄膜晶体管的制造方法，与现有氧化物薄膜晶体管相比具有特别增加的迁移率。 因此，具有高性能的氧化物薄膜晶体管能够应用于透明显示器，具体地应用于大尺寸显示器。 具有高性能的氧化物薄膜晶体管的制造方法包括：在手套箱中用氧化物绝缘体溶液涂布基板的步骤，并在100-300℃的温度下预热基板; 在100〜600℃的温度下在15〜80％的湿度下加热基板的步骤，并将其冷却以形成氧化物绝缘体薄膜; 以及在手套箱中用氧化物半导体溶液涂覆氧化物绝缘体薄膜并加热该氧化物绝缘体薄膜以形成氧化物半导体薄膜的步骤。
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公开(公告)号：KR1020170027904A
公开(公告)日：2017-03-13
申请号：KR1020150124055
申请日：2015-09-02
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/861 , H01L21/04 , H01L21/28
Abstract: 본발명은 PN 접합다이오드, 트랜지스터백투백다이오드(transistor-back-to-back diode) 등의다른다이오드에비해제조비용을절감할수 있고, 공정안정성, 내구성, 전기적특성이우수하며, 산업에서널리쓰이는박막공정으로제작이용이한신규한구조의다이오드에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020160029930A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：KR1020140118800
申请日：2014-09-05
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: H01L29/86
Abstract: 본발명은 PN 접합다이오드, 트랜지스터백투백다이오드등의다른다이오드에비해제조비용을절감할수 있고고성능이며, 투명디스플레이에적용될수 있는신규한구조의투명다이오드에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种具有新颖结构的透明二极管，与其它二极管（例如PN结二极管，晶体管背对背二极管等）相比可降低制造成本。 透明二极管具有高性能，可应用于透明显示器。 透明二极管包括：阳极基板; 正极基板上的绝缘层; 绝缘层上的半导体层; 以及半导体层上的阴极电极。
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