나노와이어 솔라셀 및 이의 제조 방법
    1.
    发明申请
    나노와이어 솔라셀 및 이의 제조 방법 审中-公开
    纳米线太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:WO2016171487A1

    公开(公告)日:2016-10-27

    申请号:PCT/KR2016/004153

    申请日:2016-04-21

    Abstract: 본 발명은 나노 와이어 솔라셀인 나노 와이어 솔라셀에 관한 것이고, 또한 본 발명은 이러한 나노 와이어 솔라셀을 제작하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 종래 기술에서 언급했던 ITO 상부 컨택, 평탄화 또는 컨포멀 증착 공정을 하지 아니함으로써 기존 태양 전지 구조의 컨택 문제점을 개선하고 공정 과정을 획기적으로 줄이면서, 동시에 높은 광효율을 얻을 수 있는 구조를 제시하는 것이다. 본 발명의 내용에 따르면, 종래 기술에서 언급했던 상부 컨택을 위한 평탄화 단계 또는 투명 산화물의 컨포멀한 증착 단계가 필요하지 아니하므로 공정 과정을 줄일 수 있고, 이에 의해 기존 컨택에 있어서의 비용 문제, 복잡한 과정의 문제를 개선할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种纳米线太阳能电池。 此外,本发明涉及一种纳米线太阳能电池的制造方法。 本发明的目的是提供一种结构,其能够改善现有的太阳能电池结构的接触问题,显着减少工艺,并且通过排除上ITO接触或保形的平坦化步骤同时获得高的光学效率 在本发明的背景技术中已经提及的沉积工艺。 根据本发明,在本发明的背景技术中已经提到的用于上部接触的平坦化步骤或用于透明氧化物的共形沉积步骤不是必需的,因此可以减少工艺,从而改善 成本问题和现有联系中复杂过程的问题。

    나노와이어 솔라셀 및 이의 제조 방법
    2.
    发明授权
    나노와이어 솔라셀 및 이의 제조 방법 有权
    纳米线太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号:KR101599193B1

    公开(公告)日:2016-03-02

    申请号:KR1020150056565

    申请日:2015-04-22

    Abstract: 본발명은나노와이어솔라셀인나노와이어솔라셀에관한것이고, 또한본 발명은이러한나노와이어솔라셀을제작하는방법에관한것이다. 본발명의목적은종래기술에서언급했던 ITO 상부컨택, 평탄화또는컨포멀증착공정을하지아니함으로써기존태양전지구조의컨택문제점을개선하고공정과정을획기적으로줄이면서, 동시에높은광효율을얻을수 있는구조를제시하는것이다. 본발명의내용에따르면, 종래기술에서언급했던상부컨택을위한평탄화단계또는투명산화물의컨포멀한증착단계가필요하지아니하므로공정과정을줄일수 있고, 이에의해기존컨택에있어서의비용문제, 복잡한과정의문제를개선할수 있다.

    Abstract translation: 纳米线太阳能电池及其制造方法技术领域本发明涉及纳米线太阳能电池及其制造方法。 本发明的纳米线太阳能电池包括:基板; 彼此对准的电极在基板上彼此间隔开; 由一些电极形成的硅纳米线; 和由另一个电极形成的硅化镍纳米线,其中硅纳米线和硅化镍纳米线以多种方式相互接触。 根据本发明,与传统技术不同,ITO上部接触,平坦化处理或共形沉积工艺不用于减轻常规太阳能电池结构中的接触问题,并且显着减少工艺数量,从而提供 可以实现高光学效率的结构。 根据本发明,在常规技术中提到的用于透明氧化物的上部接触或保形沉积工艺过程的平坦化处理不需要减少工艺数量,使得与成本相关的现有问题 常规接触和复杂过程的问题可以减轻。

    태양 전지 구조체 및 이의 제작 방법
    4.
    发明公开
    태양 전지 구조체 및 이의 제작 방법 有权
    太阳能电池结构及其相关方法

    公开(公告)号:KR1020140092523A

    公开(公告)日:2014-07-24

    申请号:KR1020130004286

    申请日:2013-01-15

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521 H01L31/18 H01L31/042

    Abstract: The present invention relates to a solar cell structure and a method for manufacturing a solar cell structure. The solar cell structure according to an embodiment of the present invention comprises an n or p doped first graphene layer; a first silicone nanostructure on the first graphene layer doped as same as the first graphene layer; an intrinsic graphene layer on the first silicone nanostructure; a second silicone nanostructure on the intrinsic graphene layer doped differently from the first graphene layer; and a second graphene layer on the second silicone nanostructure doped as same as the second silicone nanostructure.

    Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池结构及其制造方法。 根据本发明实施例的太阳能电池结构包括n或p掺杂的第一石墨烯层; 在与第一石墨烯层相同地掺杂​​的第一石墨烯层上的第一硅氧烷纳米结构; 第一硅氧烷纳米结构上的固有石墨烯层; 在第一石墨烯层上掺杂的本征石墨烯层​​上的第二硅氧烷纳米结构; 以及与第二硅氧烷纳米结构相同掺杂的第二硅氧烷纳米结构上的第二石墨烯层。

    태양 전지 구조체 및 이의 제작 방법
    5.
    发明授权
    태양 전지 구조체 및 이의 제작 방법 有权
    太阳能电池结构及其相关方法

    公开(公告)号:KR101470116B1

    公开(公告)日:2014-12-08

    申请号:KR1020130004286

    申请日:2013-01-15

    CPC classification number: Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 본발명은태양전지구조체및 태양전지구조체를제작하는방법에관한것으로서, 본발명의일 실시예에따른태양전지구조체는 n 또는 p 도핑된제 1 그래핀층; 상기제 1 그래핀층과동일하게도핑되며상기제 1 그래핀층위의제 1 실리콘나노구조물; 상기제 1 실리콘나노구조물위의인트린식(intrinsic) 그래핀층; 상기제 1 그래핀층과상이하게도핑되며상기인트린식그래핀층위의제 2 실리콘나노구조물; 및상기제 2 실리콘나노구조물과동일하게도핑되며상기제 2 실리콘나노구조물위의제 2 그래핀층을포함한다.

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