금속 나노와이어 및 이의 제조 방법
    2.
    发明公开
    금속 나노와이어 및 이의 제조 방법 审中-实审
    金属纳米及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020160111754A

    公开(公告)日:2016-09-27

    申请号:KR1020150036820

    申请日:2015-03-17

    Inventor: 이효영 박진택

    CPC classification number: B82B3/00 B22F1/02 B22F9/24

    Abstract: 금속나노와이어및 상기금속나노와이어의제조방법에관한것이다.

    Abstract translation: 金属纳米线及其制造方法技术领域本发明涉及金属纳米线及其制造方法。 本发明的金属纳米线包括:通过生长过渡金属形成的纳米线; 以及形成在所述纳米线表面上的保护层,其中所述保护层包含由化学式1表示的胺。

    그래핀 양자점 및 그의 제조 방법
    5.
    发明公开
    그래핀 양자점 및 그의 제조 방법 有权
    石墨量子点及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020160025339A

    公开(公告)日:2016-03-08

    申请号:KR1020140112479

    申请日:2014-08-27

    CPC classification number: C01B32/184 B82Y30/00 B82Y40/00 Y10S977/774

    Abstract: 본원은그래핀양자점을이용한발광소자및 상기그래핀양자점을이용한발광소자의제조방법을제공한다.

    Abstract translation: 在本发明中提供的是:使用石墨烯量子点的发光装置; 以及使用石墨烯量子点的发光装置的制造方法。 石墨烯量子点的制造方法包括:向碳材料中加入过硫酸一氢钾(oxone); 并通过溶剂热氧化还原,声子芬顿反应或碳材料的超声光晕反应形成石墨烯量子点。 根据本发明,该方法能够通过使用各种碳材料制造石墨烯量子点,并且通过使用过一硫酸钾(丁酮)提高稳定性。

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