公开(公告)号：KR102230653B1

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：KR1020130169391A

申请日：2013-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 김현석 ,  한승우 ,  류명관 ,  박준석 ,  손경석

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/36

Abstract: 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법이 개시된다. 개시된 박막 트랜지스터는 채널층이 게이트 전극과 상대적으로 가까운 제 1영역과 상대적으로 거리가 먼 제 2영역을 포함할 수 있으며, 채널층을 구성하는 물질 중 적어도 하나는 제 1영역보다 제 2영역에서의 농도가 더 클 수 있다. 채널층은 아연(Zn) 및 불소(F)를 포함할 수 있으며, 제 2영역에서의 불소의 농도가 제 1영역에서의 불소의 농도보다 클 수 있다.

公开(公告)号：KR1020150079274A

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：KR1020130169391

申请日：2013-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 김현석 ,  한승우 ,  류명관 ,  박준석 ,  손경석

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78696 ,  H01L29/36

Abstract: 박막트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 개시된박막트랜지스터는채널층이게이트전극과상대적으로가까운제 1영역과상대적으로거리가먼 제 2영역을포함할수 있으며, 채널층을구성하는물질중 적어도하나는제 1영역보다제 2영역에서의농도가더 클수 있다. 채널층은아연(Zn) 및불소(F)를포함할수 있으며, 제 2영역에서의불소의농도가제 1영역에서의불소의농도보다클 수있다.

Abstract translation: 公开了一种薄膜晶体管及其制造方法。 所公开的薄膜晶体管包括其中沟道区域相对靠近栅电极的第一区域和沟道层相对于栅电极相对较远的第二区域。 形成沟道层的至少一种材料能够在第二区域中具有比在第一区域中更大的浓度。 通道层能够含有锌（Zn）和氟（F）。 第二区域的氟浓度能够比第一区域的氟浓度大。

公开(公告)号：KR1020150005064A

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：KR1020130078315

申请日：2013-07-04

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 남기태 ,  진경석 ,  박지민 ,  한승우 ,  이주희

IPC: C07F13/00 ,  C07F15/06

Abstract: 망간 포스페이트 하이드레이트 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 망간 포스페이트 하이드레이트는, Mn
3
-
y X
y (PO
4 )
2 ·zH
2 O의 화학식을 가지며, 상기 화학식에서 X는 Co, Cu, Ni, Ca, Sr, Sc, Zn, Ba, Mg, Fe 및 K 중에서 선택된 하나 이상을 포함하고, y는 0 내지 3 범위의 수(0≤y＜3)이고, z는 2 내지 4 범위의 수(2≤z≤4)이다. 상기 망간 포스페이트 하이드레이트 제조 방법은, 망간 이온 공급 물질을 포함하는 양이온 수용액을 형성하는 단계, 포스페이트 이온 공급 물질을 포함하는 음이온 수용액을 형성하는 단계, 및 상기 양이온 수용액과 상기 음이온 수용액을 혼합하여 혼합 용액을 형성하는 단계를 포함한다.

Abstract translation: 磷酸锰水合物及其制造方法技术领域本发明涉及磷酸锰水合物及其制造方法。 磷酸锰水合物具有Mn_3-yX_y（PO_4）_2·zH_2O的化学式。 在化学式中，X含有选自Co，Cu，Ni，Ca，Sr，Sc，Zn，Ba，Mg，Fe和K中的至少一种; 0 <= Y <3; 和2 <= z <= 4。 磷酸锰水合物的制造方法包括：形成含锰供给材料的阳离子水溶液的工序; 形成含有磷酸盐供给材料的阴离子水溶液的工序; 以及通过混合阳离子水溶液和阴离子水溶液形成混合溶液的步骤。

公开(公告)号：KR102230653B1

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：KR1020130169391

申请日：2013-12-31

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 김현석 ,  한승우 ,  류명관 ,  박준석 ,  손경석

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/36 ,  H01L21/336

Abstract: 박막트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 개시된박막트랜지스터는채널층이게이트전극과상대적으로가까운제 1영역과상대적으로거리가먼 제 2영역을포함할수 있으며, 채널층을구성하는물질중 적어도하나는제 1영역보다제 2영역에서의농도가더 클수 있다. 채널층은아연(Zn) 및불소(F)를포함할수 있으며, 제 2영역에서의불소의농도가제 1영역에서의불소의농도보다클 수있다.

公开(公告)号：KR101493160B1

公开(公告)日：2015-02-13

申请号：KR1020130078315

申请日：2013-07-04

Applicant: 서울대학교산학협력단

Inventor： 남기태 ,  진경석 ,  박지민 ,  한승우 ,  이주희

IPC: C07F13/00 ,  C07F15/06

Abstract: 망간 포스페이트 하이드레이트 및 그 제조 방법이 제공된다. 상기 망간 포스페이트 하이드레이트는, Mn
3
-
y X
y (PO
4 )
2 ·zH
2 O의 화학식을 가지며, 상기 화학식에서 X는 Co, Cu, Ni, Ca, Sr, Sc, Zn, Ba, Mg, Fe 및 K 중에서 선택된 하나 이상을 포함하고, y는 0 내지 3 범위의 수(0≤y＜3)이고, z는 2 내지 4 범위의 수(2≤z≤4)이다. 상기 망간 포스페이트 하이드레이트 제조 방법은, 망간 이온 공급 물질을 포함하는 양이온 수용액을 형성하는 단계, 포스페이트 이온 공급 물질을 포함하는 음이온 수용액을 형성하는 단계, 및 상기 양이온 수용액과 상기 음이온 수용액을 혼합하여 혼합 용액을 형성하는 단계를 포함한다.

公开(公告)号：KR1020140050993A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：KR1020120117503

申请日：2012-10-22

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  서울대학교산학협력단

Inventor： 류명관 ,  손경석 ,  한승우

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/24 ,  H01L29/78696

Abstract: The present invention relates to a Zn compound semiconductor and a thin film transistor comprising the same. According to an embodiment of the present invention, the Zn compound semiconductor and the thin film transistor comprising the same include a Zn compound. The Zn compound semiconductor comprises Zn and nitrogen. According to an embodiment of the present invention, the Zn compound semiconductor comprises a Cl-added Zn oxynitride.

Abstract translation: 本发明涉及一种Zn化合物半导体及包括该化合物半导体的薄膜晶体管。 根据本发明的一个实施方案，Zn化合物半导体和包含该化合物半导体的薄膜晶体管包括Zn化合物。 Zn化合物半导体包含Zn和氮。 根据本发明的一个实施方案，Zn化合物半导体包括加入Cl的氮氧化锌。