公开(公告)号：KR101837181B1

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：KR1020170057634

申请日：2017-05-08

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 김윤제 ,  윤석규 ,  김현오 ,  김재희

IPC: A62C2/10

CPC classification number: A62C2/10

Abstract: 화염차단장치에관한발명이개시된다. 개시된화염차단장치는, 건물의외벽에설치되는베이스부와, 베이스부에결합되며외벽에서이격되는방향으로연장되어화염의이동을외벽으로부터이격되는방향으로안내하는제1안내부와, 제1안내부에결합되며제1안내부에의하여안내되는화염의이동방향을전환하는제2안내부를포함하는것을특징으로한다.

Abstract translation: 公开了一种涉及阻燃装置的发明。 所公开的火焰屏蔽装置包括：设置在建筑物的外壁上的基部;第一引导部，其联接到基部并且沿远离外壁的方向延伸以引导火焰在远离外壁的方向上的运动; 第二引导部分联接到第一引导部分并适于改变由第一引导部分引导的火焰的运动方向。

公开(公告)号：KR100691251B1

公开(公告)日：2007-03-12

申请号：KR1020050072324

申请日：2005-08-08

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 윤대호 ,  신동익 ,  이호준 ,  박우정 ,  윤석규

IPC: H01L33/12 ,  H01L21/20

Abstract: 본 발명은 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 발광소자는 기판과; 상기 기판 표면에 성장되는 중간층과; 상기 기판과 중간층 상에 성장되는 박막을 포함하여 구성되고, 발광소자 제조방법은 (a) μ-PD(micro pulling down)법으로 β-Ga
2 O
3 단결정 기판을 성장시키는 단계와; (b) 상기 (a)단계에서 성장된 β-Ga
2 O
3 단결정 기판 표면을 NH
3 가스 분위기에서 열처리하여 아모노리시스(ammonolysis) 반응으로 산소와의 결합이 질소와의 결합으로 치환시켜 GaN 버퍼층을 성장시키는 단계와; (c) 상기 (b)단계에서 성장된 기판과 중간층 상에 GaN 박막을 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지며, 기판으로 사용될 물질과 GaN과의 격자상수 차와 열팽창계수의 차이를 줄여 고품질의 단결정을 성장시킬 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100689623B1

公开(公告)日：2007-03-08

申请号：KR1020050072319

申请日：2005-08-08

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 윤대호 ,  신동익 ,  이호준 ,  박우정 ,  윤석규

IPC: C30B15/14

Abstract: 본 발명은 반도체소자 및 발광소자의 단결정 성장장치에 관한 것으로, 제1 보호막을 고정하며 중앙에 관통홀을 갖는 고정부재와, 제2 보호막을 구비한 반도체소자 및 발광소자의 단결정 성장장치에 있어서, 상기 제1 보호막에 의해 보호되며 단결정을 성장시키기 위한 원료가 담긴 도가니와; 상기 제2 보호막의 외주에 형성되어 상기 도가니 내의 원료를 융해시키기 위한 고주파를 발생시키는 고주파 발생부와; 상기 도가니의 하부에 형성되어 상기 도가니 내의 융해된 융액을 분출하기 위한 노즐(nozzle)과; 상기 노즐(nozzle)에 시딩(seeding)된 후 상기 고정부재의 관통홀을 통해 이송되어 상기 노즐(nozzle)에서 분출되는 융액으로 단결정을 성장시키는 시드(seed)와; 상기 시드(seed)를 이송시키기 위한 시드 이송부를 포함하여 구성되며, 도가니의 하부에 형성된 노즐(nozzle)에 시드(seed)를 시딩(seeding)시킨 후 상기 도가니 내의 융액을 상기 노즐(nozzle)을 통해 하강시켜 온도구배로 단결정을 성장시키게 되며, 도가니에 고주파 유도 가열방식으로 원료를 융해하고 도가니 하부에 있는 판상 형태로 제작된 노즐(nozzle)을 통하여 단결정을 성장시킴으로써 열 스트레인(strain)에 의한 결정화 및 크랙(crack) 형성 등이 없는 고품질의 결정제조가 가능한 효과가 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种半导体器件的单晶生长装置和具有引导至半导体元件和发光元件，固定于所述第一保护膜和具有在中心具有通孔的固定构件的单晶生长装置的发光装置中，第二保护膜， 坩埚，由第一保护膜保护并包含用于生长单晶的原料; 高频产生单元，形成在第二保护膜的外周上以产生用于熔化坩埚中的原材料的高频波; 喷嘴，形成在坩埚的下部以喷射坩埚中的熔融熔体; 接种到喷嘴并通过固定构件的通孔传送以通过从喷嘴喷射的熔体生长单晶的晶种; 以及用于转移种子的种子转移单元，种子被接种在形成在坩埚下部的喷嘴中，然后坩埚中的熔体通过喷嘴 通过高频感应加热法将原料在坩埚中熔化，并通过在坩埚下部形成为板状的喷嘴使单晶生长，从而通过热应变和/ 具有能够制造无裂纹形成等的高品质的结晶的效果。

公开(公告)号：KR1020070017751A

公开(公告)日：2007-02-13

申请号：KR1020050072324

申请日：2005-08-08

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 윤대호 ,  신동익 ,  이호준 ,  박우정 ,  윤석규

IPC: H01L33/12 ,  H01L21/20

Abstract: 본 발명은 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 발광소자는 기판과; 상기 기판 표면에 성장되는 중간층과; 상기 기판과 중간층 상에 성장되는 박막을 포함하여 구성되고, 발광소자 제조방법은 (a) μ-PD(micro pulling down)법으로 β-Ga
2 O
3 단결정 기판을 성장시키는 단계와; (b) 상기 (a)단계에서 성장된 β-Ga
2 O
3 단결정 기판 표면을 NH
3 가스 분위기에서 열처리하여 아모노리시스(ammonolysis) 반응으로 산소와의 결합이 질소와의 결합으로 치환시켜 GaN 버퍼층을 성장시키는 단계와; (c) 상기 (b)단계에서 성장된 기판과 중간층 상에 GaN 박막을 성장시키는 단계를 포함하여 이루어지며, 기판으로 사용될 물질과 GaN과의 격자상수 차와 열팽창계수의 차이를 줄여 고품질의 단결정을 성장시킬 수 있는 효과가 있다.

Abstract translation: 发光器件及其制造方法技术领域本发明涉及一种发光器件及其制造方法，其中发光器件包括衬底; 生长在衬底表面上的中间层; 以及在所述衬底和所述中间层上生长的薄膜，其中所述发光器件制造方法包括以下步骤：（a）通过微下拉法形成p-Ga层;

公开(公告)号：KR1020070017748A

公开(公告)日：2007-02-13

申请号：KR1020050072319

申请日：2005-08-08

Applicant: 성균관대학교산학협력단

Inventor： 윤대호 ,  신동익 ,  이호준 ,  박우정 ,  윤석규

IPC: C30B15/14

Abstract: 본 발명은 반도체소자 및 발광소자의 단결정 성장장치에 관한 것으로, 제1 보호막을 고정하며 중앙에 관통홀을 갖는 고정부재와, 제2 보호막을 구비한 반도체소자 및 발광소자의 단결정 성장장치에 있어서, 상기 제1 보호막에 의해 보호되며 단결정을 성장시키기 위한 원료가 담긴 도가니와; 상기 제2 보호막의 외주에 형성되어 상기 도가니 내의 원료를 융해시키기 위한 고주파를 발생시키는 고주파 발생부와; 상기 도가니의 하부에 형성되어 상기 도가니 내의 융해된 융액을 분출하기 위한 노즐(nozzle)과; 상기 노즐(nozzle)에 시딩(seeding)된 후 상기 고정부재의 관통홀을 통해 이송되어 상기 노즐(nozzle)에서 분출되는 융액으로 단결정을 성장시키는 시드(seed)와; 상기 시드(seed)를 이송시키기 위한 시드 이송부를 포함하여 구성되며, 도가니의 하부에 형성된 노즐(nozzle)에 시드(seed)를 시딩(seeding)시킨 후 상기 도가니 내의 융액을 상기 노즐(nozzle)을 통해 하강시켜 온도구배로 단결정을 성장시키게 되며, 도가니에 고주파 유도 가열방식으로 원료를 융해하고 도가니 하부에 있는 판상 형태로 제작된 노즐(nozzle)을 통하여 단결정을 성장시킴으로써 열 스트레인(strain)에 의한 결정화 및 크랙(crack) 형성 등이 없는 고품질의 결정제조가 가능한 효과가 있다.