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公开(公告)号：KR1020130143233A
公开(公告)日：2013-12-31
申请号：KR1020120066587
申请日：2012-06-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: According to the embodiment of the invention, the task classification method is generated by a specific task of in and out (I/O) traffic to measure the size of the task, a step of a numa system which compares the shared last level cache (LLC), the maximum size and the the size of the traffic of the I/O. Based on the comparison results of such particular tasks or common tasks, they are classified as malignant stages being configured to include a simple algorithm in which under the environment of the numa system, it can distinguish whether the pollution in the cache task will cause a problem or not more quickly and accurately.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，通过进/出（I / O）业务的特定任务来生成任务分类方法，以测量任务的大小，比较共享的最后一级高速缓存的numa系统的步骤 LLC），最大大小和I / O流量的大小。 根据这些特定任务或共同任务的比较结果，将其归类为恶性阶段，被配置为包括一个简单的算法，其中在numa系统的环境下，它可以区分缓存任务中的污染是否会引起问题 或者不是更快和准确地。
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公开(公告)号：KR1020110052951A
公开(公告)日：2011-05-19
申请号：KR1020090109707
申请日：2009-11-13
Applicant: 한화테크윈 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L21/265 , H01L21/823871 , H01L21/823892 , H01L29/66825
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile memory is provided to increase integration and reduce the size of a memory by using only one MOSFET at each memory cell. CONSTITUTION: A first n type well(101) and a second n type well(111) are separately formed on a p type substrate. A floating gate(12) is formed on the first and second n type wells. A first metal electrode(105) is formed on one side of the floating gate. A second metal electrode(115) is formed on the other side of the floating gate. A first p+ type junction unit(104) and a first n+ type junction unit(103) are formed under the first metal electrode.
Abstract translation: 目的：提供非易失性存储器，通过在每个存储单元中仅使用一个MOSFET来增加集成度并减小存储器的尺寸。 构成：在p型衬底上分别形成第一n型阱（101）和第二n型阱（111）。 浮动栅极（12）形成在第一和第二n型阱上。 第一金属电极（105）形成在浮动栅极的一侧。 第二金属电极（115）形成在浮动栅极的另一侧。 在第一金属电极下面形成有第一p +型接合单元（104）和第一n +型接合单元（103）。
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公开(公告)号：KR1020130131801A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：KR1020120055648
申请日：2012-05-24
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G06F9/45
Abstract: The present invention relates to a device analyzing the kernel module of a computer operating system comprising a converting part converting the original machine code of a target kernel module into a peudo-machine code using a virtual register; and an optimizing part optimizing the peudo-machine code, which is computed by the converting part, by converting the virtual register into another register. [Reference numerals] (10) Kernel analyzing tool;(100) Introduction unit;(200) Conversion unit;(201) Instrumentation insertion unit;(300) Optimization;(301) Register reallocation unit;(400) Output unit
Abstract translation: 本发明涉及一种分析计算机操作系统的内核模块的设备，包括：使用虚拟寄存器将目标内核模块的原始机器代码转换成peudo-machine代码的转换部件; 以及通过将转换部分计算出的peudo机器码优化的优化部分，通过将虚拟寄存器转换成另一个寄存器。 （10）内核分析工具;（100）介绍单元;（200）转换单元;（201）仪表插入单元;（300）优化;（301）寄存器重新分配单元;（400）输出单元
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110023543A
公开(公告)日：2011-03-08
申请号：KR1020090081500
申请日：2009-08-31
Applicant: 한화테크윈 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/66833 , G11C16/0466 , H01L29/42324 , H01L29/66825 , H01L29/7881 , H01L29/792 , H01L21/28282 , H01L21/28273
Abstract: PURPOSE: A nonvolatile memory device is provided to operate at a low voltage by including two or more capacitors with different sizes on a divided region. CONSTITUTION: A conductive division layer divides a semiconductor substrate(110) into a first region(111) and a second region(112). An insulation layer(140) is contacted with the first and second regions. A charge storing layer(150) is formed on the insulation layer. A control gate(162a) is electrically connected to the first region. A data line(DL) is electrically connected to the second region.
Abstract translation: 目的：提供一种非易失性存储器件，通过在分割区域上包括两个或更多个具有不同尺寸的电容器来在低电压下工作。 构成：导电分割层将半导体衬底（110）分成第一区域（111）和第二区域（112）。 绝缘层（140）与第一和第二区域接触。 在绝缘层上形成电荷存储层（150）。 控制栅极（162a）电连接到第一区域。 数据线（DL）电连接到第二区域。
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公开(公告)号：KR101395699B1
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：KR1020120066587
申请日：2012-06-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 태스크 분류방법은, 특정 태스크에 의해 발생하는 I/O 트래픽의 크기를 측정하는 단계; 상기 누마 시스템에 포함된 공유 라스트 레벨 캐시(LLC)의 최대 크기와 상기 I/O 트래픽의 크기를 비교하는 단계; 및 상기 비교 결과에 기초하여 상기 특정 태스크를 악성 태스크 또는 일반 태스크로 분류하는 단계를 포함하여 구성됨으로써, 간단한 알고리즘을 통해 누마 시스템 환경 하에서 어느 태스크가 캐시 오염을 일으킬 수 있는 태스크인지 정확하고 신속하게 구별해낼 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020120097830A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：KR1020110017295
申请日：2011-02-25
Applicant: 한화테크윈 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: G05F1/567
CPC classification number: G05F3/242 , G05F3/205 , G05F3/262 , G11C5/146 , G11C11/4074
Abstract: PURPOSE: A temperature compensation circuit and a device including the same are provided to always have constant operation characteristics regardless of the change of temperature by including the temperature compensation circuit. CONSTITUTION: A temperature compensation circuit(100) includes a voltage supply, a first transistor(101), a first current mirror(111), a first resistance(103) and a second resistance(104). The first transistor changes an output current in proportion to temperature. The first current mirror is connected to an output terminal of the first transistor and a current supply. The first resistance is connected between an output terminal of the first current mirror and a ground terminal. The first resistance controls the current flowing in the first current mirror.
Abstract translation: 目的：温度补偿电路及包括该温度补偿电路的器件通过包括温度补偿电路而始终具有恒定的工作特性，而与温度变化无关。 构成：温度补偿电路（100）包括电压源，第一晶体管（101），第一电流镜（111），第一电阻（103）和第二电阻（104）。 第一晶体管以与温度成比例的方式改变输出电流。 第一电流镜连接到第一晶体管的输出端和电流源。 第一电阻连接在第一电流镜的输出端和接地端之间。 第一电阻控制在第一电流镜中流动的电流。
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公开(公告)号：KR1020100073513A
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：KR1020080132213
申请日：2008-12-23
Applicant: 한화테크윈 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: G06K19/07
CPC classification number: G06K19/0715
Abstract: PURPOSE: A method for controlling wireless electronic label, and a wireless electronic label adopting the same are provided to approve delayed reset signal of signal delay unit as power of plug generation unit, thereby preventing delay by inefficiently between some wireless electronic label and a reader. CONSTITUTION: A power supply unit(21) changes AC(Alternating Current) voltage of an antenna into set DC(Direct Current) voltage. While the direct current voltage rises over rated level, a reset signal generator(1111) generates a reset signal. A flag generation unit(1123) reproduces a flag signal of a digital control unit(1119). A signal delay unit(1113) delays the reset signal. The delayed reset signal is used as power supply voltage of the flag generation unit.
Abstract translation: 目的：提供一种控制无线电子标签的方法，以及采用该方法的无线电子标签，以批准信号延迟单元的延迟复位信号作为插头生成单元的功率，从而防止一些无线电子标签与读取器之间的无效延迟。 构成：电源单元（21）将天线的交流（交流）电压改变为设定的直流（直流）电压。 当直流电压上升超过额定电平时，复位信号发生器（1111）产生复位信号。 标志产生单元（1123）再现数字控制单元（1119）的标志信号。 信号延迟单元（1113）延迟复位信号。 延迟复位信号用作标志产生单元的电源电压。
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公开(公告)号：KR101257459B1
公开(公告)日：2013-04-23
申请号：KR1020110017295
申请日：2011-02-25
Applicant: 한화테크윈 주식회사 , 성균관대학교산학협력단
IPC: G05F1/567
Abstract: 본 발명은 온도의 변화에 관계없이 일정한 전류가 흐르게 하는 온도 보상 회로 및 이를 구비하는 장치를 제공한다. 본 발명에 따른 온도 보상 회로는, 일정한 전류를 흘려주는 전류원과 상기 전류원에 연결된 제2 전류 미러에 공통으로 연결된 온도 보상 회로에 있어서, 일정한 전압을 공급하는 전압원, 상기 전압원에 연결되어 상기 전압원으로부터 전압을 공급받으며 온도에 비례하여 출력 전류를 변화시키는 제1 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터의 출력단 및 상기 전류원에 연결된 제1 전류 미러, 및 상기 제1 전류 미러의 출력단과 접지단 사이에 연결되어 상기 제1 전류 미러에 흐르는 전류를 조절하는 제1 저항을 구비한다.
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