公开(公告)号：WO2018026239A1

公开(公告)日：2018-02-08

申请号：PCT/KR2017/008453

申请日：2017-08-04

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김정구 ,  송솔지

IPC: C23F11/10 ,  C23F11/18 ,  H05K3/28

CPC classification number: C23F11/10 ,  C23F11/18 ,  H05K3/28

Abstract: 본 발명의 일실시예는 전기화학적 마이그레이션 방지 첨가제는 구리 금속 배선 사이에서 발생하는 수지상정의 생성 또는 성장을 지연 또는 방지하여 전기화학적 마이그레이션을 억제할 수 있다. 이를 통하여, 회로의 단락을 궁극적으로 방지할 수 있다. 또한, 이러한 방지 첨가제를, 반도체 등의 패키징 공정의 EMC 또는 언더필 재료와 혼합하여 사용할 경우, 반도체 소자의 신뢰도를 높일 수 있다.

Abstract translation:

本发明的一个实施方案防止电化学迁移的添加剂可以被抑制到延迟或防止其被铜金属线之间产生所产生的电化学迁移或枝晶生长的定义。 通过这个，可以最终防止短路。 当预防性添加剂在诸如半导体的封装工艺中与EMC或底部填充材料混合时，可以增加半导体器件的可靠性。

公开(公告)号：KR101769716B1

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：KR1020160107614

申请日：2016-08-24

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김정구 ,  송솔지

IPC: C23F11/10 ,  C23F11/18 ,  H05K3/28

CPC classification number: C23F11/10 ,  C23F11/18 ,  H05K3/28 ,  H05K3/282 ,  H05K3/285

Abstract: 본발명의일실시예는전기화학적마이그레이션방지첨가제는금속배선사이에서발생하는수지상정의생성또는성장을지연또는방지하여전기화학적마이그레이션을억제할수 있다. 이를통하여, 회로의단락을궁극적으로방지할수 있다. 또한, 이러한방지첨가제를, 반도체등의패키징공정의 EMC 또는언더필재료와혼합하여사용할경우, 반도체소자의신뢰도를높일수 있다.