公开(公告)号：KR101917540B1

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：KR1020170169634

申请日：2017-12-11

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 유우종 ,  브쿠옥안 ,  원의연

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/11521

Abstract: 본발명에따른수직형터널링랜덤액세스메모리는, 베이스기재상에배치된제1 전극; 제1 전극의상부에서제1 전극과마주하도록배치된제2 전극; 제1 전극과제2 전극사이에배치되고, 전하를충전하거나방전할수 있는플로팅게이트; 제1 전극과플로팅게이트사이에배치된터널링절연층; 플로팅게이트와제2 전극사이에배치된배리어절연층; 및터널링절연층과배리어절연층을관통하여제1 전극을부분적으로노출시키는콘택홀을통해서일단부는제1 전극과접촉하고일단부의타단부는제2 전극과접촉하도록제2 전극에서부터콘택홀의측벽면의일부를따라제1 전극까지연장된반도체패턴을포함한다.

公开(公告)号：KR101789405B1

公开(公告)日：2017-10-23

申请号：KR1020160017979

申请日：2016-02-16

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 유우종 ,  브쿠옥안 ,  원의연

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/16

Abstract: 터널링랜덤액세스메모리가개시된다. 터널링랜덤액세스메모리는기판; 상기기판상에배치되고, 전하를충전하거나방전할수 있는플로팅게이트; 상기플로팅게이트상에배치되고, 상기전하의터널링이가능한터널링절연막; 상기터널링절연막상에배치된채널층; 및상기채널층과각각전기적으로연결된소스전극과드레인전극을포함한다.

公开(公告)号：KR101924260B1

公开(公告)日：2018-11-30

申请号：KR1020160107108

申请日：2016-08-23

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 유우종 ,  브쿠옥안 ,  원의연

IPC: G01J1/44 ,  G03F7/20

Abstract: 광검출장치가개시된다. 광검출장치는전도성박막, 전도성박막상부에배치된반도체박막및 전도성박막과반도체박막사이에배치되고육방정계질화붕소로형성된절연막을구비한다. 이러한광 검출장치는현저하게향상된광 감응도(Responsivity) 및민감도(Detectivity)를가질수 있다.

公开(公告)号：KR1020170096508A

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：KR1020160017979

申请日：2016-02-16

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 유우종 ,  브쿠옥안 ,  원의연

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/16

Abstract: 터널링랜덤액세스메모리가개시된다. 터널링랜덤액세스메모리는기판; 상기기판상에배치되고, 전하를충전하거나방전할수 있는플로팅게이트; 상기플로팅게이트상에배치되고, 상기전하의터널링이가능한터널링절연막; 상기터널링절연막상에배치된채널층; 및상기채널층과각각전기적으로연결된소스전극과드레인전극을포함한다.

Abstract translation: 公开了一种隧穿随机存取存储器。 一种隧道随机存取存储器，包括：衬底; 浮置栅极，设置在衬底上，浮置栅极能够对电荷进行充电或放电; 设置在浮栅上的隧穿绝缘膜，隧穿绝缘膜能够隧穿电荷; 沟道层设置在隧道绝缘体上; 并且分别电连接到沟道层的源电极和漏电极。