탄소나노튜브 채널을 이용한 수은 이온 검지용 센서의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 감응성이 향상된 수은 이온 검지용 센서
    1.
    发明授权
    탄소나노튜브 채널을 이용한 수은 이온 검지용 센서의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 감응성이 향상된 수은 이온 검지용 센서 有权
    使用碳纳米管通道和汞离子检测传感器制备汞离子检测传感器的方法,灵敏度提高

    公开(公告)号:KR101160303B1

    公开(公告)日:2012-06-28

    申请号:KR1020090061199

    申请日:2009-07-06

    Inventor: 홍승훈 이민백

    Abstract: 탄소나노튜브 채널을 이용한 수은 이온 검지용 센서의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 감응성이 향상된 수은 이온 검지용 센서에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 고체 기판 위에 소수성 분자막을 패터닝하여 탄소나노튜브의 채널 폭이 100 - 400 ㎚ 범위인 기판을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 제조된 기판을 탄소나노튜브가 분산된 용액에 담궈, 소수성 분자막이 패터닝되지 않은 탄소나노튜브 채널에 탄소나노튜브를 증착시키는 단계(단계 2); 및 상기 단계 2에서 제조된 기판에 전극을 증착시키는 단계(단계 3)를 포함하는 탄소나노튜브 채널을 이용한 수은 이온 검지용 센서의 제조방법을 제공한다. 본 발명에 따른 탄소나노튜브 채널을 이용한 수은 이온 검지용 센서의 제조방법은 표면 유도 조립 방법(Surface Programmed Assembly)을 이용하여 탄소나노튜브 채널의 제조방법이 간단하고, 그물망처럼 얽힌 탄소나노튜브 채널을 제공하여 탄소나노튜브 채널의 전기적 특성(즉, 저항, 컨덕턴스, 트랜스 컨덕턴스)이 향상되므로, 뛰어난 감응성을 요하는 수은 이온 검지용 센서에 유용하게 사용할 수 있다.
    탄소나노튜브, 소수성 분자막, 센서, 표면 유도 조립 방법, 감응성

    탄소나노튜브 채널을 이용한 수은 이온 검지용 센서의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 감응성이 향상된 수은 이온 검지용 센서
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:KR1020110003762A

    公开(公告)日:2011-01-13

    申请号:KR1020090061199

    申请日:2009-07-06

    Inventor: 홍승훈 이민백

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a sensor using a carbon nanotube channel is provided to improve sensitivity of a sensor using a carbon nanotube through a surface programmed assembly. CONSTITUTION: A method for manufacturing a sensor using a carbon nanotube channel comprises the steps of: patterning a hydrophobic molecular film on a solid surface to manufacture a substrate with 100-400nm of channel width of the carbon nanotube; dipping the substrate in the solution in which the carbon nanotube is dispersed to deposit the carbon nanotube on the carbon nanotube channel in which the hydrophobic molecule film is not patterned; and depositing an electrode on the substrate.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用碳纳米管通道制造传感器的方法,以通过表面编程组件提高使用碳纳米管的传感器的灵敏度。 构成:使用碳纳米管通道制造传感器的方法包括以下步骤:在固体表面上图案化疏水分子膜,以制造具有100-400nm的碳纳米管通道宽度的基板; 将基板浸渍在其中分散有碳纳米管的溶液中以将碳纳米管沉积在疏水性分子膜未图案化的碳纳米管通道上; 以及在所述衬底上沉积电极。

Patent Agency Ranking