Abstract:
본 기술에 의한 반도체 장치는 탐지 신호에 따라 입력 신호를 감지하여 생성된 제 1 신호를 판독하여 판독 신호를 생성하는 판독 회로; 및 상기 입력 신호를 감지하여 생성된 제 2 신호에 따라 상기 탐지 신호를 생성하는 탐지 회로를 포함하되, 상기 판독 회로는 상기 탐지 신호가 활성화된 경우에 활성화되고 상기 탐지 신호가 비활성화된 경우 비활성화된다.
Abstract:
본 기술에 의한 멤스 장치는 제 1 기판; 유체의 움직임에 대응하는 전기 신호를 출력하는 멤스 트랜스듀서를 포함하며 제 1 기판상에 장착되는 멤스 트랜스듀서 패키지; 및 제 1 기판상에 장착되며 멤스 트랜스듀서로부터 전달된 전기 신호를 처리하는 반도체 칩을 포함한다.
Abstract:
본 기술에 의한 아날로그 디지털 변환기는 입력 전압을 기준 전압과 비교하는 제 1 비교기; 제 1 노드의 전압을 공통 전압과 비교하는 제 2 비교기; 제 1 노드에 일단이 연결된 다수의 커패시터를 포함하는 커패시터 어레이; 다수의 커패시터의 타단을 제어하는 다수의 스위치를 포함하는 스위치 어레이; 제 1 비교기와 제 2 비교기의 출력에 따라 스위치 어레이를 제어하는 제어부; 및 샘플링 신호에 따라 입력 전압을 제 1 노드에 제공하는 샘플링 스위치를 포함한다.
Abstract:
본 발명은 신호 보간부와 시그마-델타 변조부를 이용하여 적은 수의 비교기로 높은 SN 비를 얻을 수 있는 양자화 장치, 이를 포함하는 ADC 및 이를 이용한 양자화 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 양자화 장치, ADC 및 양자화 방법은 양자화 에러를 감소시키고 노이즈 쉐이핑 차수를 증가시킨다.
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본 발명은 신호 보간부와 시그마-델타 변조부를 이용하여 적은 수의 비교기로 높은 SN 비를 얻을 수 있는 양자화 장치, 이를 포함하는 ADC 및 이를 이용한 양자화 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 양자화 장치, ADC 및 양자화 방법은 양자화 에러를 감소시키고 노이즈 쉐이핑 차수를 증가시킨다.