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公开(公告)号：KR1020170015769A
公开(公告)日：2017-02-09
申请号：KR1020150108770
申请日：2015-07-31
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명의실시예들에따른반도체프로세서장치는반도체프로세서장치를구성하는하나이상의프로세서코어들에관하여획득되는현재온도, 현재부하량및 현재프로세서코어설정에기초하여프로세서코어들의온도가소정의한계온도에도달하기까지예측도달시간을산출하는열적모델링부, 예측도달시간에기초하여열적마진상태(thermal margin state)를결정하는열적마진상태결정부, 예측도달시간및 열적마진상태에기초하여프로세서코어들에관한열 관리정책을결정하는정책결정부및 열관리정책에따라프로세서코어들의활성화, 전압및 주파수를제어하는프로세서코어설정부를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101755817B1
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：KR1020150108770
申请日：2015-07-31
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본발명의실시예들에따른반도체프로세서장치는반도체프로세서장치를구성하는하나이상의프로세서코어들에관하여획득되는현재온도, 현재부하량및 현재프로세서코어설정에기초하여프로세서코어들의온도가소정의한계온도에도달하기까지예측도달시간을산출하는열적모델링부, 예측도달시간에기초하여열적마진상태(thermal margin state)를결정하는열적마진상태결정부, 예측도달시간및 열적마진상태에기초하여프로세서코어들에관한열 관리정책을결정하는정책결정부및 열관리정책에따라프로세서코어들의활성화, 전압및 주파수를제어하는프로세서코어설정부를포함할수 있다.
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公开(公告)号：KR101719074B1
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：KR1020150175285
申请日：2015-12-09
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: G06F1/20 , G06F1/32 , H01L21/324 , H01L21/67 , G06F9/50
Abstract: 본발명의실시예들에따른반도체프로세서장치는하나이상의프로세서코어들에서구동되는쓰레드들의우선순위및 프로세서코어들의부하량중 어느하나에기초하여열적마진을결정하는열적마진결정부, 반도체프로세서장치의현재온도와열적마진에기초하여열적마진상태(thermal margin state)를결정하는열적마진상태결정부, 열적마진상태에기초하여프로세서코어들에관한열 관리정책을결정하는정책결정부및 열관리정책에따라프로세서코어들의활성화, 전압및 주파수를설정하는프로세서코어설정부를포함할수 있다. 열적마진은반도체프로세서장치를보호하기위한온도인한계온도와열 관리정책의변동을유발하는온도인제한온도사이의차이를정의하고, 열적마진상태는현재온도가제한온도보다낮은상태또는그렇지않은상태중에서결정될수 있다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的半导体处理器装置包括：热余量确定单元，其基于在一个或多个处理器内核中驱动的线程的优先级和处理器内核上的负载中的任何一个来确定热余量， 以及热余量状态确定器，用于基于热余量确定热余量状态，策略决定部分，用于基于热余量状态确定用于处理器核的热管理策略， 以及处理器内核设置单元，用于设置处理器内核的激活，电压和频率。 的温度裕量限定有限的温度的温度之间的差，以使所述阈值温度和用于保护半导体处理器设备的热管理策略温度的变化，热余量状态是当前温度低或以其它方式低于极限温度条件 ＆lt;
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