-
公开(公告)号:KR101367373B1
公开(公告)日:2014-03-14
申请号:KR1020120010385
申请日:2012-02-01
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: C23C16/52 , C23C16/452 , C23C16/455
Abstract: 본 발명의 일실시예에 따른 박막 증착 장치는 내부에 기판이 장입되는 챔버; 상기 챔버 내에 반응 가스를 공급하는 가스 공급 장치; 상기 반응 가스 중 적어도 일부를 해리시켜 결정성 나노 입자를 형성하는 에너지원; 및 상기 기판 상부에 개폐 가능하게 설치되며, 상기 반응 가스 및 상기 에너지원으로부터 방출되는 열 중 적어도 하나를 기판에 대해 차단하는 기판 차단부;를 포함하며,상기 기판 차단부는 상기 기판에 박막이 증착되는 시간을 지연시키기 위하여 기판을 개폐 시키는 동작이 시간에 의존하여 행해진다.
-
公开(公告)号:KR1020130089042A
公开(公告)日:2013-08-09
申请号:KR1020120010385
申请日:2012-02-01
Applicant: 서울대학교산학협력단
IPC: C23C16/52 , C23C16/452 , C23C16/455
Abstract: PURPOSE: An apparatus for manufacturing a thin film is provided to improve the resistivity of the film in a manufacturing process and to deposit the high-grade crystalline thin film. CONSTITUTION: An apparatus for manufacturing a thin film includes a chamber (110), a reaction gas feeding unit (120), an energy source, and a substrate blocking part (160a). A substrate is inserted inside the chamber. The gas feeding unit feeds a reaction gas inside the chamber. The energy source dissociates at least the part of the reaction gas in order to form crystalline nanoparticles. The substrate blocking part at the upper side of the substrate opens or closes the substrate, and blocks heat from the reaction gas and the energy source against the substrate. The substrate blocking part opens and closes the substrate depending on time.
Abstract translation: 目的:提供一种用于制造薄膜的装置,以提高薄膜在制造过程中的电阻率并沉积高级晶体薄膜。 构成:用于制造薄膜的装置包括室(110),反应气体供给单元(120),能量源和基板阻挡部(160a)。 衬底插入腔室内。 气体供给单元将反应气体供给到室内。 能量源至少解离反应气体的一部分以形成结晶纳米颗粒。 衬底上侧的衬底阻挡部件打开或关闭衬底,并且阻止来自反应气体和能源的热量抵靠衬底。 衬底阻挡部分根据时间打开和闭合衬底。
-