뇌 자극을 통한 기억 향상 방법 및 장치

    公开(公告)号:KR1020180084700A

    公开(公告)日:2018-07-25

    申请号:KR1020180081784

    申请日:2018-07-13

    Abstract: 본발명의뇌 자극에기반한기억향상을위해수행되는전자장치의방법은, (a)전자장치가대상체뇌의전기자극을위한신호를출력하고, 상기전기자극을위한신호에대응되는상기대상체의뇌 피질영역의신경신호를입력받고뇌 반응활성화정도를판단하는단계, (b)상기전자장치가상기뇌 반응활성화정도에기반하여적어도하나의뇌 피질타깃영역을선택하는단계, (c)상기전자장치가상기뇌 피질타깃영역으로부터자극물에의한상기대상체의일반뇌 반응신호를입력받는단계, (d)상기전자장치가상기뇌 피질타깃영역을위한뇌 활성화유도전기자극용신호를출력하고, 상기유도전기자극용신호에대응되는상기대상체의뇌 반응신호를입력받는단계, (e)상기전자장치가입력받은상기뇌 반응신호의변화를측정하고, 뇌활동변화여부를판단하는단계, (f)상기전자장치가상기뇌 반응신호의형태적또는시기적특징점(feature)을도출하고, 상기대상체의기억능력을평가하는단계를포함하고, 상기 (f)단계는, (f1)상기전자장치가측정용샘플신호별로뇌 반응신호를검출하는단계, (f2)상기전자장치가뇌의타깃영역별샘플신호별로특징점을산출하는단계, (f3)상기전자장치가샘플신호및 타깃영역을선택하는단계, (f4)상기전자장치가선택된샘플신호의기억정확도를산출하는단계를포함할수 있다.

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