-
公开(公告)号：KR101921152B1
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：KR1020170010581
申请日：2017-01-23
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 기초과학연구원
Inventor： 현택환 , 카란세크하르닐라드리
Abstract: 본발명은양자수율이우수한형광성금 나노클러스터제조방법및 이에의해제조된형광성금 나노클러스터에관한것이다. 더욱상세하게는아연(Ⅱ) 이온으로인한금 나노클러스터의정전기적자기조립(Electrostatic self-assembly)으로형광성금 나노클러스터를제조하는방법및 이에의해제조된형광성금 나노클러스터를제공한다. 따라서본 발명의형광성금 나노클러스터는수용액내에서 460 nm 내지 520 nm 파장범위에서최대 60 % 양자수율로발광할수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020180086754A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：KR1020170010581
申请日：2017-01-23
Applicant: 서울대학교산학협력단 , 기초과학연구원
Inventor： 현택환 , 카란세크하르닐라드리
Abstract: 본발명은양자수율이우수한형광성금 나노클러스터제조방법및 이에의해제조된형광성금 나노클러스터에관한것이다. 더욱상세하게는아연(Ⅱ) 이온으로인한금 나노클러스터의정전기적자기조립(Electrostatic self-assembly)으로형광성금 나노클러스터를제조하는방법및 이에의해제조된형광성금 나노클러스터를제공한다. 따라서본 발명의형광성금 나노클러스터는수용액내에서 460 nm 내지 520 nm 파장범위에서최대 60 % 양자수율로발광할수 있다.
-
Search Results
2
records
(took 0.018 seconds)
