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公开(公告)号：KR101170917B1
公开(公告)日：2012-08-06
申请号：KR1020100001866
申请日：2010-01-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 메조기공을 가지는 금속산화물의 제조방법에 관한 것으로서, 금속산화물 나노입자와 상기 금속산화물과 등전점이 상이한 금속산화물 나노입자의 복합체를 형성하는 단계, 상기 복합체를 수열 반응시켜 복합체를 결정화시키는 단계, 및 복합체에서 상기 등전점이 상이한 금속산화물 나노입자를 제거하는 단계를 포함한다. 본 발명의 금속산화물의 제조방법은 등전점이 상이한 금속산화물 나노입자를 구성하는 금속 간의 첨가 비율에 따라 기공의 형태 및 크기를 용이하게 제어할 수 있으며, 이에 따라 제조된 금속산화물 입자는 고온 안정성이 우수하고, 비표면적이 넓고 다양한 크기의 기공을 가질 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020110081612A
公开(公告)日：2011-07-14
申请号：KR1020100001866
申请日：2010-01-08
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: C01B13/14 , B01J19/0086 , C01P2004/64 , C01P2006/12 , C01P2006/16
Abstract: PURPOSE: A producing method of a mesoporous metal oxide is provided to offer meso-pores with various sizes and the wide surface area to the metal oxide. CONSTITUTION: A producing method of a mesoporous metal oxide comprises the following steps: preparing a metal oxide nanoparticle composite; heat processing the metal oxide nanoparticle composite; and removing nanoparticles from the heat processed metal oxide nanoparticle composite. Metals forming the nanoparticles are group 3 or 15 metals, lanthanide series metals, or actinoid metals.
Abstract translation: 目的：提供介孔金属氧化物的制备方法，以提供具有各种尺寸和宽金属氧化物表面积的中孔。 构成：介孔金属氧化物的制备方法包括以下步骤：制备金属氧化物纳米颗粒复合材料; 热处理金属氧化物纳米复合材料; 并从热处理的金属氧化物纳米颗粒复合材料中除去纳米颗粒。 形成纳米颗粒的金属是3或15族金属，镧系金属或锕系金属。
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公开(公告)号：KR1020090079537A
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：KR1020080005595
申请日：2008-01-18
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L27/13
CPC classification number: H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3121 , H01L21/316 , Y10T428/265
Abstract: A thin film nano multilayered structure with low-k dielectric and high hardness is to provide nano multilayered structure pores, which represent an air layer between dense silica layers in order for the silica layers not to be exposed to the outside. A method for fabricating a thin film nano multilayered structure with low-k dielectric and high hardness comprises: a first step of stirring a silica sol solution containing surfactant, silica precursor, solvent and catalyst at the temperature of 20 ~ 30°C in order to induce a self-assembly structure of silica and surfactant; a second step of spin-coating a silicon wafer with the silica sol solution; a third step of aging the silicon wafer in an oven of 50 ~ 100°C for 10 ~ 60 hours; and a fourth step of sintering the silicon wafer at 400°C ~ 500°C for 2 ~ 6 hours and cooling it off.
Abstract translation: 具有低k电介质和高硬度的薄膜纳米多层结构是提供纳米多层结构孔，其表示致密二氧化硅层之间的空气层，以使二氧化硅层不暴露于外部。 制备低k电介质和高硬度的薄膜纳米多层结构的方法包括：在20〜30℃的温度下搅拌含有表面活性剂，二氧化硅前体，溶剂和催化剂的二氧化硅溶胶溶液的第一步骤，以便 诱导二氧化硅和表面活性剂的自组装结构; 用硅溶胶溶液旋涂硅晶片的第二步骤; 在50〜100℃的烘箱中将硅晶片老化10〜60小时的第三步骤; 以及在400℃〜500℃下烧结硅晶片2〜6小时并冷却的第四步骤。
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